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Dislocation-Free InGaAs on Si (111) Using Micro-Channel Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
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S. Takagi
High Performance Nano CMOS Platform utilizing carrier transport enhancement
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S. Takagi
Advanced Nano CMOS Platform using Carrier-Transport-Enhanced Channels
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M. Deura, T. Hoshii, M. Sugiyama, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugaharaa, S. Takagi and Y. Nakano
Effect of Ga content on crystal shape in micro-channel selective-area MOVPE of InGaAs on Si
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S. Takagi
Understanding and Engineering of Carrier Transport in Advanced MOS Channels
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S. Takagi
High mobility channel MOSFET
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S. Takagi
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K. H. Park, K. Hirakawa and S. Takagi
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M. Takenaka, S. Tanabe, S. Dissanayake, S. Sugahara and S. Takagi
Ge Photodetector integrated with Ge-on-Insulator MOSFET by using Oxidation Condensation Technique
The 21st Annual Meeting of The IEEE Lasers & Electro-Optics Society (LEOS’08), Newport Beach, CA, 9-13 November, 2008

T. Yasuda, N. Miyata, H. Ishii, T. Itatani, O. Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, A. Ohtake, T. Haimoto, T. Hoshii, M. Takenaka and S. Takagi
Impact of Cation Composition and Substrate Orientation on Electrical Properties of ALD-Al2O3/III-V Interfaces
39th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2008), December 11-13, 2008, Catamaran Resort Hotel, San Diego, CA (2008) P7

T. Sasada, Y. Nakakita, M. Takenaka and S. Takagi
Surface Orientation Dependence of Interface Properties of GeO2/Ge MOS Structures Fabricated by Thermal Oxidation
39th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2008), December 11-13, 2008, Catamaran Resort Hotel, San Diego, CA (2008) 6.4

T. Haimoto, T. Hoshii, M. Takenaka and S. Takagi
Improvement of MIS Interfacial properties by direct nitridation of InP surfaces
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Comprehensive understanding of surface roughness and Coulomb scattering mobility in biaxially-strained Si MOSFETs
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安田哲二，宮田典幸，石井裕之，板谷太郎，市川磨，福原昇，秦雅彦，大竹晃浩，灰本隆志，星井拓也，竹中充，高木信一, "InGaAs上へのAl2O3のALD成長による良好なMIS界面特性の実現",  2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会 , 中部大学, 2008年9月2-5日. 

土屋英昭, 王威, 高木 信一, "秋季バリスティック効率向上のためのソース端ポテンシャルエンジニアリング",  2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会 , 中部大学, 2008年9月2-5日. 

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灰本隆志、星井拓也、竹中充、高木信一, "InP表面の直接窒化によるMIS界面特性の改善",  2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会 , 中部大学, 2008年9月2-5日.

竹中充、田辺聡、S. Dissanayake、菅原聡、高木信一, "酸化濃縮法を用いたGe PDとGe-on-Insulator MOSFETの集積化の検討", 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会 , 中部大学, 2008年9月2-5日.

出浦桃子，星井拓也，竹中充，高木信一，中野義昭，杉山正和, "微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの横方向成長過程", 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会 , 中部大学, 2008年9月2-5日.

出浦桃子，星井拓也，山本剛久，幾原雄一，竹中充，高木信一，中野義昭，杉山正和, "微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsのGa組成と結晶構造", 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会 , 中部大学, 2008年9月2-5日.

朴敬花、平川一彦、高木信一, "p+ポリシリコンゲートを有するSi MOSFET中の電子移動度の温度依存性", 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会 , 中部大学, 2008年9月2-5日.

手塚勉、豊田英二、入沢寿史、臼田宏治、平下紀夫、守山佳彦、杉山直治、高木信一, “高温水素エッチング及び酸化濃縮法によるひずみSiGe-Fin構造の作製とひずみ評価”, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会 , 中部大学, 2008年9月2-5日.

臼田宏治, 中払周, 入沢寿史, 守山佳彦, 平下紀夫, 手塚勉, 杉山直治,山下良美,田岡紀之, 木曽修, 山本豊二, 高木信一, “SSON 構造より形成したGAAゲートひずみSi-MOSFETの試作とひずみのNBD評価”, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会 , 中部大学, 2008年9月2-5日.

田岡紀之, 原田真臣, 山下良美, 山本豊二, 杉山直治, 高木信一, “コンダクタンス法におけるGe MIS界面準位と多数および少数キャリアの応答モデル”, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会 , 中部大学, 2008年9月2-5日.

田岡紀之, 原田真臣, 山下良美, 山本豊二, 杉山直治, 高木信一, “コンダクタンス法におけるGe MIS界面準位と多数および少数キャリアの応答解析”, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会 , 中部大学, 2008年9月2-5日.

水野智久，守山佳彦，手塚勉，杉山直治, 高木信一, “ソースへテロMOSFETのソース構造最適化の検討”, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会 , 中部大学, 2008年9月2-5日.

臼田宏治，中払 周，入沢寿史，守山佳彦，平下紀夫，手塚 勉，杉山直治，山下良美，田岡紀之，木曽 修，山本豊二, 高木信一, “SSON基板を用いたGAA型ひずみSi-MOSFETの試作とひずみのNBD評価”, EFM-08-27, 電気学会・電子材料研究会「Ⅳ族系ヘテロ超微細デバイス材料技術の最新動向」, 東北大学電気通信研究所, 2008年9月27日. 

高木信一, "最先端CMOSデバイスにおけるひずみSi技術",  半導体計測・評価技術ネットワーク第3回ワークショップ, つくば国際会議場, 2008年11月19日.

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田岡紀之, 山本豊二, 原田真臣, 山下良美, 杉山直治, 高木信一, “Ge-MIS界面特性評価における少数キャリア応答の重要性”, ゲートスタック研究会 ― 材料・プロセス・評価の物理 ―（第14回研究会）, 東レ総合研修センター, 2009年1月22日. 

S. Takagi, T. Hoshii, M. Deura, M. Sugiyama, H. Matsubara, T. Sasada and M. Takenaka, “Ge/III-V channel CMOS Technologies”, グローバルCOE「セキュアライフ・エレクトロニクス」 シンポジウム－21世紀の社会は先端エレクトロニクスでどう変わる－, 東京大学本郷キャンパス武田ホール, 2009年1月20-21日.

M. Takenaka, S. Dissanayake, K. Morii, S. Takagi, “Ge based nano electro-optic integrated circuits for intrachip interconnections”, グローバルCOE「セキュアライフ・エレクトロニクス」 シンポジウム－21世紀の社会は先端エレクトロニクスでどう変わる－, 東京大学本郷キャンパス武田ホール, 2009年1月20-21日.

高木信一, 杉山正和、竹中充, “CMOSプラットフォーム上の異種材料チャネルMOSトランジスタ技術”, IEEE CPMT日本チャプタ3D研究会, 東京大学工学部14号館, 2009年3月2日.

高木信一, ”化合物半導体MOSFETの研究開発動向と将来展望”, 電気学会電子デバイス研究会（「超高速デバイス・回路技術」）、EDD-09-40, ＮＴＴ保養所「一碧荘」, 熱海, 2009年3月9-10日. 

出浦桃子，星井拓也，竹中充，高木信一，中野義昭，杉山正和, “Si 上InGaAs の微小領域選択MOVPE における横方向成長促進と均一性向上”, 化学工学会第74年会, 横浜国立大学, 2009年3月18-20日.

田岡紀之, 水林亘, 森田行則, 右田真司, 太田裕之, 高木信一, “少数キャリアを考慮したコンダクタンス法によるGe MIS界面欠陥構造の評価”, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会 , 筑波大学, 2009年3月30日-4月2日.

高木信一、竹中充, “バリスティックMOSFETの駆動電流に与えるキャリアの有効質量の効果”, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会 , 筑波大学, 2009年3月30日-4月2日.

中北要佑，中根了昌，笹田崇，竹中充，高木信一, “熱酸化GeO2/Ge MOS 界面を用いたGe pMOSFET の移動度決定機構”, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会 , 筑波大学, 2009年3月30日-4月2日.

森井清仁、中根了昌、杉山正和、中野義昭、竹中充、高木信一, “MOVPE 装置を用いたAs 気相ドーピングによるGe p-n 接合の電気特性”, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会 , 筑波大学, 2009年3月30日-4月2日.

竹中充、武田浩二、星井拓也、種村拓夫、杉山正和、中野義昭、高木信一, “III-V nMOSFET実現に向けた埋め込み再成長n+InP S/D形成”, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会, 筑波大学, 2009年3月30日-4月2日.

岩崎敬志, 笹田崇，竹中充，高木信一, “Ge基板上の熱酸化GeO2のプラズマ窒化による改質”, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会 , 筑波大学, 2009年3月30日-4月2日.

竹中 充、横山正史、星井拓也、出浦桃子、灰本隆志、中川翔太、金相賢、杉山正和、高木信一, “超薄膜III-V-OI MOSFET実現に向けたチャネルおよび接合形成技術”, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会 , 筑波大学, 2009年3月30日-4月2日.

横山正史，安田哲二，山田永，福原昇，秦雅彦，杉山正和，中野義昭，竹中充，高木信一, “基板貼り合わせによるSi 基板上メタルS/D III-V-OI MOSFET の動作実証”, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会 , 筑波大学, 2009年3月30日-4月2日.

灰本隆志、中川翔太、星井拓也、竹中充、高木信一, “InP表面の直接窒化によるMISFETの作製とその電気的評価”, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会 , 筑波大学, 2009年3月30日-4月2日.

竹中充、杉山正和、中野義昭、高木信一, “MOVPEによる砒素気相ドーピングのGe面方位依存性”, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会 , 筑波大学, 2009年3月30日-4月2日.

星井拓也、横山正史、山田永、秦雅彦、安田哲二、竹中充、高木信一, “ECR スパッタSiO2 膜を用いたInGaAs MOS キャパシタの界面特性向上”, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会 , 筑波大学, 2009年3月30日-4月2日.

出浦桃子，近藤佳幸，星井拓也，竹中充，高木信一，中野義昭，杉山正和, “多段階成長を用いた微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの面内均一化”, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会 , 筑波大学, 2009年3月30日-4月2日.

近藤佳幸，出浦桃子，竹中充，高木信一，中野義昭，杉山正和, “微小領域選択MOVPEにおけるSi上InAs核発生の成長条件依存性”, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会 , 筑波大学, 2009年3月30日-4月2日.

石井裕之, 板谷太郎, 安田哲二, 宮田典幸, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 竹中充, 高木信一, “InGaAs/InP(001)上へのn-MISFETの試作”, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会 , 筑波大学, 2009年3月30日-4月2日.

安田哲二，宮田典幸，石井裕之，板谷太郎，山田永，福原昇，秦雅彦，大竹晃浩，竹中充，高木信一, “Ⅲ-ⅤチャネルのMIS特性におけるバルク物性と界面構造の影響”, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会 , 筑波大学, 2009年3月30日-4月2日.