Takagi-Toprasertpong Laboratory
Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo
2003年度
Takagi lab(高木研究室)October 2003 - Mar 2004
学術誌 (Journal)
S. Nakaharai, T. Tezuka, N. Sugiyama, Y. Moriyama and S. Takagi, “Characterization of 7-nm-thick Strained Ge-on-Insulator Layer Fabricated by Ge-Condensation Technique”, Appl. Phys. Lett., vol. 83, issue 17, 27 October (2003) pp. 3516-3518
T. Tezuka, N. Sugiyama and S. Takagi, “Dislocation-free relaxed SiGe-on-Insulator mesa structures fabricated by high temperature oxidation”, J. Appl. Phys., Vol. 94, Issue 12 (2003) pp. 7553-7559
S. Takagi, T. Mizuno, T. Tezuka, N. Sugiyama, T. Numata, K. Usuda, Y. Moriyama, S. Nakaharai, J. Koga, A. Tanabe and T. Maeda, "Fabrication and Device Characteristics of Strained-Si-On-Insulataor (Strained-SOI) CMOS", Appl. Surf. Sci., volume 224, Issues 1-4, 15 March (2004) 241-247
K. Usuda, T. Mizuno, T. Tezuka, N. Sugiyama, Y. Moriyama, S. Nakaharai and S. Takagi, "Strain relaxation of strained-Si layers on SiGe-on-insulator (SGOI) structures after mesa isolation", Appl. Surf. Sci., volume 224, Issues 1-4, 15 March (2004) 113-116
N. Sugiyama, Y. Moriyama, S. Nakaharai, T. Tezuka, T. Mizuno and S. Takagi, "Kinetics of Epitaxial Growth of Si and SiGe films on (110) Si Substrates", Appl. Surf. Sci., volume 224, Issues 1-4, 15 March (2004) 188-192 (doi.org/10.1016/j.apsusc.2003.08.097)
国際会議 (International Conference)
S. Takagi, T. Mizuno, T. Tezuka, N. Sugiyama, T. Numata, K. Usuda, S. Nakaharai, Y. Moriyama, J. Koga, A. Tanabe, N. Hirashita and T. Maeda, ”Device Structure and Carrier Transport Properties ofStrained-Si/SiGe-on-Insulator (Strained-SOI) CMOS”, invited talk, 7th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces (ANSIN-7), 2003.11.16-20, Nara, Japan, p. 47
T. Mizuno, N. Sugiyama, T. Tezuka, Y. Moriyama, S. Nakaharai and S. Takagi, “Physical Mechanism for high mobility of (110)-surface strained and unstrained MOSFETs”, Tech. Dig. IEDM (2003) p. 809-812
S. Takagi, “Strained Silicon Technology”, IEDM2003 Short Course “Silicon+: Augmented Silicon Technology”
S. Takagi, T. Mizuno, T. Tezuka, N. Sugiyama, T. Numata, K. Usuda, S. Nakaharai, Y. Moriyama, J. Koga, A. Tanabe, N. Hirashita and T. Maeda, ”Channel Structure Design, Fabrication and Carrier Transport Properties of Strained-Si/SiGe-On-Insulator (Strained-SOI) MOSFETs (invited)”, Tech. Dig. IEDM (2003) p. 57-60
K. Uchida, J. Koga, and S. Takagi, ”Experimental Study on Carrier Transport Mechanisms in Double- and Single-Gate Ultrathin-Body MOSFETs - Coulomb scattering, Volume Inversion, and dTSOI-induced scattering –“, Tech. Dig. IEDM (2003) p. 805-808
S. Takagi, “High mobility channel MOSFETs combined with thin body structures for continuous improvement of CMOS performance”, invited talk, The 7th International Forum on Semiconductor Technology (IFST 2004)
S. Takagi, "Subband Structure Engineering for Advanced CMOS Channels", invited talk, 5th European Workshop on ULtimate Integration of Silicon (ULIS 2004), March 11-12, 2004, Leuven, Belgium
S. Takagi, T. Maeda, T. Numata, T. Mizuno, K. Usuda, A. Tanabe, T. Tezuka, S. Nakaharai, J. Koga, T. Irisawa, Y. Moriyama, N. Hirashita and N. Sugiyama, “Device Characterizations and Physical Models of Strained-Si Channel CMOS”, invited talk, ICMTS2004 (International Conference on Microelectronics Test Structures), Awaji Yumebutai International Conference Center, March 22-25 2004, p. 133-138
国内学会 (Japanese Domestic Conference)
S. Takagi, Necessity of New Device Structures for Realizing Sub-0.1um High-Performance CMOS and the Role of Japanese Joint Project "MIRAI", Japan-Taiwan LSI Design Symposium, University of Toyo, Japan, p. 2-11, 2003.10. 23-24.
高木信一、歪みSOI技術の最近の動向と課題(セミコンポータルフォーラム「歪みSOI技術の展望と動向」、プラザエフ、東京都千代田区), p. 15-33、2003年10月22日.
沼田敏典, 水野智久, 手塚勉, 古賀淳二, 松沢一也, 高木信一、完全空乏型SOI及びひずみSOI CMOSにおけるしきい値制御と短チャネル効果抑制手法、シリコンテクノロジー分科会第56回研究集会「先端デバイス実現に向けたモデリング技術」, No. 56, p. 13-18、2003年11月21日.
S. Takagi, N. Sugiyama, T. Tezuka, T. Mizuno, T. Numata, Y. Moriyama, K. Usuda, S. Nakaharai, J. Koga, A. Tanabe, N. Hirashita and T. Maeda, Proceeding of Device Physics and Technology of strained-Si MOSFETs, the Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2003, International Conference Hall, Shonan Village Center, Hayama, JAPAN, p. 26-38, 2003.11. 25.
高木信一、水野智久、手塚勉、杉山直治、沼田敏典、臼田宏治、中払周、守山佳彦、古賀淳二、田邊顕人、平下紀夫、前田辰郎、微細CMOSにおける新チャネル構造の重要性とひずSOI素子技術、SEMIスタンダードワークショップ「歪Siへの期待-デバイス動向と基板・評価技術の現状」、幕張メッセ国際会議場会議室、2003年12月3日.
手塚勉、杉山直治、臼田宏治、平下紀夫、守山佳彦、中払周、高木信一、宮村佳児、豊田英二、酸化濃縮法によるSGOI、ひずみSOI基板技術、SEMIスタンダードワークショップ「歪Siへの期待-デバイス動向と基板・評価技術の現状」、幕張メッセ国際会議場会議室、2003年12月3日.
高木信一, 水野智久, 手塚勉, 杉山直治, 沼田敏典, 臼田宏治, 中払周, 守山佳彦, 古賀淳二, 田邊顕人, 平下紀夫, 前田辰郎; ひずみSOI MOSFETのチャネル構造設計と作製技術, 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会(SDM) ・応用物理学会シリコンテクノロジー分科会ULSIデバイス研究委員会合同研究会, IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術), 機械振興会館, p. 15-18, 2004年1月16日.
高木信一、ひずみSOI CMOS技術とCMOSチャネルエンジニアリングの方向性、日本学術振興会未踏・ナノデバイステクノロジー第151委員会第67回研究会、伊東温泉ホテル暖香園、p. 8-14、2004年1月29日.
高木信一、トランジスタ・チャネル構造の今後の方向性、STRJワークショップ「半導体技術ロードマップ専門委員会」第一部『ITRS 2003に見る今後のLSI技術の方向性』、ホテル フロラシオン青山、pp. 4H1 - 4H10、2004 3/4-5.
杉山直治,水野智久,守山佳彦,中払周,手塚勉,高木信一; (110)表面を有するひずみSi/SGOI基板の作成技術, 第51回応用物理学会春季学術講演会,東京工科大学, 2004 年 3 月 28-31 日
沼田敏典,水野智久,手塚勉,古賀淳二,高木信一; 極薄膜ひずみSOI p-MOSFETにおけるしきい値制御と短チャネル効果, 第51回応用物理学会春季学術講演会,東京工科大学, 2004 年 3 月 28-31 日
臼田宏治, 沼田典則, 手塚 務, 杉山直治, 守山佳彦, 中払 周, 高木信一; NBD法によるStrained-Si-On-Nothing (SSON)構造のひずみの評価, 第51回応用物理学会春季学術講演会,東京工科大学, 2004 年 3 月 28-31 日
中払 周, 手塚 勉, 杉山 直治, 守山 佳彦, 高木 信一; 酸化濃縮法による高純度Ge-on-Insulator(GOI)層の作製, 第51回応用物理学会春季学術講演会,東京工科大学, 2004 年 3 月 28-31 日
守山佳彦、杉山直治、平下紀夫、中払周、高木信一; ひずみSiGe薄膜成長時の表面ラフネス・界面転位数密度の変化と格子緩和, 第51回応用物理学会春季学術講演会,東京工科大学, 2004 年 3 月 28-31 日
手塚勉、中払周、杉山直治、臼田宏治、平下紀夫、田邊顕人、守山佳彦、高木信一、宮村佳児、豊田英二; 酸化濃縮法による高移動度チャネルCMOS用基板作製技術, 第51回応用物理学会春季学術講演会,東京工科大学, 2004 年 3 月 28-31 日
水野智久,杉山直治, 手塚勉,守山佳彦,中払周,前田辰郎,高木信一; (110)面ひずみ及び無ひずみ素子における正孔移動度特性, 第51回応用物理学会春季学術講演会,東京工科大学, 2004 年 3 月 28-31 日
古賀淳二, 石原貴光, 高木信一; 極薄ゲート酸化膜素子における反転層移動度劣化の起源, 第51回応用物理学会春季学術講演会,東京工科大学, 2004 年 3 月 28-31 日
土屋英昭, 高木信一, 小川真人, 三好旦六; ナノMOSトランジスタのバリスティック極限性能, 第51回応用物理学会春季学術講演会,東京工科大学, 2004 年 3 月 28-31 日
朴敬花, 船尾大輔, 平川一彦, 高木信一; 薄いゲート酸化膜を持つSi-MOSFET 中の電子有効質量, 第51回応用物理学会春季学術講演会,東京工科大学, 2004 年 3 月 28-31 日
高木信一, 極薄GOI (Ge-On-Insulator) チャネルを用いたバリスティックMOSFETの電流駆動力, 第51回応用物理学会春季学術講演会,東京工科大学, 2004 年 3 月 28-31 日
高木信一,極薄GOIチャネルを用いたバリスティックMOSFETの電流駆動力に与える面方位の効果 , 第51回応用物理学会春季学術講演会,東京工科大学, 2004 年 3 月 28-31 日