SSDM Best Student Award (BSA) (2024/9/1)

受賞者：閔　信義 

論文名：Improvement in HZO FeFET-based Reservoir Computing Capacities through Operating Voltage Optimization (SSDM2023) 

第1回 応用物理学会半導体分野将来基金表彰・シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞a） (2024/2/5) 

受賞者： 隅田　圭

第22回IEEE EDS Japan Joint Chapter Student Award (2024/2/16)

受賞者： Z. Cai

論文名： HZO Scaling and Fatigue Recovery in FeFET with Low Voltage Operation: Evidence of Transition from Interface Degradation to Ferroelectric Fatigue, 2023 IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits 

SSDM Best Student Award (BSA) (2023/9/5)

受賞者：陳 家驄

論文名：Mobility Enhancement in Extremely-Thin Body (110) SiGe-on-insulator pMOSFETs using Starting Substrates with Thin SiGe Layers (SSDM2022) 

令和4年工学系研究科長賞（研究）および優秀博士論文賞 (2023/3/23)

受賞者： 隅田 圭

論文名： 極薄膜チャネルの最適設計に基づくSi 基板上 III-V MOSFET の高性能化

(Performance enhancement of III-VMOSFETs on Si substrates based on optimum design of extremely-thin-body channels)

第14回 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞 (2023/3/16)

受賞者： Kei Sumita, Chia-Tsong Chen, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

論文名：Optimum channel design of extremely-thin-body nMOSFETs utilizing anisotropic valley—robust to surface roughness scattering, IEEE Transactions on Electron Devices 69, pp. 2115-2121, Apr. 2022.

第21回IEEE EDS Japan Joint Chapter Student Award (2023/2/16)

受賞者：名幸 瑛心 

論文名： Experimental demonstration of novel scheme of HZO/Si FeFET reservoir computing with parallel data processing for speech recognition  (VLSI Symp. 2022)

第52回応用物理学会講演奨励賞 (2022/9/20)

受賞者：名幸 瑛心 

論文名：強誘電体MFMキャパシタを用いたリザバーコンピューティングの実証と動作電依存性, 名幸 瑛心, トープラサートポン カシディット，王 澤宇，中根 了昌，竹中 充，高木 信一 , 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年3月22-26日

電気学会技術委員会奨励賞 (2022/3/30)

受賞者：隅田 圭 

論文名： InAs-On-Insulatorチャネルの極薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるサブバンド制御を利用したnMOSFETの高性能化, 隅田圭, カシディット　トープラサートポン, 竹中充, 高木信一 , 電気学会電子デバイス研究会，2021年3月3日

令和3年度優秀修士論文賞 (2022/3/24)

受賞者：名幸 瑛心 

論文名： 強誘電体デバイスを用いたリザバーコンピューティングの実験的検証 

(Experimental verification of reservoir computing using ferroelectric devices) (2022) 

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2022/2/8）

受賞者 ： 陳 家驄
論文名 ： Impact of Asymmetric Strain on Performance of Extremely-Thin Body (100) GOI and (110) SGOI pMOSFETs  (VLSI Symp. 2021)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2022/2/8）

受賞者 ： 隅田 圭
論文名 ： Optimum Design of Channel Material and Surface Orientation for Extremely-Thin-Body nMOSFETs under New Modeling of Surface Roughness Scattering (IEDM2021)

The 2020 Roger A. Haken Best Student Paper Award（2021/12/13）

受賞者 ： 隅田　圭
論文名 ： "Subband engineering by combination of channel thickness scaling and (111) surface orientation in InAs-on-insulator nMOSFETs", K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi (IEDM2020)

令和3年度優秀博士論文賞 (2021/9/24)

受賞者：Tsung-En Lee (李 宗恩)

論文名： “Study on SiGe high-k and ferroelectric MOS interfaces for their FET applications

(SiGeとhigh-k及び強誘電体とのMOS界面とそのFET応用に関する応用に関する研究)” (2021)

SDM研究会 第8回若手優秀発表賞 （2021/6/22）

受賞者 ： トープラサートポン　カシディット
論文名 ： 「Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響」（電子情報通信学会 ICD/SDM/ITE-IST研究会、pp. 3-7、2020年8月6-7日） 

応用物理学会講演奨励賞（2021/3）
受賞者 ： Tsung-En Lee
論文名 ：”Impact of ALD high-k materials on SiGe MOS interface properties with TiN gate”, T.-E. Lee, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi (2020年秋季応用物理学会)

第44回学校法人東京電機大学学術振興基金・丹羽保次郎記念論文賞（2021/3）

受賞者 ： 柯　夢南
論文名 ： “Reduction of slow trap density in Al2O3/GeOxNy/n-Ge MOS interfaces by PPN-PPO process”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 66, Issue 12, pp. 5060-5064 (2019).

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2021/2/10）

受賞者 ： 隅田　圭
論文名 ： "Subband engineering by combination of channel thickness scaling and (111) surface orientation in InAs-on-insulator nMOSFETs", K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi (IEDM2020)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2021/2/10）

受賞者 ： 名幸　瑛心
論文名 ： "Proposal and Experimental Demonstration of Reservoir Computing using Hf0.5Zr0.5O2/Si FeFETs for Neuromorphic Applications", E. Nako, K. Toprasertpong, R. Nakane, Z. Wang, Y. Miyatake, M. Takenaka, and S. Takagi (VLSI Symp. 2020)

2019年度工学系研究科長賞・優秀修士論文賞（2020/3）

受賞者 ： 隅田　圭
論文名 ： "Smart cut法によるInAs-On-Insulator MOSFETの実現"

電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ優秀学生修了表彰（2020/3）

受賞者 ： 隅田　圭
論文名 ： "Smart cut法によるInAs-On-Insulator MOSFETの実現"

第11回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞 （2020/3/13）

受賞者 ： 加藤 公彦
論文名 ： Kimihiko Kato, Hiroaki Matsui, Hitoshi Tabata, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, “ZnO/Si and ZnO/Ge bilayer tunneling field effect transistors: Experimental characterization of electrical properties”, Journal of Applied Physics, vol. 125, pp. 195701-1-10, May 2019 

応用物理学会講演奨励賞　（2020/3/12）
受賞者 ： 隅田　圭
論文名 ：”Smart Cut法により作製したInAs-On-Insulator基板への熱処理の影響”、隅田 圭, 竹安 淳, 加藤 公彦, トープラサートポン カシディット, 竹中 充, 高木 信一 (2019年秋季応用物理学会)

2018年度APEX/JJAP編集貢献賞 (APEX/JJAP Editorial Contribution Award) （2019/3/9）

受賞者 ： 高木信一

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2020/02/07）

受賞者 ： Tsung-En Lee
論文名 ： "Improvement of SiGe MOS interface properties with a wide range of Ge contents by using TiN/Y2O3 gate stacks with TMA passivation", T.-E. Lee, K. Kato, M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi (VLSI Symp. 2019)

井上研究奨励賞（2019/2/4）

(井上科学振興財団)

受賞者 ： トープラサートポン カシディット 

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2019/1/25）

受賞者 ： Mengnan Ke
論文名 ： "Characterization and understanding of slow traps in GeOx-based n-Ge MOS interfaces", M. Ke, P. Cheng, K. Kato, M. Takenaka, and S. Takagi (IEDM2018)

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Young Researcher Award （2019/9/3）

受賞者 ： Kimihiko Kato
論文名 ： “Impact of channel thickness fluctuation on performance of bilayer tunneling field effect transistors”, K. Kato, H. Matsui, H. Tabata, M. Takenaka, and S. Takagi (SSDM2018)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2019/1/25）

受賞者 ： Kwang-Won Jo
論文名 ： "Hole mobility enhancement in extremely-thin-body strained GOI and SGOI pMOSFETs by improved Ge condensation method", K.-W.Jo, W-K. Kim, M. Takenaka, and S. Takagi (VLSI Symp. 2018)

応用物理学会講演奨励賞（2019/3/9）
受賞者 ： 安 大煥
論文名 ：”ZrO2 ゲートスタックによる Planar-type InGaAs TFET の Sub-60mV/dec 特性の実現 ”, 安 大煥 ,尹 尚希，加藤 公彦，福井 太一郎，竹中 充，高木 信一  (2018年秋季応用物理学会)

第9回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞（2018/3/19）

受賞者 ： Jae-Hoon Han, Frederic Boeuf, Junichi Fujikata, Shigeki Takahashi, Shinichi Takagi, Mitsuru Takenaka

論文名： “Efficient low-loss InGaAsP/Si hybrid MOS optical modulator”, Nature Photonics, vol. 11, No. 8, pp. 486–490, Jul. 2017.

応用物理学会講演奨励賞（2018/3/17）
受賞者 ： 柯 夢南
論文名 ：「ALD Al2O3/GeOx/Ge界面の電子と正孔に対する遅い準位の物理的起源に関する考察」, 柯夢南, 竹中充, 高木信一（2017年秋季応用物理学会)

2017年度優秀卒業論文賞 （2018/3）

受賞者 ： 隅田　圭
論文名 ： "InAs on Insulator構造の作製とトランジスタ応用 "

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2018/2/2）

受賞者 ：Wu-Kang Kim
論文名 ： "High Performance 4.5-nm-Thick Compressively-Strained Ge-on-Insulator pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation with Optimized Temperature Control", W.-K. Kim, M. Takenaka and S. Takagi (VLSI Symp. 2017)

Solid-State Electronics Editors' Choice 2016

論文名：S. Takagi, M. Noguchi, M. Kim, S.-H. Kim, C.-Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke, M. Takenaka, “III-V/Ge MOS device technologies for low power integrated systems”, Volume 125, November 2016, Pages 82–102

http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S003811011630082X

応用物理学会講演奨励賞（2017/9/5）
受賞者 ： 金 佑彊
論文名 ：”酸化濃縮プロセスにおける冷却方法がGOI中の圧縮ひずみに及ぼす効果”, 金 佑彊, 竹中 充，高木 信一  (2017年春季：応用物理学会)

紫綬褒章（2017/4/29）

受賞者 ： 高木信一

受賞理由：キャリア輸送特性の明確化・モデル化による高性能MOSトランジスタの開発

応用物理学会講演奨励賞（2017/3/14）
受賞者 ： 韓　在勲
論文名 ：”貼り合わせInGaAsP/SiハイブリッドMOS型光変調器に関する検討”, 韓在勲, 竹中充，高木 信一 （2017年秋季応用物理学会）

平成28年度学科長特別賞・平成28年度 電気学会東京支部 電気学術女性活動奨励賞（2017/3）

（電気学会）

受賞者 ： 横山　千晶

論文名： “high-k/InxGa1-xAs MOS界面準位に対する前処理の効果とその物理モデル”

平成28年度優秀卒業論文賞（2017/3）

受賞者 ： 横山 千晶

論文名： “high-k/InxGa1-xAs MOS界面準位に対する前処理の効果とその物理モデル”

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2017/2/15）
受賞者 ： J.-H. Han
論文名 ："Extremely High Modulation Efficiency III-V/Si Hybrid MOS Optical Modulator Fabricated by Direct Wafer Bonding"(IEDM2016）

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2017/2/15）

受賞者 ： C.-Y. Chang
論文名 ： “Impact of La2O3/InGaAs MOS Interface on InGaAs MOSFET Performance and its Application to InGaAs Negative Capacitance FET”, C.-Y. Chang, K. Endo, K. Kato, C. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi（IEDM2016）

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2017/2/15）

受賞者 ： Dae-Hwan Ahn
論文名 ： "Performance improvement of InxGa1‐xAs Tunnel FETs with Quantum Well and EOT scaling", D.-H. Ahn, S. M. Ji, M. Takenaka, and S. Takagi (VLSI Symp. 2016)

「電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-」安田賞（2017/1/21）

受賞者：尹尚希

 講演名：電気的ストレスがAl2O3/InGaAs MOS 界面とInGaAs トンネルFET に与える影響

The 2015 Roger A. Haken Best Student Paper Award

受賞者 ： Xiao Yu
論文名 : "Experimental Study on Carrier Transport Properties in Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator (GOI) p-MOSFETs with GOI Thickness down to 2nm”"
(IEDM2015)

植之原留学生学術奨励賞

受賞者 ： 亢　健
論文名 : "Ge-on-insulator基板を用いたGe CMOSフォトニクスに関する研究"
(2015：電気電子情報学術振興財団)

平成26年度優秀修士論文賞

優秀修士論文賞
受賞者 ： 西　康一
論文名 ： "Sb系半導体を用いたSi上III-V-On- Insulator MOSFETの研究"
(2015：学内)

平成26年度優秀博士論文賞

優秀博士論文賞
受賞者 ： 金　栄現
論文名 ： "SiGe光変調器／減衰器に向けた歪誘起によるプラズマ分散効果及び自由キャリア吸収増大に関する研究"
(2015：学内)

科学技術分野の文部科学大臣表彰における科学技術賞・研究部門

 受賞者 ：高木　信一
業績名 ：CMOS中のキャリア輸送特性の理解と高性能化に関する研究
（2015：科学技術分野の文部科学大臣表彰）

第6回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞

受賞者 ：SangHyeon Kim(First Author), Yuki Ikku, Masafumi Yokoyama, Ryosho Nakane, Jian Li, Yung-Chung Kao, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi
論文名 ："Direct wafer bonding technology for large-scale InGaAs-on-insulator transistors,"
APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 105, 043504 (2014).
（2015：応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会）

EDS Paul Rappaport Award

受賞者 ：R. Zhang,
共著者 ：P.-C. Huang, J.-C. Lin, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi,
論文名 ："High-Mobility Ge p- and n-MOSFETs With 0.7-nm EOT Using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Postoxidation,"
IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 60, no. 3, pp. 927 – 934, 2013.
DOI: 10.1109/TED.2013.2238942（2014：IEDM）

植之原留学生学術奨励賞

受賞者 ： 程　勇鵬　(2014：電気電子情報学術振興財団)

平成25年度優秀修士論文賞・優秀博士論文賞・工学系研究科長賞（研究最優秀）

優秀修士論文賞　受賞者 ： ハン　ジェフン
論文名 ： "プラズマ後窒化を用いたhigh-k/SiGe MOS界面の研究"(2014：学内)

優秀博士論文賞　受賞者 ： 田中丸　周平
論文名 ： "高信頼ソリッド・ステート・ストレージシステムに関する研究"(2014：学内)

優秀博士論文賞・工学系研究科長賞（研究最優秀）　受賞者 ： 金　相賢
論文名 ： "プラットフォーム上III-VロジックLSIの為のInGaAs-On-Insulator MOSFET に関する研究"(2014：学内)

第20回シリコンフォトニクス研究会　若手ポスター賞

 受賞者 ：亢 健
論文名 ：”GeOxパッシベーションによるGe MSM光受光器の暗電流削減”
Affiliation : 東京大学 大学院工学系研究科(2013：シリコンフォトニクス研究会)

2013 IEEE Andrew S. Grove AWARD

受賞者 ：高木　信一
業績名 ：”For contributions to the understanding of transport properties in inversion layers of high-performance MOSFETs.”
Affiliation : IEEE(2013)

第60回（2013年春季）応用物理学会POSTER Award

受賞者 ：CHANG, Chih-Yu（チョウ・シウ）
共著者 ：M.Yokoyama , S.-H.Kim, O,Ichikawa, T.Osada, M.Hata, M. Takenaka and S. Takagi
論文名 ：”Impact of metal gate electrodes on electrical properties of InGaAs MOS gate stacks”
Winners ; Chin.-Yu Chang , Masafumi Yokoyama , Sang-Hyeon Kim, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
Affiliation : The University of Tokyo (2013：応用物理学会)

平成24年度優秀修士論文賞

 受賞者 ： 野口 宗隆
論文名 ： "Zn拡散により形成したp型ソース領域をもつプレーナ型InGaAs TFET"
( Planer-type InGaAs TFETs with source regions formed by Zn diffusion. ) (2013：学内)

平成24年度 電気学会東京支部

電気学術女性活動奨励賞

受賞者 ： 吉田 望（2013：電気学会）

第60回（2013年春季）応用物理学会講演奨励賞

受賞者 ： Zhang Rui（ジャーン・ルイ）
論文名 ：”High Mobility Ge pMOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks”
共著者 ：J. C. Lin, P. C. Huang, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi (2013：応用物理学会)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award

受賞者 ： Sang-Hyeon Kim（キム・サンヒョン）
論文名 ： "Sub-60 nm deeply scaled Extremely-thin Body InxGa1-xAs-On-Insulator MOSFETs on a Si substrate with Ni-InGaAs metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering"
共著者 ： M. Yokoyama, N. Taoka, R. Nakane, T. Yasuda, O.Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi(2012 : VLSI symp.)

IEEE EDS Japan Chapter Best Student Paper Award

受賞者 ： Zhang Rui（ジャーン・ルイ）
論文名 ： "High Mobility Ge pMOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation"
共著者 ： P. C. Huang, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi(2012 : VLSI symp.)

工学系研究科長賞

受賞者 ： Zhang Rui（ジャーン・ルイ）
論文名 ： "Formation of Ge Gate Stack Structures by Plasma Post Oxidation and Their Applications to Ge CMOS Devices" (2012：学内)

第12回　山崎貞一賞

受賞者：　高木　信一
業績名：　"Si MOSFETのチャネル内キャリア輸送特性の解明と高移動度化への先駆的貢献" (2012)
第12回（平成24年度）山崎貞一賞　半導体及び半導体装置分野 

Nanoelectronics IX, The Best Paper Award

受賞者 ：高木　信一
共著者 ：R.Zhang, T.Hoshii, N.Taoka and M.Takenaka
論文名 ： "MOS Interface Control Technologies for III-V/Ge Channel MOSFETs," (2011)

応用物理学会　講演奨励賞

受賞者：SangHyeon KIM（金　相賢）
論文名：”MOS界面バッファ層の導入とチャネルIn組成変調による極薄膜InxGa1-xAs-OI MOSFETの高性能化”（2012:応用物理学会）

The INC8 Japan Nano Day Best Poster Award

 受賞者 ： SangHoon Shin
論文名 ： "Experimental Characterization of MOS Interface Charges using Potential Fluctuation in Conductance Measurement" (2012)

優秀卒論賞・工学部長賞

受賞者 ： Han jaehoon（ハン　ジェフン） 論文名 ： "MOS型光変調器実現に向けたSiGe MOS界面に関する研究" (2012：学内)

工学系研究科長賞（研究）

受賞者 ： 鈴木　麗菜
論文名 ： "高誘電体膜を用いたInGaAs MOS構造の界面制御と絶縁膜薄膜化" (2012：学内)

グローバルCOEプログラム優秀論文発表賞

受賞者 ： SangHyeon KIM（金　相賢）
論文名 ： "III-V-OI MOSFETでの移動度向上技術" (2012：学内GCOE)

2011年度固体エレクトロニクス・光エレクトロニクス研究会・論文賞

受賞者 ： Zhang Rui（ジャーン・ルイ）
論文名 ： "プラスマ後酸化法による1 nm EOT Al2O3 /GeOxゲートスタックを用いた高移動度Ge CMOS" (2012：学内)

第3回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞

受賞者 ： 張　睿，岩崎敬志，田岡紀之，竹中　充，高木信一
論文名 ： "Al2O3 /GeOx/Ge Gate Stacks with Low Interface Trap Density Fabricated by Electron Cyclotron Resonance Plasma Post Oxidation" , Appl. Phys. Lett., vol. 98, 112902 (2011：応用物理学会)

応用物理学会　講演奨励賞

 受賞者 ： 横山　正史
共著者 ： 金　相賢，張　睿，田岡紀之，卜部友二，前田辰郎，高木秀樹，安田哲二，山田　永，市川　磨，福原　昇，秦　雅彦，杉山正和，中野義昭，竹中　充，高木信一
論文名 ： "基板貼り合わせ法を用いたIII-V/Ge CMOS トランジスタ集積化", 1a-P7-7 (2011：応用物理学会)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award

受賞者 ： SangHyeon KIM（金　相賢）
論文名 ： "High Performance Extremely-Thin Body III-V-On-Insulator MOSFETs on a Si Substrate with Ni-InGaAs　Metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering"
受賞者 ： Zhang Rui（ジャーン・ルイ）
論文名 ： "High Mobility Ge pMOSFETs with ~ 1nm Thin EOT Using Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation"
IEDM (2011)

工学系研究科長賞（研究）

受賞者 ： Junkyo Suh
論文名 ： "Strain Engineered Silicon Germanium on Insulator P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor by Ge Condensation (酸化濃縮法を用いた歪制御SiGe-On-Insulator PMOSFET)" (2011：学内)

VLSIシンポジウム・ハイライト論文

発表者 ： SangHyeon KIM（金　相賢）
論文名 ： "High Performance Extremely-Thin Body III-V-On- Insulator MOSFETs on a Si Substrate with Ni-InGaAs Metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering"VLSI symposium(2011)

工学系研究科長賞（研究）・平成22年度優秀修士論文賞

受賞者  SangHyeon KIM（金　相賢） 論文名 ： "Metal Source/Drain In III-V MOSFETs using Metal semiconductor Alloy" (2011：学内)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award

受賞者 ： SangHyeon KIM（金　相賢）
論文名 ： "Self-aligned Metal Source/Drain InXGa1-XAs n-MOSFETs Using Ni-InGaAs Alloy"IEDM (2010)

IEDM・ハイライト論文

発表者 ： Masafumi YOKOYAMA（横山　正史） 論文名 ： "Extremely-Thin-Body InGaAs-On-Insulator MOSFETs on Si Fabricated by Direct Wafer Bonding"IEDM (2010)

VLSIシンポジウム・ハイライト論文

発表者 ： Masafumi YOKOYAMA（横山　正史） 論文名 ： "次世代LSIに向けたSi基板上に集積されたIII-V-OIチャネルMOSトランジスタの開発"VLSI symposium(2010) 掲載媒体 ： 日経産業新聞（2010/6/25）化學工業日報（2010/6/16)　日刊工業新聞（2010/6/16）

平成21年度優秀修士論文賞

受賞者 ： Kiyohito MORII（森井　清仁）
論文名 ： "気相ドーピング法によって形成したソース・ドレイン接合を有する高性能 GeO2/Ge nMOSFETs "(2010：学内)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award

受賞者 ： Kiyohito MORII（森井　清仁）
論文名 ： "High Performance GeO2/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping"(2009 IEDM)

2009 SSDM Paper Award

受賞者 ：池田圭司、山下良美、原田真臣、山本豊二、中払周、平下紀夫、守山佳彦、手塚勉、田岡紀之、渡辺一世、広瀬信光、杉山直治、高木信一
論文名：
"High Mobility sub-60nm Gate Length Germanium-On-Insulator Channel pMOSFETs with Metal Source/Drain and TaN MIPS Gate "(SSDM (2008) p. 32-33)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award

受賞者 ： Yosuke NAKAKITA（中北　要佑）

第1回 応用物理学会半導体分野将来基金表彰・シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞a） (2024/2/5) 

受賞者： 隅田　圭

第22回IEEE EDS Japan Joint Chapter Student Award (2024/2/16)

受賞者： Z. Cai

論文名： HZO Scaling and Fatigue Recovery in FeFET with Low Voltage Operation: Evidence of Transition from Interface Degradation to Ferroelectric Fatigue, 2023 IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits 

SSDM Best Student Award (BSA) (2023/9/5)

受賞者：陳 家驄

論文名：Mobility Enhancement in Extremely-Thin Body (110) SiGe-on-insulator pMOSFETs using Starting Substrates with Thin SiGe Layers (SSDM2022) 

令和4年工学系研究科長賞（研究）および優秀博士論文賞 (2023/3/23)

受賞者： 隅田 圭

論文名： 極薄膜チャネルの最適設計に基づくSi 基板上 III-V MOSFET の高性能化

(Performance enhancement of III-VMOSFETs on Si substrates based on optimum design of extremely-thin-body channels)

第14回 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞 (2023/3/16)

受賞者： Kei Sumita, Chia-Tsong Chen, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

論文名：Optimum channel design of extremely-thin-body nMOSFETs utilizing anisotropic valley—robust to surface roughness scattering, IEEE Transactions on Electron Devices 69, pp. 2115-2121, Apr. 2022.

第21回IEEE EDS Japan Joint Chapter Student Award (2023/2/16)

受賞者：名幸 瑛心 

論文名： Experimental demonstration of novel scheme of HZO/Si FeFET reservoir computing with parallel data processing for speech recognition  (VLSI Symp. 2022)

第52回応用物理学会講演奨励賞 (2022/9/20)

受賞者：名幸 瑛心 

論文名：強誘電体MFMキャパシタを用いたリザバーコンピューティングの実証と動作電依存性, 名幸 瑛心, トープラサートポン カシディット，王 澤宇，中根 了昌，竹中 充，高木 信一 , 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年3月22-26日

電気学会技術委員会奨励賞 (2022/3/30)

受賞者：隅田 圭 

論文名： InAs-On-Insulatorチャネルの極薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるサブバンド制御を利用したnMOSFETの高性能化, 隅田圭, カシディット　トープラサートポン, 竹中充, 高木信一 , 電気学会電子デバイス研究会，2021年3月3日

令和3年度優秀修士論文賞 (2022/3/24)

受賞者：名幸 瑛心 

論文名： 強誘電体デバイスを用いたリザバーコンピューティングの実験的検証 

(Experimental verification of reservoir computing using ferroelectric devices) (2022) 

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2022/2/8）

受賞者 ： 陳 家驄
論文名 ： Impact of Asymmetric Strain on Performance of Extremely-Thin Body (100) GOI and (110) SGOI pMOSFETs  (VLSI Symp. 2021)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2022/2/8）

受賞者 ： 隅田 圭
論文名 ： Optimum Design of Channel Material and Surface Orientation for Extremely-Thin-Body nMOSFETs under New Modeling of Surface Roughness Scattering (IEDM2021)

The 2020 Roger A. Haken Best Student Paper Award（2021/12/13）

受賞者 ： 隅田　圭
論文名 ： "Subband engineering by combination of channel thickness scaling and (111) surface orientation in InAs-on-insulator nMOSFETs", K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi (IEDM2020)

令和3年度優秀博士論文賞 (2021/9/24)

受賞者：Tsung-En Lee (李 宗恩)

論文名： “Study on SiGe high-k and ferroelectric MOS interfaces for their FET applications

(SiGeとhigh-k及び強誘電体とのMOS界面とそのFET応用に関する応用に関する研究)” (2021)

SDM研究会 第8回若手優秀発表賞 （2021/6/22）

受賞者 ： トープラサートポン　カシディット
論文名 ： 「Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響」（電子情報通信学会 ICD/SDM/ITE-IST研究会、pp. 3-7、2020年8月6-7日） 

応用物理学会講演奨励賞（2021/3）
受賞者 ： Tsung-En Lee
論文名 ：”Impact of ALD high-k materials on SiGe MOS interface properties with TiN gate”, T.-E. Lee, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi (2020年秋季応用物理学会)

第44回学校法人東京電機大学学術振興基金・丹羽保次郎記念論文賞（2021/3）

受賞者 ： 柯　夢南
論文名 ： “Reduction of slow trap density in Al2O3/GeOxNy/n-Ge MOS interfaces by PPN-PPO process”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 66, Issue 12, pp. 5060-5064 (2019).

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2021/2/10）

受賞者 ： 隅田　圭
論文名 ： "Subband engineering by combination of channel thickness scaling and (111) surface orientation in InAs-on-insulator nMOSFETs", K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi (IEDM2020)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2021/2/10）

受賞者 ： 名幸　瑛心
論文名 ： "Proposal and Experimental Demonstration of Reservoir Computing using Hf0.5Zr0.5O2/Si FeFETs for Neuromorphic Applications", E. Nako, K. Toprasertpong, R. Nakane, Z. Wang, Y. Miyatake, M. Takenaka, and S. Takagi (VLSI Symp. 2020)

2019年度工学系研究科長賞・優秀修士論文賞（2020/3）

受賞者 ： 隅田　圭
論文名 ： "Smart cut法によるInAs-On-Insulator MOSFETの実現"

電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ優秀学生修了表彰（2020/3）

受賞者 ： 隅田　圭
論文名 ： "Smart cut法によるInAs-On-Insulator MOSFETの実現"

第11回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞 （2020/3/13）

受賞者 ： 加藤 公彦
論文名 ： Kimihiko Kato, Hiroaki Matsui, Hitoshi Tabata, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, “ZnO/Si and ZnO/Ge bilayer tunneling field effect transistors: Experimental characterization of electrical properties”, Journal of Applied Physics, vol. 125, pp. 195701-1-10, May 2019 

応用物理学会講演奨励賞　（2020/3/12）
受賞者 ： 隅田　圭
論文名 ：”Smart Cut法により作製したInAs-On-Insulator基板への熱処理の影響”、隅田 圭, 竹安 淳, 加藤 公彦, トープラサートポン カシディット, 竹中 充, 高木 信一 (2019年秋季応用物理学会)

2018年度APEX/JJAP編集貢献賞 (APEX/JJAP Editorial Contribution Award) （2019/3/9）

受賞者 ： 高木信一

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2020/02/07）

受賞者 ： Tsung-En Lee
論文名 ： "Improvement of SiGe MOS interface properties with a wide range of Ge contents by using TiN/Y2O3 gate stacks with TMA passivation", T.-E. Lee, K. Kato, M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi (VLSI Symp. 2019)

井上研究奨励賞（2019/2/4）

(井上科学振興財団)

受賞者 ： トープラサートポン カシディット 

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2019/1/25）

受賞者 ： Mengnan Ke
論文名 ： "Characterization and understanding of slow traps in GeOx-based n-Ge MOS interfaces", M. Ke, P. Cheng, K. Kato, M. Takenaka, and S. Takagi (IEDM2018)

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Young Researcher Award （2019/9/3）

受賞者 ： Kimihiko Kato
論文名 ： “Impact of channel thickness fluctuation on performance of bilayer tunneling field effect transistors”, K. Kato, H. Matsui, H. Tabata, M. Takenaka, and S. Takagi (SSDM2018)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2019/1/25）

受賞者 ： Kwang-Won Jo
論文名 ： "Hole mobility enhancement in extremely-thin-body strained GOI and SGOI pMOSFETs by improved Ge condensation method", K.-W.Jo, W-K. Kim, M. Takenaka, and S. Takagi (VLSI Symp. 2018)

応用物理学会講演奨励賞（2019/3/9）
受賞者 ： 安 大煥
論文名 ：”ZrO2 ゲートスタックによる Planar-type InGaAs TFET の Sub-60mV/dec 特性の実現 ”, 安 大煥 ,尹 尚希，加藤 公彦，福井 太一郎，竹中 充，高木 信一  (2018年秋季応用物理学会)

第9回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞（2018/3/19）

受賞者 ： Jae-Hoon Han, Frederic Boeuf, Junichi Fujikata, Shigeki Takahashi, Shinichi Takagi, Mitsuru Takenaka

論文名： “Efficient low-loss InGaAsP/Si hybrid MOS optical modulator”, Nature Photonics, vol. 11, No. 8, pp. 486–490, Jul. 2017.

応用物理学会講演奨励賞（2018/3/17）
受賞者 ： 柯 夢南
論文名 ：「ALD Al2O3/GeOx/Ge界面の電子と正孔に対する遅い準位の物理的起源に関する考察」, 柯夢南, 竹中充, 高木信一（2017年秋季応用物理学会)

2017年度優秀卒業論文賞 （2018/3）

受賞者 ： 隅田　圭
論文名 ： "InAs on Insulator構造の作製とトランジスタ応用 "

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2018/2/2）

受賞者 ：Wu-Kang Kim
論文名 ： "High Performance 4.5-nm-Thick Compressively-Strained Ge-on-Insulator pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation with Optimized Temperature Control", W.-K. Kim, M. Takenaka and S. Takagi (VLSI Symp. 2017)

Solid-State Electronics Editors' Choice 2016

論文名：S. Takagi, M. Noguchi, M. Kim, S.-H. Kim, C.-Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke, M. Takenaka, “III-V/Ge MOS device technologies for low power integrated systems”, Volume 125, November 2016, Pages 82–102

http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S003811011630082X

応用物理学会講演奨励賞（2017/9/5）
受賞者 ： 金 佑彊
論文名 ：”酸化濃縮プロセスにおける冷却方法がGOI中の圧縮ひずみに及ぼす効果”, 金 佑彊, 竹中 充，高木 信一  (2017年春季：応用物理学会)

紫綬褒章（2017/4/29）

受賞者 ： 高木信一

受賞理由：キャリア輸送特性の明確化・モデル化による高性能MOSトランジスタの開発

応用物理学会講演奨励賞（2017/3/14）
受賞者 ： 韓　在勲
論文名 ：”貼り合わせInGaAsP/SiハイブリッドMOS型光変調器に関する検討”, 韓在勲, 竹中充，高木 信一 （2017年秋季応用物理学会）

平成28年度学科長特別賞・平成28年度 電気学会東京支部 電気学術女性活動奨励賞（2017/3）

（電気学会）

受賞者 ： 横山　千晶

論文名： “high-k/InxGa1-xAs MOS界面準位に対する前処理の効果とその物理モデル”

平成28年度優秀卒業論文賞（2017/3）

受賞者 ： 横山 千晶

論文名： “high-k/InxGa1-xAs MOS界面準位に対する前処理の効果とその物理モデル”

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2017/2/15）
受賞者 ： J.-H. Han
論文名 ："Extremely High Modulation Efficiency III-V/Si Hybrid MOS Optical Modulator Fabricated by Direct Wafer Bonding"(IEDM2016）

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2017/2/15）

受賞者 ： C.-Y. Chang
論文名 ： “Impact of La2O3/InGaAs MOS Interface on InGaAs MOSFET Performance and its Application to InGaAs Negative Capacitance FET”, C.-Y. Chang, K. Endo, K. Kato, C. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi（IEDM2016）

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2017/2/15）

受賞者 ： Dae-Hwan Ahn
論文名 ： "Performance improvement of InxGa1‐xAs Tunnel FETs with Quantum Well and EOT scaling", D.-H. Ahn, S. M. Ji, M. Takenaka, and S. Takagi (VLSI Symp. 2016)

「電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-」安田賞（2017/1/21）

受賞者：尹尚希

 講演名：電気的ストレスがAl2O3/InGaAs MOS 界面とInGaAs トンネルFET に与える影響

The 2015 Roger A. Haken Best Student Paper Award

受賞者 ： Xiao Yu
論文名 : "Experimental Study on Carrier Transport Properties in Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator (GOI) p-MOSFETs with GOI Thickness down to 2nm”"
(IEDM2015)

植之原留学生学術奨励賞

受賞者 ： 亢　健
論文名 : "Ge-on-insulator基板を用いたGe CMOSフォトニクスに関する研究"
(2015：電気電子情報学術振興財団)

平成26年度優秀修士論文賞

優秀修士論文賞
受賞者 ： 西　康一
論文名 ： "Sb系半導体を用いたSi上III-V-On- Insulator MOSFETの研究"
(2015：学内)

平成26年度優秀博士論文賞

優秀博士論文賞
受賞者 ： 金　栄現
論文名 ： "SiGe光変調器／減衰器に向けた歪誘起によるプラズマ分散効果及び自由キャリア吸収増大に関する研究"
(2015：学内)

科学技術分野の文部科学大臣表彰における科学技術賞・研究部門

 受賞者 ：高木　信一
業績名 ：CMOS中のキャリア輸送特性の理解と高性能化に関する研究
（2015：科学技術分野の文部科学大臣表彰）

第6回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞

受賞者 ：SangHyeon Kim(First Author), Yuki Ikku, Masafumi Yokoyama, Ryosho Nakane, Jian Li, Yung-Chung Kao, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi
論文名 ："Direct wafer bonding technology for large-scale InGaAs-on-insulator transistors,"
APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 105, 043504 (2014).
（2015：応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会）

EDS Paul Rappaport Award

受賞者 ：R. Zhang,
共著者 ：P.-C. Huang, J.-C. Lin, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi,
論文名 ："High-Mobility Ge p- and n-MOSFETs With 0.7-nm EOT Using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Postoxidation,"
IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 60, no. 3, pp. 927 – 934, 2013.
DOI: 10.1109/TED.2013.2238942（2014：IEDM）

植之原留学生学術奨励賞

受賞者 ： 程　勇鵬　(2014：電気電子情報学術振興財団)

平成25年度優秀修士論文賞・優秀博士論文賞・工学系研究科長賞（研究最優秀）

優秀修士論文賞　受賞者 ： ハン　ジェフン
論文名 ： "プラズマ後窒化を用いたhigh-k/SiGe MOS界面の研究"(2014：学内)

優秀博士論文賞　受賞者 ： 田中丸　周平
論文名 ： "高信頼ソリッド・ステート・ストレージシステムに関する研究"(2014：学内)

優秀博士論文賞・工学系研究科長賞（研究最優秀）　受賞者 ： 金　相賢
論文名 ： "プラットフォーム上III-VロジックLSIの為のInGaAs-On-Insulator MOSFET に関する研究"(2014：学内)

第20回シリコンフォトニクス研究会　若手ポスター賞

 受賞者 ：亢 健
論文名 ：”GeOxパッシベーションによるGe MSM光受光器の暗電流削減”
Affiliation : 東京大学 大学院工学系研究科(2013：シリコンフォトニクス研究会)

2013 IEEE Andrew S. Grove AWARD

受賞者 ：高木　信一
業績名 ：”For contributions to the understanding of transport properties in inversion layers of high-performance MOSFETs.”
Affiliation : IEEE(2013)

第60回（2013年春季）応用物理学会POSTER Award

受賞者 ：CHANG, Chih-Yu（チョウ・シウ）
共著者 ：M.Yokoyama , S.-H.Kim, O,Ichikawa, T.Osada, M.Hata, M. Takenaka and S. Takagi
論文名 ：”Impact of metal gate electrodes on electrical properties of InGaAs MOS gate stacks”
Winners ; Chin.-Yu Chang , Masafumi Yokoyama , Sang-Hyeon Kim, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
Affiliation : The University of Tokyo (2013：応用物理学会)

平成24年度優秀修士論文賞

 受賞者 ： 野口 宗隆
論文名 ： "Zn拡散により形成したp型ソース領域をもつプレーナ型InGaAs TFET"
( Planer-type InGaAs TFETs with source regions formed by Zn diffusion. ) (2013：学内)

平成24年度 電気学会東京支部

電気学術女性活動奨励賞

受賞者 ： 吉田 望（2013：電気学会）

第60回（2013年春季）応用物理学会講演奨励賞

受賞者 ： Zhang Rui（ジャーン・ルイ）
論文名 ：”High Mobility Ge pMOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks”
共著者 ：J. C. Lin, P. C. Huang, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi (2013：応用物理学会)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award

受賞者 ： Sang-Hyeon Kim（キム・サンヒョン）
論文名 ： "Sub-60 nm deeply scaled Extremely-thin Body InxGa1-xAs-On-Insulator MOSFETs on a Si substrate with Ni-InGaAs metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering"
共著者 ： M. Yokoyama, N. Taoka, R. Nakane, T. Yasuda, O.Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi(2012 : VLSI symp.)

IEEE EDS Japan Chapter Best Student Paper Award

受賞者 ： Zhang Rui（ジャーン・ルイ）
論文名 ： "High Mobility Ge pMOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation"
共著者 ： P. C. Huang, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi(2012 : VLSI symp.)

工学系研究科長賞

受賞者 ： Zhang Rui（ジャーン・ルイ）
論文名 ： "Formation of Ge Gate Stack Structures by Plasma Post Oxidation and Their Applications to Ge CMOS Devices" (2012：学内)

第12回　山崎貞一賞

受賞者：　高木　信一
業績名：　"Si MOSFETのチャネル内キャリア輸送特性の解明と高移動度化への先駆的貢献" (2012)
第12回（平成24年度）山崎貞一賞　半導体及び半導体装置分野 

Nanoelectronics IX, The Best Paper Award

受賞者 ：高木　信一
共著者 ：R.Zhang, T.Hoshii, N.Taoka and M.Takenaka
論文名 ： "MOS Interface Control Technologies for III-V/Ge Channel MOSFETs," (2011)

応用物理学会　講演奨励賞

受賞者：SangHyeon KIM（金　相賢）
論文名：”MOS界面バッファ層の導入とチャネルIn組成変調による極薄膜InxGa1-xAs-OI MOSFETの高性能化”（2012:応用物理学会）

The INC8 Japan Nano Day Best Poster Award

 受賞者 ： SangHoon Shin
論文名 ： "Experimental Characterization of MOS Interface Charges using Potential Fluctuation in Conductance Measurement" (2012)

優秀卒論賞・工学部長賞

受賞者 ： Han jaehoon（ハン　ジェフン） 論文名 ： "MOS型光変調器実現に向けたSiGe MOS界面に関する研究" (2012：学内)

工学系研究科長賞（研究）

受賞者 ： 鈴木　麗菜
論文名 ： "高誘電体膜を用いたInGaAs MOS構造の界面制御と絶縁膜薄膜化" (2012：学内)

グローバルCOEプログラム優秀論文発表賞

受賞者 ： SangHyeon KIM（金　相賢）
論文名 ： "III-V-OI MOSFETでの移動度向上技術" (2012：学内GCOE)

2011年度固体エレクトロニクス・光エレクトロニクス研究会・論文賞

受賞者 ： Zhang Rui（ジャーン・ルイ）
論文名 ： "プラスマ後酸化法による1 nm EOT Al2O3 /GeOxゲートスタックを用いた高移動度Ge CMOS" (2012：学内)

第3回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞

受賞者 ： 張　睿，岩崎敬志，田岡紀之，竹中　充，高木信一
論文名 ： "Al2O3 /GeOx/Ge Gate Stacks with Low Interface Trap Density Fabricated by Electron Cyclotron Resonance Plasma Post Oxidation" , Appl. Phys. Lett., vol. 98, 112902 (2011：応用物理学会)

応用物理学会　講演奨励賞

 受賞者 ： 横山　正史
共著者 ： 金　相賢，張　睿，田岡紀之，卜部友二，前田辰郎，高木秀樹，安田哲二，山田　永，市川　磨，福原　昇，秦　雅彦，杉山正和，中野義昭，竹中　充，高木信一
論文名 ： "基板貼り合わせ法を用いたIII-V/Ge CMOS トランジスタ集積化", 1a-P7-7 (2011：応用物理学会)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award

受賞者 ： SangHyeon KIM（金　相賢）
論文名 ： "High Performance Extremely-Thin Body III-V-On-Insulator MOSFETs on a Si Substrate with Ni-InGaAs　Metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering"
受賞者 ： Zhang Rui（ジャーン・ルイ）
論文名 ： "High Mobility Ge pMOSFETs with ~ 1nm Thin EOT Using Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation"
IEDM (2011)

工学系研究科長賞（研究）

受賞者 ： Junkyo Suh
論文名 ： "Strain Engineered Silicon Germanium on Insulator P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor by Ge Condensation (酸化濃縮法を用いた歪制御SiGe-On-Insulator PMOSFET)" (2011：学内)

VLSIシンポジウム・ハイライト論文

発表者 ： SangHyeon KIM（金　相賢）
論文名 ： "High Performance Extremely-Thin Body III-V-On- Insulator MOSFETs on a Si Substrate with Ni-InGaAs Metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering"VLSI symposium(2011)

工学系研究科長賞（研究）・平成22年度優秀修士論文賞

受賞者  SangHyeon KIM（金　相賢） 論文名 ： "Metal Source/Drain In III-V MOSFETs using Metal semiconductor Alloy" (2011：学内)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award

受賞者 ： SangHyeon KIM（金　相賢）
論文名 ： "Self-aligned Metal Source/Drain InXGa1-XAs n-MOSFETs Using Ni-InGaAs Alloy"IEDM (2010)

IEDM・ハイライト論文

発表者 ： Masafumi YOKOYAMA（横山　正史） 論文名 ： "Extremely-Thin-Body InGaAs-On-Insulator MOSFETs on Si Fabricated by Direct Wafer Bonding"IEDM (2010)

VLSIシンポジウム・ハイライト論文

発表者 ： Masafumi YOKOYAMA（横山　正史） 論文名 ： "次世代LSIに向けたSi基板上に集積されたIII-V-OIチャネルMOSトランジスタの開発"VLSI symposium(2010) 掲載媒体 ： 日経産業新聞（2010/6/25）化學工業日報（2010/6/16)　日刊工業新聞（2010/6/16）

平成21年度優秀修士論文賞

受賞者 ： Kiyohito MORII（森井　清仁）
論文名 ： "気相ドーピング法によって形成したソース・ドレイン接合を有する高性能 GeO2/Ge nMOSFETs "(2010：学内)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award

受賞者 ： Kiyohito MORII（森井　清仁）
論文名 ： "High Performance GeO2/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping"(2009 IEDM)

2009 SSDM Paper Award

受賞者 ：池田圭司、山下良美、原田真臣、山本豊二、中払周、平下紀夫、守山佳彦、手塚勉、田岡紀之、渡辺一世、広瀬信光、杉山直治、高木信一
論文名：
"High Mobility sub-60nm Gate Length Germanium-On-Insulator Channel pMOSFETs with Metal Source/Drain and TaN MIPS Gate "(SSDM (2008) p. 32-33)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award

受賞者 ： Yosuke NAKAKITA（中北　要佑）

SSDM Best Student Award (BSA) (2023/9/5)

受賞者：陳 家驄

論文名：Mobility Enhancement in Extremely-Thin Body (110) SiGe-on-insulator pMOSFETs using Starting Substrates with Thin SiGe Layers (SSDM2022) 

SSDM Best Student Award (BSA) (2023/9/5)

受賞者：陳 家驄

論文名：Mobility Enhancement in Extremely-Thin Body (110) SiGe-on-insulator pMOSFETs using Starting Substrates with Thin SiGe Layers (SSDM2022) 

令和4年工学系研究科長賞（研究）および優秀博士論文賞 (2023/3/23)

受賞者： 隅田 圭

論文名： 極薄膜チャネルの最適設計に基づくSi 基板上 III-V MOSFET の高性能化

(Performance enhancement of III-VMOSFETs on Si substrates based on optimum design of extremely-thin-body channels)

第14回 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞 (2023/3/16)

受賞者： Kei Sumita, Chia-Tsong Chen, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

論文名：Optimum channel design of extremely-thin-body nMOSFETs utilizing anisotropic valley—robust to surface roughness scattering, IEEE Transactions on Electron Devices 69, pp. 2115-2121, Apr. 2022.

第21回IEEE EDS Japan Joint Chapter Student Award (2023/2/16)

受賞者：名幸 瑛心 

論文名： Experimental demonstration of novel scheme of HZO/Si FeFET reservoir computing with parallel data processing for speech recognition  (VLSI Symp. 2022)

第52回応用物理学会講演奨励賞 (2022/9/20)

受賞者：名幸 瑛心 

論文名：強誘電体MFMキャパシタを用いたリザバーコンピューティングの実証と動作電依存性, 名幸 瑛心, トープラサートポン カシディット，王 澤宇，中根 了昌，竹中 充，高木 信一 , 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年3月22-26日

電気学会技術委員会奨励賞 (2022/3/30)

受賞者：隅田 圭 

論文名： InAs-On-Insulatorチャネルの極薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるサブバンド制御を利用したnMOSFETの高性能化, 隅田圭, カシディット　トープラサートポン, 竹中充, 高木信一 , 電気学会電子デバイス研究会，2021年3月3日

令和3年度優秀修士論文賞 (2022/3/24)

受賞者：名幸 瑛心 

論文名： 強誘電体デバイスを用いたリザバーコンピューティングの実験的検証 

(Experimental verification of reservoir computing using ferroelectric devices) (2022) 

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2022/2/8）

受賞者 ： 陳 家驄
論文名 ： Impact of Asymmetric Strain on Performance of Extremely-Thin Body (100) GOI and (110) SGOI pMOSFETs  (VLSI Symp. 2021)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2022/2/8）

受賞者 ： 隅田 圭
論文名 ： Optimum Design of Channel Material and Surface Orientation for Extremely-Thin-Body nMOSFETs under New Modeling of Surface Roughness Scattering (IEDM2021)

The 2020 Roger A. Haken Best Student Paper Award（2021/12/13）

受賞者 ： 隅田　圭
論文名 ： "Subband engineering by combination of channel thickness scaling and (111) surface orientation in InAs-on-insulator nMOSFETs", K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi (IEDM2020)

令和3年度優秀博士論文賞 (2021/9/24)

受賞者：Tsung-En Lee (李 宗恩)

論文名： “Study on SiGe high-k and ferroelectric MOS interfaces for their FET applications

(SiGeとhigh-k及び強誘電体とのMOS界面とそのFET応用に関する応用に関する研究)” (2021)

SDM研究会 第8回若手優秀発表賞 （2021/6/22）

受賞者 ： トープラサートポン　カシディット
論文名 ： 「Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響」（電子情報通信学会 ICD/SDM/ITE-IST研究会、pp. 3-7、2020年8月6-7日） 

応用物理学会講演奨励賞（2021/3）
受賞者 ： Tsung-En Lee
論文名 ：”Impact of ALD high-k materials on SiGe MOS interface properties with TiN gate”, T.-E. Lee, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi (2020年秋季応用物理学会)

第44回学校法人東京電機大学学術振興基金・丹羽保次郎記念論文賞（2021/3）

受賞者 ： 柯　夢南
論文名 ： “Reduction of slow trap density in Al2O3/GeOxNy/n-Ge MOS interfaces by PPN-PPO process”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 66, Issue 12, pp. 5060-5064 (2019).

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2021/2/10）

受賞者 ： 隅田　圭
論文名 ： "Subband engineering by combination of channel thickness scaling and (111) surface orientation in InAs-on-insulator nMOSFETs", K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi (IEDM2020)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2021/2/10）

受賞者 ： 名幸　瑛心
論文名 ： "Proposal and Experimental Demonstration of Reservoir Computing using Hf0.5Zr0.5O2/Si FeFETs for Neuromorphic Applications", E. Nako, K. Toprasertpong, R. Nakane, Z. Wang, Y. Miyatake, M. Takenaka, and S. Takagi (VLSI Symp. 2020)

2019年度工学系研究科長賞・優秀修士論文賞（2020/3）

受賞者 ： 隅田　圭
論文名 ： "Smart cut法によるInAs-On-Insulator MOSFETの実現"

電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ優秀学生修了表彰（2020/3）

受賞者 ： 隅田　圭
論文名 ： "Smart cut法によるInAs-On-Insulator MOSFETの実現"

第11回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞 （2020/3/13）

受賞者 ： 加藤 公彦
論文名 ： Kimihiko Kato, Hiroaki Matsui, Hitoshi Tabata, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi, “ZnO/Si and ZnO/Ge bilayer tunneling field effect transistors: Experimental characterization of electrical properties”, Journal of Applied Physics, vol. 125, pp. 195701-1-10, May 2019 

応用物理学会講演奨励賞　（2020/3/12）
受賞者 ： 隅田　圭
論文名 ：”Smart Cut法により作製したInAs-On-Insulator基板への熱処理の影響”、隅田 圭, 竹安 淳, 加藤 公彦, トープラサートポン カシディット, 竹中 充, 高木 信一 (2019年秋季応用物理学会)

2018年度APEX/JJAP編集貢献賞 (APEX/JJAP Editorial Contribution Award) （2019/3/9）

受賞者 ： 高木信一

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2020/02/07）

受賞者 ： Tsung-En Lee
論文名 ： "Improvement of SiGe MOS interface properties with a wide range of Ge contents by using TiN/Y2O3 gate stacks with TMA passivation", T.-E. Lee, K. Kato, M. Ke, M. Takenaka, and S. Takagi (VLSI Symp. 2019)

井上研究奨励賞（2019/2/4）

(井上科学振興財団)

受賞者 ： トープラサートポン カシディット 

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2019/1/25）

受賞者 ： Mengnan Ke
論文名 ： "Characterization and understanding of slow traps in GeOx-based n-Ge MOS interfaces", M. Ke, P. Cheng, K. Kato, M. Takenaka, and S. Takagi (IEDM2018)

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Young Researcher Award （2019/9/3）

受賞者 ： Kimihiko Kato
論文名 ： “Impact of channel thickness fluctuation on performance of bilayer tunneling field effect transistors”, K. Kato, H. Matsui, H. Tabata, M. Takenaka, and S. Takagi (SSDM2018)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2019/1/25）

受賞者 ： Kwang-Won Jo
論文名 ： "Hole mobility enhancement in extremely-thin-body strained GOI and SGOI pMOSFETs by improved Ge condensation method", K.-W.Jo, W-K. Kim, M. Takenaka, and S. Takagi (VLSI Symp. 2018)

応用物理学会講演奨励賞（2019/3/9）
受賞者 ： 安 大煥
論文名 ：”ZrO2 ゲートスタックによる Planar-type InGaAs TFET の Sub-60mV/dec 特性の実現 ”, 安 大煥 ,尹 尚希，加藤 公彦，福井 太一郎，竹中 充，高木 信一  (2018年秋季応用物理学会)

第9回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞（2018/3/19）

受賞者 ： Jae-Hoon Han, Frederic Boeuf, Junichi Fujikata, Shigeki Takahashi, Shinichi Takagi, Mitsuru Takenaka

論文名： “Efficient low-loss InGaAsP/Si hybrid MOS optical modulator”, Nature Photonics, vol. 11, No. 8, pp. 486–490, Jul. 2017.

応用物理学会講演奨励賞（2018/3/17）
受賞者 ： 柯 夢南
論文名 ：「ALD Al2O3/GeOx/Ge界面の電子と正孔に対する遅い準位の物理的起源に関する考察」, 柯夢南, 竹中充, 高木信一（2017年秋季応用物理学会)

2017年度優秀卒業論文賞 （2018/3）

受賞者 ： 隅田　圭
論文名 ： "InAs on Insulator構造の作製とトランジスタ応用 "

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2018/2/2）

受賞者 ：Wu-Kang Kim
論文名 ： "High Performance 4.5-nm-Thick Compressively-Strained Ge-on-Insulator pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation with Optimized Temperature Control", W.-K. Kim, M. Takenaka and S. Takagi (VLSI Symp. 2017)

Solid-State Electronics Editors' Choice 2016

論文名：S. Takagi, M. Noguchi, M. Kim, S.-H. Kim, C.-Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke, M. Takenaka, “III-V/Ge MOS device technologies for low power integrated systems”, Volume 125, November 2016, Pages 82–102

http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S003811011630082X

応用物理学会講演奨励賞（2017/9/5）
受賞者 ： 金 佑彊
論文名 ：”酸化濃縮プロセスにおける冷却方法がGOI中の圧縮ひずみに及ぼす効果”, 金 佑彊, 竹中 充，高木 信一  (2017年春季：応用物理学会)

紫綬褒章（2017/4/29）

受賞者 ： 高木信一

受賞理由：キャリア輸送特性の明確化・モデル化による高性能MOSトランジスタの開発

応用物理学会講演奨励賞（2017/3/14）
受賞者 ： 韓　在勲
論文名 ：”貼り合わせInGaAsP/SiハイブリッドMOS型光変調器に関する検討”, 韓在勲, 竹中充，高木 信一 （2017年秋季応用物理学会）

平成28年度学科長特別賞・平成28年度 電気学会東京支部 電気学術女性活動奨励賞（2017/3）

（電気学会）

受賞者 ： 横山　千晶

論文名： “high-k/InxGa1-xAs MOS界面準位に対する前処理の効果とその物理モデル”

平成28年度優秀卒業論文賞（2017/3）

受賞者 ： 横山 千晶

論文名： “high-k/InxGa1-xAs MOS界面準位に対する前処理の効果とその物理モデル”

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2017/2/15）
受賞者 ： J.-H. Han
論文名 ："Extremely High Modulation Efficiency III-V/Si Hybrid MOS Optical Modulator Fabricated by Direct Wafer Bonding"(IEDM2016）

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2017/2/15）

受賞者 ： C.-Y. Chang
論文名 ： “Impact of La2O3/InGaAs MOS Interface on InGaAs MOSFET Performance and its Application to InGaAs Negative Capacitance FET”, C.-Y. Chang, K. Endo, K. Kato, C. Yokoyama, M. Takenaka and S. Takagi（IEDM2016）

IEEE EDS Japan Chapter Student Award（2017/2/15）

受賞者 ： Dae-Hwan Ahn
論文名 ： "Performance improvement of InxGa1‐xAs Tunnel FETs with Quantum Well and EOT scaling", D.-H. Ahn, S. M. Ji, M. Takenaka, and S. Takagi (VLSI Symp. 2016)

「電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-」安田賞（2017/1/21）

受賞者：尹尚希

 講演名：電気的ストレスがAl2O3/InGaAs MOS 界面とInGaAs トンネルFET に与える影響

The 2015 Roger A. Haken Best Student Paper Award

受賞者 ： Xiao Yu
論文名 : "Experimental Study on Carrier Transport Properties in Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator (GOI) p-MOSFETs with GOI Thickness down to 2nm”"
(IEDM2015)

植之原留学生学術奨励賞

受賞者 ： 亢　健
論文名 : "Ge-on-insulator基板を用いたGe CMOSフォトニクスに関する研究"
(2015：電気電子情報学術振興財団)

平成26年度優秀修士論文賞

優秀修士論文賞
受賞者 ： 西　康一
論文名 ： "Sb系半導体を用いたSi上III-V-On- Insulator MOSFETの研究"
(2015：学内)

平成26年度優秀博士論文賞

優秀博士論文賞
受賞者 ： 金　栄現
論文名 ： "SiGe光変調器／減衰器に向けた歪誘起によるプラズマ分散効果及び自由キャリア吸収増大に関する研究"
(2015：学内)

科学技術分野の文部科学大臣表彰における科学技術賞・研究部門

 受賞者 ：高木　信一
業績名 ：CMOS中のキャリア輸送特性の理解と高性能化に関する研究
（2015：科学技術分野の文部科学大臣表彰）

第6回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞

受賞者 ：SangHyeon Kim(First Author), Yuki Ikku, Masafumi Yokoyama, Ryosho Nakane, Jian Li, Yung-Chung Kao, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi
論文名 ："Direct wafer bonding technology for large-scale InGaAs-on-insulator transistors,"
APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 105, 043504 (2014).
（2015：応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会）

EDS Paul Rappaport Award

受賞者 ：R. Zhang,
共著者 ：P.-C. Huang, J.-C. Lin, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi,
論文名 ："High-Mobility Ge p- and n-MOSFETs With 0.7-nm EOT Using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Postoxidation,"
IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 60, no. 3, pp. 927 – 934, 2013.
DOI: 10.1109/TED.2013.2238942（2014：IEDM）

植之原留学生学術奨励賞

受賞者 ： 程　勇鵬　(2014：電気電子情報学術振興財団)

平成25年度優秀修士論文賞・優秀博士論文賞・工学系研究科長賞（研究最優秀）

優秀修士論文賞　受賞者 ： ハン　ジェフン
論文名 ： "プラズマ後窒化を用いたhigh-k/SiGe MOS界面の研究"(2014：学内)

優秀博士論文賞　受賞者 ： 田中丸　周平
論文名 ： "高信頼ソリッド・ステート・ストレージシステムに関する研究"(2014：学内)

優秀博士論文賞・工学系研究科長賞（研究最優秀）　受賞者 ： 金　相賢
論文名 ： "プラットフォーム上III-VロジックLSIの為のInGaAs-On-Insulator MOSFET に関する研究"(2014：学内)

第20回シリコンフォトニクス研究会　若手ポスター賞

 受賞者 ：亢 健
論文名 ：”GeOxパッシベーションによるGe MSM光受光器の暗電流削減”
Affiliation : 東京大学 大学院工学系研究科(2013：シリコンフォトニクス研究会)

2013 IEEE Andrew S. Grove AWARD

受賞者 ：高木　信一
業績名 ：”For contributions to the understanding of transport properties in inversion layers of high-performance MOSFETs.”
Affiliation : IEEE(2013)

第60回（2013年春季）応用物理学会POSTER Award

受賞者 ：CHANG, Chih-Yu（チョウ・シウ）
共著者 ：M.Yokoyama , S.-H.Kim, O,Ichikawa, T.Osada, M.Hata, M. Takenaka and S. Takagi
論文名 ：”Impact of metal gate electrodes on electrical properties of InGaAs MOS gate stacks”
Winners ; Chin.-Yu Chang , Masafumi Yokoyama , Sang-Hyeon Kim, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
Affiliation : The University of Tokyo (2013：応用物理学会)

平成24年度優秀修士論文賞

 受賞者 ： 野口 宗隆
論文名 ： "Zn拡散により形成したp型ソース領域をもつプレーナ型InGaAs TFET"
( Planer-type InGaAs TFETs with source regions formed by Zn diffusion. ) (2013：学内)

平成24年度 電気学会東京支部

電気学術女性活動奨励賞

受賞者 ： 吉田 望（2013：電気学会）

第60回（2013年春季）応用物理学会講演奨励賞

受賞者 ： Zhang Rui（ジャーン・ルイ）
論文名 ：”High Mobility Ge pMOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks”
共著者 ：J. C. Lin, P. C. Huang, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi (2013：応用物理学会)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award

受賞者 ： Sang-Hyeon Kim（キム・サンヒョン）
論文名 ： "Sub-60 nm deeply scaled Extremely-thin Body InxGa1-xAs-On-Insulator MOSFETs on a Si substrate with Ni-InGaAs metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering"
共著者 ： M. Yokoyama, N. Taoka, R. Nakane, T. Yasuda, O.Ichikawa, N. Fukuhara, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi(2012 : VLSI symp.)

IEEE EDS Japan Chapter Best Student Paper Award

受賞者 ： Zhang Rui（ジャーン・ルイ）
論文名 ： "High Mobility Ge pMOSFETs with 0.7 nm Ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation"
共著者 ： P. C. Huang, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi(2012 : VLSI symp.)

工学系研究科長賞

受賞者 ： Zhang Rui（ジャーン・ルイ）
論文名 ： "Formation of Ge Gate Stack Structures by Plasma Post Oxidation and Their Applications to Ge CMOS Devices" (2012：学内)

第12回　山崎貞一賞

受賞者：　高木　信一
業績名：　"Si MOSFETのチャネル内キャリア輸送特性の解明と高移動度化への先駆的貢献" (2012)
第12回（平成24年度）山崎貞一賞　半導体及び半導体装置分野 

Nanoelectronics IX, The Best Paper Award

受賞者 ：高木　信一
共著者 ：R.Zhang, T.Hoshii, N.Taoka and M.Takenaka
論文名 ： "MOS Interface Control Technologies for III-V/Ge Channel MOSFETs," (2011)

応用物理学会　講演奨励賞

受賞者：SangHyeon KIM（金　相賢）
論文名：”MOS界面バッファ層の導入とチャネルIn組成変調による極薄膜InxGa1-xAs-OI MOSFETの高性能化”（2012:応用物理学会）

The INC8 Japan Nano Day Best Poster Award

 受賞者 ： SangHoon Shin
論文名 ： "Experimental Characterization of MOS Interface Charges using Potential Fluctuation in Conductance Measurement" (2012)

優秀卒論賞・工学部長賞

受賞者 ： Han jaehoon（ハン　ジェフン） 論文名 ： "MOS型光変調器実現に向けたSiGe MOS界面に関する研究" (2012：学内)

工学系研究科長賞（研究）

受賞者 ： 鈴木　麗菜
論文名 ： "高誘電体膜を用いたInGaAs MOS構造の界面制御と絶縁膜薄膜化" (2012：学内)

グローバルCOEプログラム優秀論文発表賞

受賞者 ： SangHyeon KIM（金　相賢）
論文名 ： "III-V-OI MOSFETでの移動度向上技術" (2012：学内GCOE)

2011年度固体エレクトロニクス・光エレクトロニクス研究会・論文賞

受賞者 ： Zhang Rui（ジャーン・ルイ）
論文名 ： "プラスマ後酸化法による1 nm EOT Al2O3 /GeOxゲートスタックを用いた高移動度Ge CMOS" (2012：学内)

第3回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞

受賞者 ： 張　睿，岩崎敬志，田岡紀之，竹中　充，高木信一
論文名 ： "Al2O3 /GeOx/Ge Gate Stacks with Low Interface Trap Density Fabricated by Electron Cyclotron Resonance Plasma Post Oxidation" , Appl. Phys. Lett., vol. 98, 112902 (2011：応用物理学会)

応用物理学会　講演奨励賞

 受賞者 ： 横山　正史
共著者 ： 金　相賢，張　睿，田岡紀之，卜部友二，前田辰郎，高木秀樹，安田哲二，山田　永，市川　磨，福原　昇，秦　雅彦，杉山正和，中野義昭，竹中　充，高木信一
論文名 ： "基板貼り合わせ法を用いたIII-V/Ge CMOS トランジスタ集積化", 1a-P7-7 (2011：応用物理学会)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award

受賞者 ： SangHyeon KIM（金　相賢）
論文名 ： "High Performance Extremely-Thin Body III-V-On-Insulator MOSFETs on a Si Substrate with Ni-InGaAs　Metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering"
受賞者 ： Zhang Rui（ジャーン・ルイ）
論文名 ： "High Mobility Ge pMOSFETs with ~ 1nm Thin EOT Using Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks Fabricated by Plasma Post Oxidation"
IEDM (2011)

工学系研究科長賞（研究）

受賞者 ： Junkyo Suh
論文名 ： "Strain Engineered Silicon Germanium on Insulator P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor by Ge Condensation (酸化濃縮法を用いた歪制御SiGe-On-Insulator PMOSFET)" (2011：学内)

VLSIシンポジウム・ハイライト論文

発表者 ： SangHyeon KIM（金　相賢）
論文名 ： "High Performance Extremely-Thin Body III-V-On- Insulator MOSFETs on a Si Substrate with Ni-InGaAs Metal S/D and MOS Interface Buffer Engineering"VLSI symposium(2011)

工学系研究科長賞（研究）・平成22年度優秀修士論文賞

受賞者  SangHyeon KIM（金　相賢） 論文名 ： "Metal Source/Drain In III-V MOSFETs using Metal semiconductor Alloy" (2011：学内)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award

受賞者 ： SangHyeon KIM（金　相賢）
論文名 ： "Self-aligned Metal Source/Drain InXGa1-XAs n-MOSFETs Using Ni-InGaAs Alloy"IEDM (2010)

IEDM・ハイライト論文

発表者 ： Masafumi YOKOYAMA（横山　正史） 論文名 ： "Extremely-Thin-Body InGaAs-On-Insulator MOSFETs on Si Fabricated by Direct Wafer Bonding"IEDM (2010)

VLSIシンポジウム・ハイライト論文

発表者 ： Masafumi YOKOYAMA（横山　正史） 論文名 ： "次世代LSIに向けたSi基板上に集積されたIII-V-OIチャネルMOSトランジスタの開発"VLSI symposium(2010) 掲載媒体 ： 日経産業新聞（2010/6/25）化學工業日報（2010/6/16)　日刊工業新聞（2010/6/16）

平成21年度優秀修士論文賞

受賞者 ： Kiyohito MORII（森井　清仁）
論文名 ： "気相ドーピング法によって形成したソース・ドレイン接合を有する高性能 GeO2/Ge nMOSFETs "(2010：学内)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award

受賞者 ： Kiyohito MORII（森井　清仁）
論文名 ： "High Performance GeO2/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping"(2009 IEDM)

2009 SSDM Paper Award

受賞者 ：池田圭司、山下良美、原田真臣、山本豊二、中払周、平下紀夫、守山佳彦、手塚勉、田岡紀之、渡辺一世、広瀬信光、杉山直治、高木信一
論文名：
"High Mobility sub-60nm Gate Length Germanium-On-Insulator Channel pMOSFETs with Metal Source/Drain and TaN MIPS Gate "(SSDM (2008) p. 32-33)

IEEE EDS Japan Chapter Student Award

受賞者 ： Yosuke NAKAKITA（中北　要佑）

独立行政法人科学技術振興機構（JST）　 2022/6/13 Release

「強誘電体トランジスタを用いた人工知能計算の新方式を開発 ～高い精度での音声認識を実現～ 」

New hardware architecture gives an edge in AI computation

東京大学大学院工学系研究科　名幸 瑛心、Kasidit Toprasertpong講師、中根了昌 特任准教授、竹中充 教授、高木信一 教授 

(Eishin Nako, Kasidit Toprasertpong, Ryosho Nakane, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi)

日本経済新聞（日本語）とTechXplore（英語）にも掲載されました。Also published in NIKKEI (Japanese) and TechXplore (English).