Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo
2024年度
学術誌 (Journal)
S.-Y. Min, K. Toprasertpong, E. Nako, R. Nakane, M. Takenaka, and S. Takagi, “Polarization Current-based Reservoir Computing Utilizing an Anti-ferroelectric-like HfZrO2 Capacitor”, Appl. Phys. Lett. Mach. Learn., vol. 3, 016120, 2025 (DOI: 10.1063/5.0255149)
Y. Chen, Z. Jin, X. Han, H. Oka, T. Mori, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi, “Accurate Evaluation of Effective Mobility in Si MOSFETs at Cryogenic Temperatures using Quasi-Static C-V Method”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 64, 2025 (DOI: 10.35848/1347-4065/adb4fa)
R. Suzuki, K. Toprasertpong, R. Nakane, E. Nako, M. Takenaka, and S. Takagi, “Voltage-Operating Reservoir Computing Utilizing Ferroelectric-FET Source Follower Configurations”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 64, Num. 2, 02SP40, 2025 (DOI: 10.35848/1347-4065/adb295)
S.-Y. Min, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi, “Unipolar Polarization Switching and High-endurance Memory Operation of HZO/Si Anti-ferroelectric FETs”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 64, Num. 2, 02SP36, 2025 (DOI 10.35848/1347-4065/adb163) (selected as a Spotlight Paper)
S.-K. Cho, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi, “A Novel Measurement Method to Evaluate Relationship Between Threshold Voltage and Polarization for Understanding Memory Operation of Ferroelectric Field-Effect Transistors”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 64, Num. 2, 02SP12, 2025 (DOI: 10.35848/1347-4065/ada6bf)
Z. Jin, Y. Chen, X. Han, H. Oka, T. Mori, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi, “A correction method of split C-V characteristics based on transmission line model for accurate evaluation of surface carrier concentration and effective mobility in MOSFETs”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 64, Num. 1, 01SP16, 2025 (DOI: 10.35848/1347-4065/ad9f70)
Z. Cai, Z. Liu, Y.-K. Liang, X. Han, S.-Y. Min, E. Nako, S.-K. Cho, C.-T. Chen, M. Takenaka, K. Toprasertpong, and S. Takagi, “Recovery Strategy of Fatigue-Limited Endurance in Si FeFETs with thin HfZrO2 films”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 72, Issue 1, pp. 467-473, 2025 (DOI: 10.1109/TED.2024.3493065)
Y. Miyatake, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “Compact, Low-loss, and Broadband 2×2 Si Optical Coupler Designed by CMA-ES”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 63, Num. 12, 12SP16, 2024 (DOI: 10.35848/1347-4065/ad983b)
M.-S. Kang, K. Toprasertpong, H. Oka, T. Mori, M. Takenaka, and S. Takagi, “Characterization and Quantitative Understanding of Subthreshold Swing of Si MOSFETs at Cryogenic Temperatures”, J. Appl. Phys., vol. 136, Issue 19, 195702, November 18, 2024. (DOI: 10.1063/5.0233899)
トープラサートポン カシディット, 名幸瑛心, 閔信義, 鈴木陸央, 中根了昌, 竹中充, 高木信一, “強誘電体トランジスタのリザバーコンピューティングによる時系列データの機械学習”, 「表面と真空」, 日本表面真空学会, vol. 67, No.11, pp. 545-550, 2024.
S. Takagi, X. Han, C.-T. Chen, K. Sumita, K. Toprasertpong and M. Takenaka, “(Invited) Mobility enhancement technology of extremely thin body Ge-On-Insulator channel MOSFETs”, ECS Trans., 114 (2), pp. 3-14, Oct. 6, 2024 (DOI: 10.1149/11402.0003ecst)
R. Suzuki, K. Toprasertpong, R. Nakane, E. Nako, M. Takenaka, and S. Takagi, “Reservoir computing utilizing a complementary combination of n- and p-channel FeFETs”, IEEE Electron Device Lett., Vol. 45, Issue. 10, pp. 1768-1771, 2024 (DOI: 10.1109/LED.2024.3435422)
T. Akazawa, S. Monfray, F. Boeuf, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “Si-waveguide-based optical power monitoring of a 2 × 2 Mach–Zehnder interferometer based on a InGaAsP/Si hybrid MOS optical phase shifter,” Optics Letters, vol. 49, no. 20, pp. 5882–5885, October 2024. (DOI: 10.1364/OL.538924)
R. Tang, S. Ohno, K. Tanizawa, K. Ikeda, M. Okano, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “A symmetric silicon microring resonator optical crossbar array for accelerated inference and training in deep learning”, Optica, vol. 12, Issue 8, pp. 1681-1688, 2024 (DOI: 10.1364/PRJ.520518)
X. Han, C.-T. Chen, K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi, “Electron Mobility Enhancement of (111)-Oriented Extremely-Thin Body Ge-On-Insulator nMOSFETs by Flipped Smart-Cut Substrates”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 71, Issue 9, pp. 5198-5204, 2024 (DOI: 10.1109/TED.2024.3434782)
Y.-K. Liang, W.-L. Li, Y.-L. Lin, D.-R. Hsieh, T.-T. Chou, C.-C. Kei, H.-Y. Huang, Y.-M. Lin, Y.-C. Tseng, T.-S. Chao, E. Y. Chang, K. Toprasertpong, S. Takagi, and C.-H. Lin, “Improved Stability of Highly Scaled Ultrathin InZnO Channel Ferroelectric Thin Film Transistor with TiO2 Interfacial Layer”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 71, Issue 9, pp. 5788-5791, 2024 (DOI: 10.1109/TED.2024.3433835)
Z. Liu, K. Toprasertpong, Z. Cai, M. Takenaka, and S. Takagi, “Role of charge injection/de-trapping in imprint behavior of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 thin film”, Appl. Phys. Lett., vol. 125, 072904, 2024. (DOI: 10.1063/5.0212368)
Y.-K. Liang, Z. Liu, Z. Cai, X. Han, Y.-Y. Hsiao, H.-Y. Huang, Y.-M. Lin, E. Y. Chang, C.-H. Lin, M. Takenaka, K. Toprasertpong, and S. Takagi, “Demonstration of Highly Robust 6 nm Ultra-Thin ZrO2-HfO2 Superlattice Ferroelectric Capacitors”, IEEE Electron Device Lett., Vol. 45, No. 8, pp. 1468-1471, 2024. (DOI: 10.1109/LED.2024.3410378)
Y. Miyatake, R. Tang, K. Makino, J. Tominaga, N. Miyata, M. Okano, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “Photonic Matrix Multiplication with Low-insertion-loss and Non-volatile Ge2Sb2Te3S2 Intensity Modulators”, IEEE/OSA Journal of Lightwave Technology, Vol. 42, Issue 12, pp. 4347-4354, June 15, 2024. (DOI: 10.1109/JLT.2024.3408877)
Y. Wakita, R. Tang, H. Tang, S. Ohno, T. Akazawa, Y. Miyatake, S. Monfray, F. Boeuf, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “Add-drop Microring Resonator Switch with Positive/negative Phase Tuning using InGaAsP/Si Hybrid MOS Phase Shifter”, IEEE/OSA J. Lightwave Technology, Vol. 42, Issue 12, pp. 4289-4295, June 15, 2024. (DOI: 10.1109/JLT.2024.3383724)
T. Akazawa, K. Sumita, S. Monfray, F. Boeuf, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “Transparent In-line Optical Power Monitoring using InP/Si Hybrid Waveguide Phototransistor”, IEEE/OSA Journal of Lightwave Technology, Vol. 42, Issue 12, pp. 4281-4288, June 15, 2024. (DOI: 10.1109/JLT.2024.3392471)
Z. Cai, K. Toprasertpong, Z. Liu, M. Takenaka, and S. Takagi, “Understanding HZO Thickness Scaling in Si FeFETs: Low Operating Voltage, Fast Wake-up, and Suppressed Charge Trapping”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 71, Issue 6, pp. 3633-3639, June 2024. (DOI: 10.1109/TED.2024.3386508)
Y.-K. Liang, J.-Y. Zheng, Y.-L. Lin, Y.-C. Lu, D.-R. Hsieh, T.-T. Chou, C.-C. Kei, H.-Y. Huang, Y.-M. Lin, Y.-C. Tseng, T.-S. Chao, E. Y. Chang, K. Toprasertpong, S. Takagi, and C.-H. Lin, “Highly Scaled BEOL-Compatible Thin Film Transistors with Ultra-thin Atomic Layer Deposited Indium Tin Zinc Oxide Channel”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 71, Issue 6, pp. 3671-3677, June 2024. (DOI: 10.1109/TED.2024.3385395)
S. Liu, K. Jana, K. Toprasertpong, J. Chen, Z. Liang, Q. Jiang, S. Wahid, S. Qin, W.-C. Chen, E. Pop, and H.-S. P. Wong, “Design guidelines for oxide semiconductor gain cell memory on logic platform,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 71, Issue 5, pp. 3329 - 3335, May 2024. (DOI: 10.1109/TED.2024.3372938 )
K. Taki, N. Sekine, K. Watanabe, Y. Miyatake, T. Akazawa, H. Sakumoto, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “Non-volatile optical phase shift in ferroelectric hafnium zirconium oxide”, Nature Communications, vol. 15, 3549, May 2024. (DOI: 10.1038/s41467-024-47893-2)
H. Sawai, M. Kurata, T. Murakawa, Y. Ando, K. Fukushima, R. Eto, S. Sasagawa, K. Sugaya, R. Hodo, T. Mizuguchi, Y. Komura, H. Kunitake, S. Takagi and S. Yamazaki, “Demonstration of scaling and monolithic stacking for higher integration of integrated circuit using c axis aligned crystalline oxide semiconductor FET”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 63, Num. 5, 051003, 2024. (DOI: 10.35848/1347-4065/ad3ab7)
国際会議 (International Conference)
K. Toprasertpong, “Ferroelectric devices for low-power high-density non-volatile memory,” SEMICON Korea 2025, Seoul, Korea, Feb 19-21, 2025 (Invited talk).
S. Takagi, “Channel material design for extremely-thin nano-sheet MOSFETs”, Nano-Kiss, invited, Korea, Seoul, February 11, 2025.
M. Takenaka, Y. Miyatake, R. Tang, T. Taki, N. Sekine, K. Watanabe, T. Akazawa, H. Sakumoto, D. I. Bhardwaj, M. Fujita, H. Tang, K. Makino, J. Tominaga, N. Miyata, M. Okano, K. Toprasertpong, and S. Takagi, “Non-volatile optical phase shifters on Si photonics platform”, invited, 50th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-50), Hawaii, USA, January 19-23, 2025.
S. Takagi, “Hafnia-Based Ferroelectric FETs and Capacitors for Low-Power Memory and AI Applications: Physical Understanding of Device Operation and Reliability”, Tutorial, 55th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), San Diego, CA, December 11-14, 2024.
S.-K. Cho, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi, “Unveiling memory-window narrowing mechanism after bipolar cycling in HZO/Si FeFETs: Critical role of hole trap generation and carrier de-trapping behavior”, 70th Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, December 7-11, 2024.
S. Takagi, K. Toprasertpong, Z. Cai, S.-K. Cho, M. Otomo, Z. Liu, K. Ito, E. Nako, S.-Y. Min, R. Nakane and M. Takenaka, “HfZrO2-based Ferroelectric FETs for lower power memory and AI applications”, 2024 US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics, pp. 349-354, Kofu, Yamanashi, Japan, November 10-13, 2024.
T. Akazawa, Q. Li, G.-Q. Lo, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “TIA-less Optical Power Monitor Using InGaAs/Si Hybrid Phototransistor and On-chip Si Resistor”, IEEE Photonics Conference (IPC), Rome, Italy, 10-14 November, 2024.
S. Takagi, X. Han, C.-T. Chen, K. Sumita, M. Takenaka and K. Toprasertpong, “Approach to mobility enhancement in extremely-thin body Ge-On-Insulator MOSFETs”, invited, 15th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, pp. 17-18, Tohoku University, Sendai, Japan, October 21- 22, 2024.
S. Takagi, X. Han, C.-T. Chen, K. Sumita, K. Toprasertpong and M. Takenaka, “Mobility enhancement technology of extremely-thin body Ge-On-Insulator channel MOSFETs”, invited, 246th Electrochemical Society (ECS) Meeting (PRiME 2024), 11th SiGe, Ge, & Related Compounds: Materials, Processing and Devices Symposium, Hawaii Convention Center & Hilton Hawaiian Village, Honolulu, USA, October 6-11, 2024.
S.-Y. Min, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi, “Unipolar Polarization Switching and High-endurance Operation of HZO/Si Anti-ferroelectric FETs”, 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), B-3-02, pp. 83-84, Arcrea Himeji, Hyogo, September 1-4, 2024.
X. Han, C.-T. Chen, K. Sumita, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi, “High Performance (111)-Oriented Extremely-Thin Body Ge-On-Insulator nMOSFETs down to 2.1 nm”, A-4-01, pp. 29-30, 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Arcrea Himeji, Hyogo, September 1-4, 2024.
Y. Miyatake, K. Toprasertpong, S. Takagi and M. Takenaka, “Experimental Demonstration of Compact, Low-loss and Broadband 2x2 Si Optical Coupler Designed by CMA-ES”, 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), E-3-04, pp. 253-254, Arcrea Himeji, Hyogo, September 1-4, 2024.
Z. Jin, Y. Chen, X. Han, H. Oka, T. Mori, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi, “A Correction Method of Split C-V Characteristics in MOSFETs by using Transmission Line Model for Accurate Extraction of Effective Mobility”, 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), A-6-04, pp. 53-54, Arcrea Himeji, Hyogo, September 1-4, 2024.
Y. Chen, Z. Jin, X. Han, H. Oka, T. Mori, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi, “Accurate Evaluation of Effective Mobility in Si nMOSFETs at Cryogenic Temperature by Introducing Quasi-Static C-V method”, 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), A-6-03, pp. 51-52, Arcrea Himeji, Hyogo, September 1-4, 2024.
R. Suzuki, K. Toprasertpong, R. Nakane, E. Nako, M. Takenaka and S. Takagi, “Voltage-operating Reservoir computing utilizing a ferroelectric source follower”, 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), B-5-02, pp. 103-104, Arcrea Himeji, Hyogo, September 1-4, 2024.
Z. Liu, Z. Cai, M. Takenaka, S. Takagi, and K. Toprasertpong, “Understanding of Imprint Behavior of Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 thin Film: Role of Charge Injection and Field Cycling”, 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), B-1-02, pp. 67-68, Arcrea Himeji, Hyogo, September 1-4, 2024.
S.-K. Cho, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi, “A Novel Measurement Method to Extract Relationship Between Threshold Voltage and Polarization for Understanding FeFET Memory Operation”, 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), B-8-01, pp. 131-132, Arcrea Himeji, Hyogo, September 1-4, 2024.
M. Otomo, K. Toprasertpong, Z. Cai, Z. Liu, M. Takenaka and S. Takagi, “Revealing Mechanism of Non-accumulative Disturb and Approach Toward Disturb Suppression in HZO/Si FeFET Memory”, 2024 IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits, T15.2., Hilton Hawaiian Village, Hawai, USA, June 16-20, 2024.
Q. Jiang, K. Jana, K. Toprasertpong, S. Liu, and H.-S. P. Wong, “Positive bias stress measurement guideline and band analysis for evaluating instability of oxide semiconductor transistors,” 2024 IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits, Hilton Hawaiian Village, Hawai, USA, June 16-20, 2024.
S. Liu, S. Qin, K. Jana, J. Chen, K. Toprasertpong, and H.-S. P. Wong, “First experimental demonstration of hybrid gain cell memory with Si PMOS and ITO FET for high-speed on-chip memory,” 2024 Symposia on VLSI Technology and Circuits, TFS1.4, Honolulu, HI, Jun. 16-20, 2024.
S.-Y. Min, K. Toprasertpong, E. Nako, R. Nakane, M. Takenaka, and S. Takagi, “Reservoir computing using nonlinear polarization and charge dynamics of anti-ferroelectric HZO/Si FETs”, IEEE Si Nanoelectronics Workshop (SNW) 2024, 6.1., pp. 37-38, Hilton Hawaiian Village, Hawai, USA, June 15-16, 2024.
Y.-K. Liang, L.-C. Peng, Y.-L. Lin, J.-Y. Zheng, D.-R. Hsieh, T.-T. Chou, H.-Y. Huang, Y.-M. Lin, Y.-C. Tseng, T.-S. Chao, E. Y. Chang, K. Toprasertpong, S. Takagi, and C.-H. Lin, “Investigation of In-Sn-Zn Composition on the Characterization of Submicron Channel Length Ultra-Thin Atomic Layer Deposited InSnZnO Channel Transistors”, IEEE Si Nanoelectronics Workshop (SNW) 2024, 9.3., pp. 63-64, Hilton Hawaiian Village, Hawai, USA, June 15-16, 2024.
R. Tang, M. Okano, K. Toprasertpong, S. Takagi and M. Takenaka, “A single-wavelength non-coherent photonic matrix multiplication circuit for optical neural networks”, the Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO), Charlotte, North Carolina, USA, 5-10 May 2024.
M. Takenaka, Y. Miyatake, R. Tang, K. Makino, J. Tominaga, N. Miyata, M. Okano, K. Toprasertpong, and S. Takagi, “Si programmable photonic integrated circuits based on phase change materials,” invited, IEEE Si Photonics Conference, Hilton Tokyo Bay, Japan, 15-18 April 2024.
R. Tang, H. Tang, K. Ikeda, M. Okano, K. Toprasertpong, S. Takagi, and M. Takenaka, “Global optimization of universal unitary photonic integrated circuits”, IEEE Si Photonics Conference, Hilton Tokyo Bay, Japan, 15-18 April 2024.
S. Takagi, “Hafnium-Oxide-Based Ferroelectric Devices for Low-Power Memory and AI Applications: Promises and Reliability Challenges”, keynote, IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), KN1, Dallas, TX, USA, April 14-18, 2024.
K. Toprasertpong, E. Nako, S.-Y. Min, Z. Cai, S.-K. Cho, R. Suzuki, R. Nakane, M. Takenaka, and S. Takagi, “Robustness to device degradation in silicon FeFET-based reservoir computing,” invited, IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 6C.1, Dallas, TX, USA, April 14-18, 2024.
国内学会 (Japanese Domestic Conference)
高木信一, “SiGeの酸化とGe偏析効果”, 第2回半導体分野将来基金委員会・研究会(名取研究会)「半導体の酸化機構と酸化膜 —今日と明日は酸化三昧—」, 東京大学, 東京都, 2025年3月28-29日
唐睿, 岡野誠, 柴成立, 張超, トープラサートポン カシディット, 高木信一, 竹中充, “光ニューラルネットワークに向けた光行列演算回路”, 招待講演, 電子情報通信学会総合大会, 東京都市大学, 東京都, 2025年3月24-28日.
名幸瑛心, トープラサートポン カシディット, 中根了昌, 竹中充, 高木信一, “アナログ時系列データの入力電圧波形への変換方式の改良によるFeFETリザバーコンピューティングの性能向上”, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス, 野田市, 千葉県, 2025年3月14-17日.
名幸瑛心, トープラサートポン カシディット, 中根了昌, 竹中充, 高木信一, “FeFETリザバーコンピューティングにおける異なるタイミングでのゲート入力と基板入力をもつFeFETの効率的な組み合わせ方の検討”, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス, 野田市, 千葉県, 2025年3月14-17日.
トープラサートポン カシディット,田原建人,彦坂幸信,中村亘,齋藤仁,竹中充,高木信一, “4 nm の薄膜Hf0.5Zr0.5O2 強誘電体キャパシタにおける低動作電圧と高書換耐性の実証およびプロセス温度とウェークアップの課題”, 記念講演, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス, 野田市, 千葉県, 2025年3月14-17日.
作本宙彌,ピヤパッタラクン ティパット,トープラサートポン カシディット,高木信一,竹中充, “InP薄膜導波路を用いた低光損失・低消費電力MOS型光位相シフタ”, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス, 野田市, 千葉県, 2025年3月14-17日.
森温音, 小松健太郎, 作本宙彌, 脇田耀介, 赤澤智熙, トープラサートポン カシディット, 高木信一, 竹中充, “InGaAsP を用いたプラズモニック電界吸収変調器の数値解析”, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス, 野田市, 千葉県, 2025年3月14-17日.
伊藤広恭,竹中充, 高木信一, トープラサートポン カシディット, “Hf0.5Zr0.5O2薄膜強誘電体キャパシタにおけるwake-up特性の電界・温度依存性と物理機構の考察”, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス, 野田市, 千葉県, 2025年3月14-17日.
小林研二, 宮武悠人, 唐睿, 牧野孝太郎, 富永淳二, 宮田典幸, 岡野誠, トープラサートポン カシディット, 高木信一, 竹中充, “Ge2Sb2Te3S2光強度変調器を用いた不揮発性シリコンマイクロリング共振器スイッチ”, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス, 野田市, 千葉県, 2025年3月14-17日.
赤澤智熙, 李強, Guo-Qiang Lo, トープラサートポン カシディット, 高木信一, 竹中充, “InGaAs/Si ハイブリッドフォトトランジスタとオンチップSi 抵抗を用いた電圧出力型光パワーモニタ”, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス, 野田市, 千葉県, 2025年3月14-17日.
田鍋衛,柳柱栄,牧野孝太郎,畑山祥吾,トープラサートポン カシディット,高木信一,竹中充, “二硫化アンチモン薄膜へのレーザー直描を用いた光導波路の作製”, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス, 野田市, 千葉県, 2025年3月14-17日.
Zhao Jin, Yutong Chen, Hiroshi Oka, Takahiro Mori, Mitsuru Takenaka, Kasidit Toprasertpong and Shinichi Takagi, “Coulomb-scattering-limited mobility at cryogenic temperatures due to interface charges induced by Fowler-Nordheim injection in Si n-MOSFETs”, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス, 野田市, 千葉県, 2025年3月14-17日.
志村瞭太朗,名幸瑛心,松本光二,鈴木陽洋,山本博昭,松川和人,竹中充,高木信一, トープラサートポン カシディット, “Si(110)微傾斜基板上のSiO2/Si MOSキャパシタにおける界面特性評価”, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス, 野田市, 千葉県, 2025年3月14-17日.
松川浩之, 蔡作成, 劉振泓, 竹中充, 高木信一, トープラサートポン カシディット, “強誘電体HfxZr1-xO2 MFIS キャパシタの電界印加による誘電率低下機構の考察”, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス, 野田市, 千葉県, 2025年3月14-17日.
村嶋柊弥, 高 烜赫東, 竹中充, 高木信一, トープラサートポン カシディット, “IGZO MOSキャパシタによるIGZOの誘電率の高精度評価”, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス, 野田市, 千葉県, 2025年3月14-17日.
脇田耀介,宮武悠人, 大野修平, 赤澤智熙, 牧野孝太郎, 畑山祥吾, モンフレ ステファン, ブフ フレデリック, トープラサートポン カシディット, 高木信一, 竹中充, “III-V/Si ハイブリッド導波路向けSb2S3 不揮発光位相シフタの検証”, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス, 野田市, 千葉県, 2025年3月14-17日.
井上颯太, 請関優, 藤村紀文, Kasidit Toprasertpong, 高木信一, 吉村武, “物理リザバーコンピューティング応用に向けた強誘電体薄膜の出力分類特性の評価”, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス, 野田市, 千葉県, 2025年3月14-17日.
請関優,井上颯太, 山田洋人,藤村紀文, 横松得滋,神田健介,前中一介,Kasidit Toprasertpong, 高木信一, 吉村武, “強誘電体ゲートFETを用いた物理リザバー計算における分極状態と学習性能の関係Ⅱ”, 第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス, 野田市, 千葉県, 2025年3月14-17日.
S.-K. Cho, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi, "[招待講演]HZO/Si FeFETにおけるバイポーラ・ストレス中のメモリウィンドウ劣化機構の解明:ホールトラップの生成とキャリアのデトラップ挙動の役割 (Understanding the Impact of Bipolar Cycling on Memory Window Narrowing in HZO/Si FeFETs: Role of Hole Trapping and De-trapping Dynamics)招待講演, 研究集会「先端デバイス・プロセス技術(IEDM特集)」, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会、電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)共催, 2025年1月29日.
高木信一, “MOSトランジスタ電気特性に与えるチャネルひずみやチャネル膜厚の影響”, 第一回「電子デバイスにおける原子拡散・応力現象研究会」, エッサム神田ホール1号館, 東京, 2024年11月5日.
高木信一, “強誘電体MOSトランジスタを用いた物理リザバーコンピューティング”, 奈良先端科学技術大学・データ駆動型サイエンス創造センター・第4回(2024年度)データサイエンス特別講義, 奈良先端科学技術大学, 2024年10月25日.
伊藤広恭,田原建人, 川野真琴, 竹中充, 高木信一, トープラサートポン カシディット, “HZO強誘電体キャパシタにおけるwake-up特性の周波数・温度依存性と物理機構の考察”, 第85回応用物理学会秋季学術講演会,18p-B3-3, 朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター, 2024年9月16日–20日.
Z. Liu, Z. Cai, M. Takenaka, S. Takagi and K. Toprasertpong, Imprint Behavior of Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Film: Impact of Wake-up, 第85回応用物理学会秋季学術講演会,18p-B3-2, 朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター, 2024年9月16日–20日.
請関優,山田洋人,藤村紀文, 横松得滋,神田健介,前中一介,Kasidit Toprasertpong, 高木信一, 吉村武, “強誘電体ゲートFETを用いた物理リザバー計算における分極状態と学習性能の関係”, 第85回応用物理学会秋季学術講演会,18p-B3-1, 朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター, 2024年9月16日–20日
竹中充,唐睿,宮武悠人,柴成立,赤澤智熙,作本宙彌,脇田耀介,バルダワジ ダルワ イシャン,按田智大,高城和馬,関根尚希,渡辺耕坪,大野修平,谷澤健,牧野孝太郎,富永淳二,宮田典幸,池田和浩,岡野誠,モンフレ ステファン, ブフ フレデリック, トープラサートポン カシディット,高木信一, “異種材料集積を用いたAI用光回路”, 招待講演, 第85回応用物理学会秋季学術講演会,18p-C302-6, 朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター, 2024年9月16日–20日.
Z. Jin, Y. Chen, X. Han, H. Oka, T. Mori, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi, “Influence of channel resistance on split C-V characteristics in MOSFETs and the correction based on a transmission model for accurate evaluation of effective mobility”, 第85回応用物理学会秋季学術講演会,18a-A23-6, 朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター, 2024年9月16日–20日.
Y. Chen, Z. Jin, X. Han, H. Oka, T. Mori, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi, “Precise Extraction of Effective Mobility in Si nMOSFETs at Cryogenic Temperatures Using Quasi-Static C-V Technique”, 第85回応用物理学会秋季学術講演会,18a-A23-5, 朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター, 2024年9月16日–20日.
姜旼秀,トープラサートポン カシディット,岡博史,森貴洋,竹中充,高木信一, “Si MOSFETのS値の極低温領域における温度依存性の定量的理解”, 第85回応用物理学会秋季学術講演会,18a-A23-1, 朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター, 2024年9月16日–20日.
S.-Y Min, K. Toprasertpong, E. Nako, R. Nakane, M. Takenaka, and S. Takagi, “Reservoir Computing Using Dynamic Polarization and Charge Coupling of Anti-ferroelectric HZO/Si FETs”, 第85回応用物理学会秋季学術講演会,17p-A33-5, 朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター, 2024年9月16日–20日.
S.-Y Min, K. Toprasertpong, E. Nako, R. Nakane, M. Takenaka, and S. Takagi, “Experimental Demonstration of Reservoir Computing Using Anti-ferroelectric HZO Capacitors”, 第85回応用物理学会秋季学術講演会,17p-A33-4, 朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター, 2024年9月16日–20日.
鈴木陸央, トープラサートポン カシディット, 名幸瑛心, 中根了昌, 竹中充, 高木信一, “FeFETソースフォロワーを用いた電圧動作リザバーコンピューティングの実証”, 第85回応用物理学会秋季学術講演会,17p-A33-3, 朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター, 2024年9月16日–20日.
名幸瑛心, トープラサートポン カシディット, 中根了昌, 竹中充, 高木信一, “FeFETリザバーコンピューティングの信頼性における強誘電体分極量の影響”, 第85回応用物理学会秋季学術講演会,17p-A33-2, 朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター, 2024年9月16日–20日.
唐 睿, 岡野誠, トープラサートポン カシディット, 高木信一, 竹中充, “多ポート光検出器を用いた単一波長・非コヒーレント型光行列演算回路の実証”, 第85回応用物理学会秋季学術講演会,16p-A25-6, 朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター, 2024年9月16日–20日.
小松健太郎, 中山武壽, 赤澤智熈, 脇田耀介, 作本宙彌, 張超, 宮武悠人, モンフレ ステファン, ブフ フレデリック, 唐睿, トープラサートポン カシディット, 高木信一, 竹中充, “Ni-InGaAs合金を用いたInGaAs-Siハイブリッドプラズモニック導波路受光器”, 第85回応用物理学会秋季学術講演会,16p-A25-15, 朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター, 2024年9月16日–20日.
黄明智,トープラサートポン カシディット, 高木信一, 竹中充, “回路構成の異なるユニタリ変換光回路の損失耐性に関する考察”, 第85回応用物理学会秋季学術講演会,16p-A25-10,朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター, 2024年9月16日–20日.
B. Dhruv Ishan, K. Taki, N. Sekine, K. Watanabe, Y. Miyatake, T. Akazawa, H. Sakumoto, K. Toprasertpong, S. Takagi and M. Takenaka, “Investigation of Linear Electro-optic Effect in Ferroelectric Hafnium Zirconium Oxide on SiN Waveguide”, 第85回応用物理学会秋季学術講演会,16p-A25-3, 朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター, 2024年9月16日–20日.
赤澤智熙, 李強, Guo-Qiang Lo, トープラサートポン カシディット, 高木信一, 竹中充, “InGaAs/Si ハイブリッドフォトトランジスタとオンチップSi 抵抗の一体集積によるTIA-less 光パワーモニタの実証”, 第85回応用物理学会秋季学術講演会,16p-A25-16, 朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター, 2024年9月16日–20日.
作本宙彌,宮武悠人,トープラサートポン カシディット,高木信一,竹中充, “GPUを用いた進化戦略計算によるInP-Siレイヤ間遷移光導波路設計”, 第85回応用物理学会秋季学術講演会,16a-A25-5, 朱鷺メッセ 新潟コンベンションセンター, 2024年9月16日–20日.
唐 睿, 大野修平, 谷澤健, 池田和浩, 岡野誠, トープラサートポン カシディット, 高木信一, 竹中充, “[招待講演] AI応用に向けた光行列演算回路”, 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE), 弘前大学文京町地区キャンパス 創立50周年記念会館, 2024年8月29日-30日.
大友将樹, トープラサートポン カシディット, 蔡作成, 劉振泓, 竹中充, 高木信一, “HZO/Si FeFETメモリにおける非積算性ディスターブ機構の解明及びその低減に向けた手法の提案”, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第252回研究集会, pp. 21-26, 金沢工業大学虎ノ門キャンパス, 2024年8月26日.
S. Takagi, K. Toprasertpong, Z. Cai, E. Nako, S.-Y. Min, Z. Liu, R. Suzuki, S.-K. Cho, R. Nakane and M. Takenaka, “HfZrO-based Ferroelectric Devices for Low Power Memory and AI Applications”, 招待講演, 第41回強誘電体会議, pp. 69-70, 京都産業会館ホール, 京都, 2024年6月12-15日.