Урок: 27. Напівпровідникова елементна база сучасної мікроелектроніки.
Відповіді надсилати на електронну пошту ВИКЛАДАЧЕВІ
Відповіді надсилати на електронну пошту ВИКЛАДАЧЕВІ
dtahome.32@gmail.com
Напівпровідникові прилади широко застосовуються в сучасній радіоелектроніці та мікропроцесорній техніці.
Напівпровідникові прилади широко застосовуються в сучасній радіоелектроніці та мікропроцесорній техніці.
Створення сучасних комп`ютерів та різноманітних ґаджетів стало можливим завдяки винайденню напівпровідникового транзистора – напівпровідникового елемента з двома електронно-дірковими переходами та трьома електродами, один з яких використовується для управління струмом між двома іншими.
Створення сучасних комп`ютерів та різноманітних ґаджетів стало можливим завдяки винайденню напівпровідникового транзистора – напівпровідникового елемента з двома електронно-дірковими переходами та трьома електродами, один з яких використовується для управління струмом між двома іншими.
Виводи транзистора називаються емітером, базою і колектором. Дві крайні області мають електропровідність одного типу, середня – іншого. У кожної області свій контактний вивід. Якщо крайні області з дірковою електропровідністю, а середня з електронною, то такий прилад називають транзистором р-п-р-типу. В п-р-п-транзисторах, навпаки, крайні ділянки з електронною електропровідністю, а між ними – область з дірковою електропровідністю.
Виводи транзистора називаються емітером, базою і колектором. Дві крайні області мають електропровідність одного типу, середня – іншого. У кожної області свій контактний вивід. Якщо крайні області з дірковою електропровідністю, а середня з електронною, то такий прилад називають транзистором р-п-р-типу. В п-р-п-транзисторах, навпаки, крайні ділянки з електронною електропровідністю, а між ними – область з дірковою електропровідністю.
Транзистор винайшли в 1947 р. Джон Бардін і Волтер Браттейн під керівництвом Шоклі з Bell Labs, за що отримали Нобелівську премію з фізики. Винахід транзистора став ключовим у розвитку обчислювальної техніки (зокрема комп`ютерів). Завдяки напівпровідниковим діодам та транзисторам вдалось досягти підвищення надійності в роботі обчислювальної техніки і зменшення габаритів і маси приладів.
Транзистор винайшли в 1947 р. Джон Бардін і Волтер Браттейн під керівництвом Шоклі з Bell Labs, за що отримали Нобелівську премію з фізики. Винахід транзистора став ключовим у розвитку обчислювальної техніки (зокрема комп`ютерів). Завдяки напівпровідниковим діодам та транзисторам вдалось досягти підвищення надійності в роботі обчислювальної техніки і зменшення габаритів і маси приладів.
Поява інтегральних схем, або кремнієвих чипів, у 70-ті роки XX ст. ознаменувала ще один великий етап у розвитку обчислювальної техніки, оскільки інтегральна схема здатна замінити тисячі транзисторів.
Поява інтегральних схем, або кремнієвих чипів, у 70-ті роки XX ст. ознаменувала ще один великий етап у розвитку обчислювальної техніки, оскільки інтегральна схема здатна замінити тисячі транзисторів.
Інтегральна мікросхема – мініатюрний мікроелектронний виріб, елементи якого нерозривно зв`язані конструктивно, технологічно та електрично.
Інтегральна мікросхема – мініатюрний мікроелектронний виріб, елементи якого нерозривно зв`язані конструктивно, технологічно та електрично.
Інтегральна мікросхема виконує певні функції перетворення і має високу щільність пакування електрично з’єднаних між собою елементів і компонентів, які є одним цілим з точки зору її використання як елемента мікроелектроніки.
Інтегральна мікросхема виконує певні функції перетворення і має високу щільність пакування електрично з’єднаних між собою елементів і компонентів, які є одним цілим з точки зору її використання як елемента мікроелектроніки.
Розрізняють напівпровідникові, плівкові, гібридні інтегральні схеми, які за видом оброблювальної інформації поділяються на цифрові та аналогові, а за складністю і якістю оцінки – на малі, середні, великі та надвеликі. Надвелика інтегральна схема (НВІС) – інтегральна мікросхема зі ступенем інтеграції понад 1000 елементів у кристалі. Одна така схема містить десятки тисяч транзисторів, які розміщуються на кристалі кремнію, меншому за людський ніготь.
Розрізняють напівпровідникові, плівкові, гібридні інтегральні схеми, які за видом оброблювальної інформації поділяються на цифрові та аналогові, а за складністю і якістю оцінки – на малі, середні, великі та надвеликі. Надвелика інтегральна схема (НВІС) – інтегральна мікросхема зі ступенем інтеграції понад 1000 елементів у кристалі. Одна така схема містить десятки тисяч транзисторів, які розміщуються на кристалі кремнію, меншому за людський ніготь.
Домашнє завдання:
Домашнє завдання:
Опрацювати матеріал і скласти конспект, § 12, с. 71, підручник Фізика і астрономія (рівень стандарту, за навчальною програмою авторського колективу під керівництвом Ляшенка О.І.) 11 клас авт. Головко М.В., Крячко І.П., Мельник Ю.С., Непорожня Л.В., Сіпій В.В.
Опрацювати матеріал і скласти конспект, § 12, с. 71, підручник Фізика і астрономія (рівень стандарту, за навчальною програмою авторського колективу під керівництвом Ляшенка О.І.) 11 клас авт. Головко М.В., Крячко І.П., Мельник Ю.С., Непорожня Л.В., Сіпій В.В.