Electronique

A.1 - Généralités sur la conduction : Structure de la matière, structure de l'atome, liaison covalente, les niveaux d'énergie, mécanisme de la conduction, quelques formule.

A.2 - Première approche de la jonction PN : Constitution, jonction PN en circuit fermé, présentation de la caractéristique DDP, effet d'avalanche, effet Zener, photodiode.

A.3 - Propos détaillés sur la diode en commutation : La réponse d'un circuit RC à un échelon de tension comme la décharge d'un circuit RC, la synthèse des formes de tension et courant dans un circuit RC soumis à un échelon de tension, des observations sur la modélisation d'une diode en Inverse comme en direct, l'établissement du courant direct au voisinage de la zone de transition, la commutation de l'état Bloqué à l'état passant  comme de l'état passant à l'état bloqué, des exercices corrigés sur les jonctions en commutation.

A.4 - Compléments sur l'étude des circuits : Convention récepteur / générateur et appareils réversibles, notion de dipôle, théorèmes de Thévenin / Norton, équations de Kirchoff, loi des mailles et théorème de Kennely.

A.1 - Première approche sur le transistor bipolaire : Constitution, convention de signe, étude séparée des jonctions, étude du transistor en montage base commune, ensemble émetteur-collecteur, prévisions expérimentales et explications.

A.2 - Le montage à émetteur commun : Montage, caractéristiques, paramètres hybrides, procédés de polarisation du transistor, pont diviseur et résistance de base, stabilisation thermique du transistor.

A.3 - Le transistor bipolaire en commutation : Les caractéristiques externes des états du transistor, l'état des porteurs minoritaires lorsque le transistor est bloqué / passant, le comportement des porteurs minoritaires dans la base lors du passage à l'état saturé, synthèse des signaux correspondant au transistor bipolaire en commutation, travail dirigé avec une correction très détaillée sur le transistor bipolaire en commutation, travail dirigé  avec une correction détaillée sur l'architecture de base d'une porte TTL, exemple de lecture d'une fiche technique.

A.4 : Amplification en régime statique et dynamique : Droite de charge, droite d'entrée, points de repos et de fonctionnement, étude de l'amplification en régime dynamique, amplification en courant et en puissance, quadrant d'entrée et de sortie, bande passante, influence de la résistance d'émetteur et commande, schéma équivalent du transistor.

A.1 - La diode en redressement : De la diode idéale à la diode réelle, quelques valeurs relatives à des montages redresseurs de base.

A.2 - Montages redresseurs ( débit sur résistor ) : Montage simple alternance, pont de Graetz monophasé, montage bi-alternance avec transformateur à point milieu.

A.3 - Montages redresseurs ( débit sur FCEM ) : Montage simple alternance, pont de Graetz monophasé, montage bi-alternance avec transformateur à point milieu.

A.4 - Redresseurs triphasés (débit sur résistor) : Redresseur simple, pont de Graetz triphasé.

A.1 - Première approche : Constitution, étude de la région N, relevé de la caractéristique d'émetteur, le générateur à impulsion, schéma équivalent.

A.2 - Propos détaillés sur le MOSFET en commutation : Les quatre types possibles de MOS, choix de la valeur de la résistance de charge Rl, série de deux travaux dirigés avec corrections détaillées sur les portes logiques utilisant une technologie MOS.