電気測定
半導体-金属電極界面のコンタクト抵抗を測定するための手法 電極と下地材料の間にオーミック接合の形成が要求される
Transfer length method (伝送長法)
電流のまわりこみを防ぐため、材料層のエッチング後に電極の形成を行う事が多い
CTLM
前述のTLMをリング状にしている
エッチングが不要で、電極形成だけで測定可能(無論リフトオフは必要、追加で必要ならアニール処理等実施)。
単一リング(Marlow&Das型):G. S. Marlow and M. B. Das, Solid-State Electron. 25(2), 91-94 (1982).
同心円(Reeves型):G. K. Reeves, Solid-State Electron 23(5), 487-490 (1980).
Reeves型はコンタクト抵抗を算出可能な条件が限定的らしい: C. Xu et al., Solid-State Electron 50(5), 843-847 (2006).
さらに低いコンタクト抵抗を測定するのであれば、クロスケルビン法(四端子法)が有効そう
Hall bar
Van der Pauw法: L. J. van der Pauw, Philips Tech. Rev. 20, 220 (1958).