熱酸化
ドライ酸化とウェット酸化の2種類に大きく分けらる。
ドライ酸化:酸素による酸化。酸化速度は遅いが、緻密な膜が形成されやすい
ウェット酸化:水蒸気による酸化。酸化速度はドライ酸化より早いが、酸化膜の密度が低くなる傾向にある
シリコンの加熱による酸化膜の形成
電気炉(管状炉)にSiウエハを入れ、加熱する
ニッカトーのアルミナボート上にウエハの小片を置いている
電源ON→1000℃(昇温に約35分)→温度保持→電源OFF、数時間自然冷却
空気中の水蒸気も寄与する(ウェット酸化)ので、夏と冬で微妙に酸化速度が変わるはず(未検証)
1000℃1時間、炉の中央(熱電対直上)
色味から判断すると150nm前後?
1000℃1時間、炉の端近く
温度分布のためか、膜厚が薄い(<100nm?)
炉の中央、熱電対付近
中央数cmは温度がほぼ均一とみられる
炉の端に置いたもの(画像左側が炉の外側に、右側が内側に向いている)