V

vacancies, 18

공공

valence band, 31–6, 32, 46–8, 54, 408

벨런스 밴드(결합 밴드)

valence electrons, 8

벨런스 전자(결합에 참여하는 전자)

velocity saturation

속도 포화

drift, 139–40

포동(드리프트)

in short-channel MOSFET

짧은 채널을 갖는 MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)에서

channel voltage, 622, 623, 624, 625

채널(channel) 전압

drain current expression, 621

드레인 전류 표현식

electron velocity, 622, 623, 624, 625

전자 속도

electrostatics, 697–8

정전계

gradual-channel approximation, 621

점진적 채널(gradual channel) 근사(GCA)

inversion layer charge, 622, 623, 624, 625

반전 영역 전하

lateral electric field, 622, 623, 624, 625

측면 전계

optical phonon emission, 620

광학 포논(phonon, 진동의 입자적 표현) 방출

performance, 620

성능

saturated drain current, 622

포화된 드레인 전류

sheet-charge approximation, 621

시트(sheet) 전하 근사

transconductance, 626

전달전도성(transconductance, 트랜스컨덕턴스)

very large scale integration (VLSI), 821

초고집적(VLSI)