B
back-bias effect, 483
벡-바이어스 효과 (=바디 효과)
back transconductance, 565, 579
벡(back) 전달전도성(벡 트랜스컨덕턴스)
band bending, 146, 377, 386, 453, 455
밴드 밴딩(밴드 휨)
bandgap engineering, 793
밴드갭 엔지니어링
bandgap narrowing, 71
밴드갭 축소(얇아짐)
vs. doping level, 825–6
도핑 준위(농도) 대비
heavy-doping effects, 74–7
고농도 도핑 효과
bandgap voltage reference circuits, 64
밴드갭 전압 기준 회로
band tailing, 71, 72
밴드 꼬리
band-to-band optical generation and recombination
밴드 간 광학적 생성 및 재결합
carrier generation and recombination, 84–5
캐리어 생성 및 재결합
thermal equilibrium, 89–91
열평형(열적 평형)
band-to-band thermal generation and recombination, 84, 90
밴드 간 열적 생성 및 재결합
band-to-band tunneling (BTBT), 662, 663
밴드 간 터널링 (BTBT)
base–collector depletion region, 711, 742, 770
베이스-컬렉터 공핍(디플리션) 영역
base resistance, 345, 781, 782
베이스 저항
components, 783
성분(요소)
lateral resistance, of intrinsic base, 783
측면 저항, 진성(intrinsic) 베이스
single base contact, 786
단일 베이스 접촉
two base contacts, 785
쌍 베이스 접촉
Bethe condition, 397
Bethe(베테) 조건(상태)
bipolar issues, MOSFET
양극성 이슈(문제), MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)
floating-body effects, in SOI MOSFETs, 798–801
플로팅 바디(몸체) 효과, SOI MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)
latch-up, 796–8
렛치-업(latch-up)
snap-back and breakdown characteristics, 801–2
스냅-벡(snap-back, 빠른 회귀) 및 항복 특성
bipolar junction transistor (BJT), 821
양극성 접합 트랜지스터 (BJT)
base–collector junction, 707
베이스-컬렉터 접합
base–emitter junction, 707
베이스-이미터 접합
bipolar design evolution
양극성 소자 디자인 진화
bandgap engineering, 793
밴드갭 엔지니어링
bipolar point contact transistor, 790
양극성 점 접촉 트랜지스터
dielectric isolation, 792
부도체를 이용한 격리
heterojunction bipolar transistor, 794
이종접합 양극성 트랜지스터
junction isolation, 791
접합 격리
planar bipolar transistor IC, 790
평면 양극성 트랜지스터 집적회로(IC)
polysilicon emitter, 791
폴리실리콘 이미터
scaling trajectory, 791
스케일링 방향(전략)
selectively implanted collector, 793
선택적 이온주입으로 형성된 컬렉터
self-aligned BJT designs, 792
자가 형성 BJT 디자인
emitter-stripe length, 707
이미터 영역의 길이
emitter-stripe width, 707
이미터 영역의 폭
ideal BJT
이상적인 BJT
assumptions, 710
가정
charge–voltage characteristics, 730–6
전하-전압 특성
collector–base junction area, 709
컬렉터-베이스 접합 면적
current–voltage characteristics, 711–30
전류-전압 특성
emitter–base junction area, 709
이미터-베이스 접합 면적
extrinsic region, 710
외인성(extrinsic, 비진성) 영역
intrinsic region, 710
진성(intrinsic) 영역
small-signal behavior, forward-active regime,
736–46
소신호 동작, 순방향 능동 동작 영역
MOSFET, 709
MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)
nonideal effects
비이상적 효과
base-width modulation, 747–55
베이스 폭 변조(변형)
breakdown voltage, 759–69
항복 전압
emitter-base space-charge region recombination,
755–6
에비터-베이스 공간 전하 영역에서의 재결합
high collector current effects, 769–80
과도한 컬렉터 전류로 인한 효과(현상)
impact ionization, 756–9
임펙트 이온화
nonuniform doping levels, 786–90
불균일 도핑 준위
parasitic resistance, 780–7
기생 저항
bipolar point contact transistor, 790
양극성 점 접촉 트랜지스터
blackbody light emission spectrum, 2
흑체 발광 스펙트럼
blackbody radiation, 2, 3, 85, 89
흑체 복사
body factor, 449, 450
보디(몸체) 요소
Boltzmann constant, 10, 817
Boltzmann(볼츠만) 상수
Boltzmann relations, 156–9, 297, 391, 476
Boltzmann(볼츠만) 관계
bonds and bands, 19–21
결합과 밴드
bound systems, 7
속박된 시스템(계)
breakdown voltage, 244, 248
항복 전압
avalanche breakdown, 760–5, 767–9
애벌랜치 항복
PN diode
PN 다이오드
breakdown voltage vs. doping level, 330, 331
항복 전압과 도핑 준위의 상관관계
condition, 330
조건(상태)
description, 328
묘사
impact ionization coefficient, 329
임멕트 이온화 변수
reverse, 328, 329
역
Zener breakdown, 330
제너 항복 현상
punchthrough breakdown, 765–9
펀치스루에 의한 항복 현상
of Schottky diode, 404, 405
쇼트키 다이오드
Brownian motion, 9, 133
브라운 운동