Embedded Files
negative-bias temperature stress (NBTS) 493
음의 바이어스와 온도로 인한 스트레스(NBTS)
negative flatband voltage shift, 490
플렛밴드 전압의 음의 방향으로의 이동
net recombination rate, 97
순재결합률
neutral impurity scattering, 134
중성 불순물에 의한 산란
nonideal effects, BJT
BJT의 비이상적 효과(현상)
base-width modulation
베이스 폭 변조(변형)
Early effect, 747–52
얼리(Early) 현상(효과)
reverse Early effect, 752–5
역 얼리(Early) 현상(효과)
breakdown voltage
항복 전압
avalanche breakdown, 760–5, 767–9
애벌랜치 항복
punchthrough breakdown, 765–9
펀치스루에 의한 항복 현상
emitter-base space-charge region recombination, 755–6
이미터-베이스 공간전하 영역에서의 재결합
high collector current effects
높은 컬렉터 전류 효과
base–collector junction, 770–5
베이스-컬렉터 접합
βF, impact on, 775–8
βF(BJT의 전류이득)에 미치는 영향
fT, impact on, 778–80
fT(단락회로에 대한 전류이득의 차단 주파수)에 미치는 영향
impact ionization, 756–9
임펙트(Impact) 이온화
nonuniform doping levels
불균일 도핑 준위
and device simulation tools, 787
그리고 소자 시뮬레이션 툴(도구)
integrated charge, 788
베이스 및 이미터의 도핑 농도의 적분으로 얻어지는 전하량
quasi-neutral emitter, 789
유사(quasi, 준) 중성상태의 이미터
two-dimensional computer-aided process, 787
2차원 컴퓨터 기반의 프로세스
parasitic resistance, 780–7
기생 저항
nonideal effects, MOSFET
MOSFET에서의 비이상적 현상(효과)들
back bias, effect of, 576
벡 바이어스 효과
equivalent circuit models, 579, 580
등가 회로 모델
ideal I–V characteristics, 578
이상적인 전류-전압(I-V) 특성
nonideal effects, MOSFET (continued)
MOSFET에서의 비이상적 현상(효과)들
output characteristics, 578, 579
출력 특성
transfer characteristics, 577, 578
전달 특성
body effect, 571
몸체 효과(body effect)
body-effect coefficient, 576
몸체 효과(body effect) 계수
deleterious effect, 575
유해한 영향
drain current, 573, 574, 575, 576
드레인 전류
drain-to-source voltage, 575
드레인-소스 전압
gate overdrive, 572, 573
게이트 오버드라이브(과도한 바이어스 인가)
impact of, 575
임펙트
output characteristics, 576, 577
출력 특성
channel-length modulation
채널 길이 변조(변형)
channel debiasing, 580
채널 바이어스 제거하기
channel voltage, 582
채널 전압
electron velocity, 581, 582
전자 속도
impact of, 584
임펙트
inversion layer charge density, 582
반전 층에서의 전하 밀도
lateral electric field, 581, 582
측면 전계
output characteristics, 583
출력 특성
output conductance, 584, 585
출력 전도성
parameter, 583
매개변수
pinch-off region, 581, 582
핀치-오프(pinch-off) 영역
source and drain resistance
소스와 드레인 저항(성)
consequence, 590
결과
extrinsic transconductance, 593
외인성(비진성) 전달전도성(transconductance, 트랜스컨덕턴스)
internal voltages, 590, 591
순전압
intrinsic transconductance, 593
진성 전달전도성(transconductance, 트랜스컨덕턴스)
ohmic drop, 591
저항 강하(저항 양단에 발생하는 전압 강하)
output characteristics, 591, 592
출력 특성
ON resistance, 592
온 저항
small-signal equivalent circuit model, 593
소신호 등가 회로 모델
total resistance, 592
총 저항
subthreshold regime
서브스레쉬홀드 동작영역(subthreshold regime)
conduction band edge, 587
컨덕션 밴드(전도 밴드, 전도대) 초소점
depletion region, 587
공핍(드플리션) 영역
drain current vs. gate–source voltage, 586
드레인 전류와 게이트-소스 전압의 상관관계
electron diffusion, 588
전자의 확산
ideality factor, 588
이상성 요소(ideality factor)
output I–V characteristics, 584, 585
출력 전류-전압(I-V) 특성
subthreshold characteristics, 589
서브스레쉬홀드 특성
subthreshold swing, 589, 590
서브스레쉬홀드 스윙(subthreshold swing)
nonideal effects, MOS structure
비이상적 효과, MOS 구조
interface states
계면 상태
acceptor-type, 494, 495, 497
억셉터형
C–V characteristics, 495
C-V(커패시턴스-전압) 특성
definition, 493
정의
donor-type, 494, 495, 497
도너형
evolution of charge, 494
전하량의 변화
Fermi level, 494
페리미 준위(준위)
quasi-static equivalent circuit model, 496
유사(준) 정전계에서의 등가 회로 모델
subthreshold swing, 496, 497
서브스레쉬홀드 스윙(subthreshold swing)
oxide charge, 489
옥사이드 내 전하(oxide charge)
electric field, 490, 491
전계
electrostatic potential, 490, 491
정전위
energy band diagram, 490, 491
에너지 밴드 다이어그램
Gauss theorem, 490
가우스(Gauss) 정리
high-frequency C–V characteristics, 492, 493
고주파 C-V(커패시턴스-전압) 특성
negative flatband voltage shift, 490
플렛밴드 전압의 음의 방향으로의 이동
volume charge density, 490, 491
부피 전하 밀도(단위 부피당 전하량)
nonidealities and second-order effects, PN diode
비이상성 및 2차 효과, PN 다이오드
breakdown voltage, 328–30, 331
항복 전압
high-level injection effects, 337–40, 339
고준위(high-level) 주입 효과
nonuniform doping distributions, 331–7
불균일한 도핑 분포
series resistance, 326–8
직렬 저항
short diode, 320–2
숏 다이오드(확산 길이에 비해 QNR이 짧은 다이오드)
space-charge generation and recombination, 322–6
공간 전하의 생성과 재결합
nonideal Schottky barrier height, of metal–semiconductor
금속-반도체의 비이상적 쇼트키(Schottky) 장벽 높이
junctions, 416–19
접합
non-Si channel materials, CMOS technology, 692
비 실리콘 채널 물질, CMOS 기술
nonuniform doping distributions, PN diode
불균일한 도핑 분포, PN 다이오드
depletion capacitance, 332–4
공핍(드플리션) 용량
I–V characteristics, 335–6
전류-전압(I-V) 특성
minority carrier storage, 336–7
소수 캐리어 저장
nonuniformly doped semiconductor in thermal equilibrium
열평형에서 불균일하게 도핑된 반도체
Boltzmann relations, 156–9
Boltzmann(볼츠만) 관계
equilibrium carrier concentration, 159–68
평형상태에서의 캐리어 농도
Gauss’ law, 153–6
가우스 법칙
npn bipolar transistor, 205
npn 양극성 트랜지스터
np product in equilibrium, 56–8
평형상태에서의 전자와 홀 농도의 곱(np)
1N5711 Schottky diode, I–V characteristics, 369, 370, 401, 403
1N5711 쇼트키 다이오드, 전류-전압(I-V) 특성
n-type semiconductor, 60, 66, 71, 95
n형(n-type) 반도체
Google Sites
Report abuse