I

ideal bipolar junction transistor (BJT)

이상적 BJT (양극성 접합 트랜지스터)

assumptions, 710

가정

charge–voltage characteristics, 730, 736

전하-전압 특성

depletion charge, 731–2

공핍(드플리션) 전하

minority carrier charge, 732–5

소수 캐리어 전하

collector–base junction area, 709

컬렉터-베이스 접합 면적

current–voltage characteristics, 711

전류-전압(I-V) 특성

base–collector junction, 714

베이스-컬렉터 접합

cut-off regime, 725–7

차단 영역

double-diode structure, 713

쌍 다이오드 구조

emitter doping, 714

이미터 도핑

FAR, 712, 715

FAR

forward-active regime, 716–23

순방향 능동 동작 영역

MOSFET, 714, 715

MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

output I–V characteristics, 729–30

출력 전류-전압(I-V) 특성

reverse regime, 723–5

역방향 동작 영역

saturation, 712

포화

saturation regime, 727–8

포화 동작 영역

emitter–base junction area, 709

이미터-베이스 접합 면적

extrinsic region, 710

외인성 영역

intrinsic region, 710

진성(intrinsic) 영역

small-signal behavior, forward-active regime

소신호 동작, 순방향 능동 동작 영역

common-emitter short-circuit current-gain cut-off frequency, fT, 737–46

공통 이미터 단락회로(short-circuit)에 대한 전류이득(current gain)의 차단 주파수(cut-off frequency)

small-signal equivalent circuit model, 736–7

소신호 등가 회로 모델

ideality factor, 478, 588

이상적 요소

ideal MOSFET see metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET)

이상적인 MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

ideal MOS structure see metal–oxide–semiconductor (MOS)

이상적인 MOS 구조

Structure

구조

impact ionization, 87, 181–4, 243

임펙트(Impact) 이온화

coefficient, 182

계수

and substrate current, in MOSFET, 651–7

MOSFET에서의 기판 전류

threshold energy, 183

문턱 전압

impurity band, 71

불순물 밴드(대역)

impurity level degeneracy, 67

불순물 준위(준위) 축퇴

indirect bandgap, 85

간접 밴드 갭

injection-independent lifetime, 125

주입 독립적 수명

integrated circuit (IC), 31, 281, 340, 665, 821

집적 회로(IC)

integrated PN diode

집적 PN 다이오드

device isolation, 340–3

소자 격리

high–low junction, 345–8

high-low 접합

series resistance, 343–5

직렬 저항

integrated resistor, 215

집적 저항

device terminal current, 214

소자 단자 전류

doping profiles, 215, 216

도핑 프로파일(profile)

nonlinear I–V characteristics, 215, 216

비선형 전류-전압(I-V) 특성

sheet resistance, 216–18

시트(sheet) 저항

integrated Schottky diode, 369, 370, 405–7

집적 쇼트키(Schottky) 다이오드

interface roughness scattering mechanism, 615

계면 러프니스(roughness) 산란 매커니즘

interstitials, 18

침입형 불순물

intrinsic carrier concentration, 37

진성(intrinsic) 캐리어 농도

intrinsic Fermi level, 59

진성(intrinsic) 페르미(Fermi) 준위(준위)

intrinsic semiconductor

진성 반도체

activation energy, 37

활성화 에너지

Arrhenius plot, 38, 39

아레니우스(Arrhenius) 도표

bond dissociation reaction, 38

결합 분리 반응

crystalline bond, 37

결정 결합

definition, 36

정의

dissociation reaction, 39

분리 반응

intrinsic carrier concentration, 37

진성(Intrinsic) 캐리어 농도

law of mass action, 37

질량 작용 법칙

thermal equilibrium, 36

열 평형 상태

intrinsic transconductance, 593

진성(intrinsic) 전달전도성(transconductance, 트랜스컨덕턴스)

inverse subthreshold slope, 478

서브스레쉬홀드 기울기(subthreshold slope)의 역수

Inversion

반전

MOSFET see metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET)

MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)

MOS structure, 459

MOS(금속산화물반도체) 구조

carrier concentration, 461

캐리어 농도

charge–control relation of the inversion layer, 462

반전영역에의 전하 의존성 관계

definition, 453

정의

dynamic model for, 465

동적(dynamic) 모델

electric field, 460, 461

전계

electrostatic potential, 460, 461

정전위

energy band diagram, 460, 461

에너지 밴드 다이어그램

sheet-charge approximation, 461

시트(sheet) 전하 근사

volume charge density, 461

체적 전하 밀도 (단위 부피당 전하량)

weak, 476–8

약한

ionized impurity scattering, 134

이온화된 불순물에 의한 산란