D
de Broglie wavelength, 5, 6, 408
드 브로이(de Broglie) 파장
Debye length, 163–5, 167, 213, 214, 224, 237, 467
디바이(Debye) 길이
deep depletion
과도한 공핍(디플리션)
definition, 471, 472, 473
정의
energy band diagrams, 474, 475
에너지 밴드 다이어그램
semiconductor capacitance, 474
반도체의 용량(커패시턴스)
voltage step, 472, 473
전압 스탭
deep levels/traps, 86
깊은 레빌/트랩
delta doping, 160–3
델타(delta, 국부적으로 매우 얇게 도펀트(불순물) 층을 형성하는) 도핑
density of states (DOS), 23–4, 497, 821
상태 밀도(DOS)
electron effective mass, 48
전자의 유효 질량
hole effective mass, 48
정공의 유효 질량
depletion
(캐리어) 공핍
approximation, 286, 332, 349–50, 447, 448, 511
근사
charge, 309–10, 731–2
전하(량)
deep, 471–5
과도한
MOSFET, 556–7
MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)
MOS structure
MOS(금속산화물반도체) 구조
carrier concentration, 454
캐리어 농도
definition, 453
정의
electrostatic potential, 454
정전위
energy band diagram, 453, 454
에너지 밴드 다이어그램
volume charge density, 454
체적 전하 밀도 (단위 부피당 전하량)
dielectric isolation, 792, 793
유전체 격리
dielectric relaxation, 229, 230, 251–3, 311, 470
유전체 이완
dielectric relaxation time, n- and p-type Si, 229–30
유전체 이완 시간
diffusion
확산
capacitance, PN junction diode, 318, 319
PN 접합 다이오드의 용량(커페시턴스)
and carrier drift see carrier drift and diffusion
캐리어의 표동, 캐리어의 표동과 확산
coefficient, 148
계수
current, 150–1
전류
Einstein relation, 149–50
아인슈타인(Einstein) 관계
electron, 588, 598
전자
Fick’s first law, 147–8
Fick의 제1 법칙
minority carrier situations
소수 캐리어 상황
bulk recombination in a “long” bar, 220–5
긴 구역에서의 벌크(bulk) 재결합
drift, and recombination in short bar, 253–5
짧은 구역에서의 표동 및 재결합
surface recombination in a “short” bar, 225–7
짧은 구역에서의 표면 재결합
diode saturation current, 303
다이오드 포화 전류
direct bandgap, 85
직접 밴드갭
direct current (DC), 821
직류 전류 (DC)
donor and acceptor ionization, statistics of, 66–8
도너와 억셉터의 이온화 통계
donor degeneracy factor, 67
도너의 축퇴 요소
donor ionization energy, 42
도너 이온화 에너지
donor states, 486, 487
도너 상태
doping distribution, 159
도핑 분포
doping level fluctuations, 72
도핑 준위 불균일
double-gate FET, 691
게이트가 두 개인 전계효과트랜지스터(FET)
double-gate MOSFET, 691
게이트가 두개인 MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)
drain current and transconductance, in MOSFET, 616, 619
MOSFET의 드레인 전류 및 전달전도성 (트랜스컨덕턴스)
drain-induced barrier lowering (DIBL), 632–6, 657, 660, 661
드레인 전압에 의한 장벽 감쇄 현상 (DIBL)
drift
표동(드리프트)
drift current, 140–4
표동 전류
drift velocity, 136–9
표동 속도
energy band diagram under electric field, 144–7
전계(가) (인가된) 하에서의 에너지 밴드 다이어그램
velocity saturation, 139–40
속도 포화
drift-diffusion formulation, 206
표동-확산 형성
drift-diffusion model, 390, 420–2
표동-확산 모델
drift velocity, 136–9, 827–8
표동 속도
dynamic power, 669
동적 전력
dynamic random-access memory (DRAM), 83, 821
동적 무작위 접근 메모리(DRAM)
dynamics
동역학
excess carriers in uniform situations
균일한 상황에서의 과잉 캐리어
first-order differential equation, 109
1차 미분 방정식
internal vs. external generation, 108, 109
순및 외부 생성
pulse of light, 111–15
광 펄스
quasi-neutrality statement, 109
유사(준) 중성상태에 대한 표현
turn-off transient, 110–11
꺼지는 과도기
turn-on transient, 110
켜지는 과도기
minority carrier situations
소수 캐리어 상황
dominant time constant, 236–7
우세한 시정수(시상수)
spatial dependence and time dependence, 234
공간적 시간적 의존성
time decay of excess carrier concentration in semiconductor
반도체 내 과잉 캐리어 농도의 시간에 따른 감소
bar, 231, 235
막대
time-dependent equation, 233
시간 의존 방정식
transient problems, 232
과도기 문제들
transit time, 235–6
주행 시간
of MOS structure see metal–oxide–semiconductor (MOS)
structure
MOS 구조, 금속산화물반도체(MOS)에 관한