G

Ga antisite defects, 18

갈륨(Ga) 치환형 결함

GaAs

갈륨비소(GaAs)

bandgap vs. temperature, 825

밴드갭과 온도와의 상관관계

value of, 819

값(가치)

gamma function, 178

감마(Gamma) 함수

Gate-All-Around MOSFET (GAA–MOSFET), 691

게이트가 채널을 사방으로 모두 둘러싼 MOSFET(GAA-MOSFET)

gate capacitance, of MOSFET, 638–44

MOSFET의 게이트 용량

gate-induced drain leakage (GIDL), MOSFET

MOSFET의 게이트 전압에 의한 드레인 전류 누설 현상 (GIDL)

description, 664

묘사(설명)

feature, 663

특징

gate–drain overlap region, 661–3

게이트-드레인 사이의 오버랩(overlap, 겹치는) 영역

subthreshold characteristics, 661, 662

서브스레쉬홀드 특성

vertical energy band diagram, 663, 664

수직 방향으로의 에너지 밴드 다이어그램

gate leakage current, of MOSFET, 644–6

MOSFET의 게이트 누설 전류

Gauss’ law, 153–6, 202, 482, 597

가우스 법칙

generalized scaling, of MOSFET, 673–5

MOSFET의 일반적 스케일링(크기 조절)

generation lifetime, 122–3

생성 수명

gradual-channel approximation (GCA), 540, 541, 597–8

점진적 채널(gradual channel) 근사(GCA)

Gummel number, 336, 788, 790

굼맬(Gummel) 수