T
Taylor series, 69, 113, 162, 314, 565, 823
테일러 급수(Taylor series)
temperature dependence of the bandgap, 63–4
밴드 갭의 온도에 대한 의존성
thermal energy, 10
열 에너지
thermal equilibrium, 10–12
열 평형상태
Auger generation and recombination, 91–2
오제(Auger) 생성 및 재결합
band-to-band optical generation and recombination, 89–91
밴드 간 광적 생성 및 재결합
principle of detailed balance, 88–9
세부적 균형에 관한 원리
trap-assisted thermal generation and recombination, 92–6
트랩의 도움에 의한(trap-assisted) 열적 생성 및 재결합
thermal motion
열 운동(thermal motion)
scattering, 133–6
산란(스케터링, scattering)
and thermal energy, 9–10
그리고 열 에너지
thermal velocity, 132–3
열 에너지에 의한 캐리어 속도(thermal velocity)
thermal voltage, 149
열 전압(thermal voltage)
thermionic emission model, Schottky diode
쇼트키(Schottky) 다이오드 열전자 방출 모델
Bethe condition, 397
Bethe(베테) 조건(상태)
electron concentration, 391–3
전자 농도
electron velocity distribution, 393
전자 속도 분포
forward bias, 390
순방향 바이어스
hemi–Maxwellian distribution, 391, 392
헤미-맥스웰(Hemi–Maxwellian) 분포
hole quasi-Fermi level, 398
정공의 유사(준) 페르미 준위(준위)
net diode current, 393
내부(net) 다이오드 전류
PtSi/n-Si junction, 394–6
PtSi/n-Si 접합
quasi-equilibrium approximation, 391
유사(준) 평형 상태 근사
quasi-equilibrium assumption, 397
유사(준) 평형 상태 가정
Richardson constant, 393
리챠드슨(Richardson) 상수
saturation current, 394
포화 전류
three-dimensional MOSFET, 691
3차원 MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)
threshold, MOS structure
MOS 구조의 문턱 전압
carrier concentration, 458
캐리어 농도
definition, 453, 458
정의
electric field, 458
전계
electrostatic potential, 458
정전위
energy band diagram, 457, 458
에너지 밴드 다이어그램
voltage, 458, 459, 460
전압
volume charge density, 458
부피 전하 밀도(단위 부피당 전하량)
threshold voltage roll off, 629
문턱 전압(threshold voltage)의 급격한 감쇠(roll off)
transconductance
전달전도성(transconductance, 트랜스컨덕턴스)
back, 579
벡(back,역)
definition, 565
정의
extrinsic, 593
외인성
intrinsic, 593
진성(본질적)
and output conductance, 593
그리고 출력 전도성
transistor–transistor logic (TTL), 821
트랜지스터-트랜지스터 로직(TTL)
transit time, 151–3, 235–6
주행 시간(transit time)
transmission-line equivalent circuit model, for ohmic contacts, 411–14
저항성 접촉(ohmic contact)에 대한 전송선(transmission-line) 등가 회로 모델
transparent region, PN diode, 335
PN 다이오드의 투명 영역
trap-assisted thermal generation and recombination, 85–8
트랩의 도움에 의한(trap-assisted) 열적 캐리어 생성 및 재결합
capture and emission coefficients, 94
포획 및 방출 계수
capture of electrons, 93
전자 포획
electron capture coefficient, 93
전자 포획 계수
electron emission, 93
전자 방출
electron emission coefficient, 93
전자 방출 계수
hole capture, 93
정공 포획
hole emission, 93
정공 방출
Maxwell–Boltzmann statistics, 92
맥스웰-볼츠만(Maxwell–Boltzmann) 통계
n-type semiconductor, 95
n형 반도체
Si microelectronic devices, 92
실리콘(Si) 마이크로(미세) 전자 소자
Trigate MOSFET, 691
게이트가 채널의 3면을 둘러싼 MOSFET
tunneling, 6, 84, 87, 330, 409
터널링
turn-off transient, 110–11
꺼지는 과도기(turn-off transient)
turn-on transient, 110
켜지는 과도기(turn-on transient)