Embedded Files
saturated drift velocity, 139
포화된 표동 속도
scattering, 133–6
산란
scattering time, 135
산란 시간
Schottky barrier height, 378–80
쇼트키(Schottky) 장벽 높이
Schottky diode, 354
쇼트키(Schottky) 다이오드
assumptions, 371
가정
bipolar process, 406
바이폴라 공정(양극성 소자 공정)
breakdown voltage, 404, 405
항복 전압
charge–voltage characteristics, 399–400
전하-전압 특성
for circuit CAD, 423
회로 CAD를 위한
circuit symbol, 371
회로 심벌(기호)
CMOS process, 406
CMOS 공정
conduction band diagram, in forward bias,
순방향 바이어스 하에서의 컨덕션 밴드(전도 밴드, 전도대) 다이어그램
391, 392
cost considerations, 405
비용에 대한 고려사항
current–voltage characteristics
전류-전압(I-V) 특성
drift-diffusion model, 390
표동-확산 모델
electron flow, 388, 389
전자의 흐름
electrostatics under bias, 384–7
바이어스 하에서의 정전계
majority and minority carrier, 387
다수 및 소수 캐리어
thermionic emission model, 390–9
열 이온성(열전자) 방출 모델
equivalent circuit model, 400–1, 423–4
등가 회로 모델
GaN Schottky diode, 401, 402
GaN 쇼트키 다이오드
integrated, 369, 370
집적
vs. PN diode, 369
PN 다이오드
schematic representation, 370, 371
도식적 표현
Schottky metal selection, 407
쇼트키(Schottky) 다이오드의 금속 선택
series resistance, 401, 403
직렬 저항
switching characteristics, 424–7
스위칭 특성
switch-off transients, 425–7
스위치-오프(꺼지는) 과도기
switch-on transients, 425–7
스위치-온(켜지는) 과도기
in thermal equilibrium
열 평형 상태에서
metal–metal junction, 372–6
금속-금속 접합
metal–semiconductor junction, 376–84
금속-반도체 접합
Schottky–Mott relation, 378
쇼트키-모트(Schottky-Mott) 관계
selectively implanted collector (SIC), 793
선택적 이온주입으로 형성된 컬렉터 (SIC)
self-aligned silicided n-channel MOSFET, 683–4
자가 형성된 실리사이드를 갖는 n-채널(전자를 주된 캐리어로 하는) MOSFET
semiconductor bar under voltage, 212–14
전압이 인가된 하에서의 반도체 막대(bar)
semiconductor capacitance, 467
반도체 커패시턴스
semiconductor surface
반도체 표면
ideal surface, 436
이상적인 표면
semiconductor bonding, 436, 438
반도체 결합
surface contamination, 437
표면 오염
surface passivation, 438, 439
표면 안정화(passivation, 패시베이션)
surface reconstruction, 437
표면 재구성
virtual crystal, 436
가상 결정
series resistance
직렬 저항
PN diode
PN 다이오드
equivalent circuit models, 327
등가 회로 모델
I–V characteristics, 326
전류-전압(I-V) 특성
ohmic contact resistance, 327
저항성 접촉 저항
total resistance, 328
총 저항
of Schottky diode, 401, 403
쇼트키 다이오드
shallow levels, 86
얇은 준위
shallow trench isolation (STI), 532, 821
얇은 트렌치(trench, 도랑)을 이용한 소자 격리 (STI)
sheet carrier concentration, 538
시트(sheet) 캐리어 농도
sheet-charge approximation (SCA), 456, 461, 463, 516, 539, 596
시트 전하 근사 (SCA)
sheet-charge density, 539
시트(sheet) 전하 밀도
sheet electron concentration, 596
시트(sheet) 전자 농도
Shockley equations
쇼클리(Shockley) 방정식
Gauss’ law, 202–3
가우스의 법칙(Gauss’law)
one-dimensional quasi-neutral solutions, 205–9
1차원 유사 중성(준중성) 해(solution)
voltage, 203–4
전압
Shockley–Read–Hall model
쇼클리-리드-홀 모델
generation lifetime, 122–3
생성 수명
high-level injection, 123–5
고준위(high-level) 주입
net recombination rate, 119
순재결합률
recombination lifetime, 120–2
재결합 수명
trap concentration, 119
트랩 농도
trap location, 119
트랩의 위치
short-channel MOSFET
짧은 채널을 갖는 MSOFET
electron transport
전자 수송
mobility degradation, 614–20
캐리어 이동도 열화
velocity saturation, 620–7
속도 포화
electrostatics, 627
정전계
drain-induced barrier lowering, 632–6
드레인 전압에 의한 장벽 감쇄 현상 (DIBL)
gate capacitance, 638–44
게이트 커패시턴스
gate leakage current, 644–6
게이트 누설 전류
subthreshold swing and threshold voltage evolution, 628
서브스레쉬홀드 스윙(subthreshold swing)과 문턱 전압 변화
subthreshold swing dependence on gate length and VDS, 636–8
서브스레쉬홀드 스윙(subthreshold swing)의 게이트 길이와 드레인 전압에 대한 의존성
threshold voltage dependence on gate length, 628–32
문턱 전압의 게이트 길이에 대한 의존성
short-circuit current-gain cut-off frequency (fT)
단락회로(short-circuit)에 대한 전류이득(current gain)의 차단 주파수(cut-off frequency)
BJT, 737–46, 778–80
BJT (양극성 접합 트랜지스터)
MOSFET
MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)
bias dependence, 569
바이어스 의존성
Bode plot, 569
보드(Bode) 선도
circuit configuration, 567, 568
회로 구성
delay time, 570
지연 시간
drain current, 570
드레인 전류
gate and drain currents, 568
게이트와 드레인의 전류
transit time, 570–1
주행 시간(transit time)
short PN diode
숏 PN 다이오드
energy band diagram, 323
에너지 밴드 다이어그램
minority carrier profiles, 320–1
소수 캐리어 프로파일
saturation current, 321
포화 전류
total stored charge in, 322
총 축적 전하량
Si
실리콘(Si)
bandgap narrowing vs. doping level, 825–6
밴드 갭 얇아짐과 도핑 준위(농도)와의 상관관계
bandgap vs. temperature, 825
밴드 갭과 온도의 상관관계
carrier lifetime vs. doping level, 826
캐리어 수명과 도핑 준위(농도)와의 상관관계
drift velocity vs. electric field, 827–8
표동 속도와 전계의 상관관계
impact ionization coefficients vs. electric field, 827
임펙트(Impact) 이온화 계수와 전계와의 상관관계
inversion layer mobility vs. effective electric field, 827
반전 영역에서의 이동도와 유효 전계와의 상관관계
microelectronic devices, 92
마이크로(미세) 전자 소자
mobility vs. doping level, 826
이동도와 도핑 준위(농도)와의 상관관계
Si surface and MOS structure see metal–oxide–semiconductor(MOS) structure
실리콘 표면과 MOS 구조
value of, 819
값(가치)
silicon-on-insulator (SOI), 686, 821
실리콘 온 인슐레이터(SOI, 절연층 위에 실리콘층이 형성된 구조)
small-signal equivalent circuit model
소신호 등가 회로 모델
ideal BJT, 736–7
이상적인 BJT
MOSFET, 566
MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)
back transconductance, 565
벡(back) 전달전도성(transconductance, 트랜스컨덕턴스)
DC bias situation, 564, 565
직류 바이어스 상황
output conductance, 565, 566, 593
출력 전도성
saturation regime, 567
포화 동작 영역
small-signal situation, 564, 565
소신호 상황
transconductance, 565, 593
전달전도성(transconductance, 트랜스컨덕턴스)
parasitic resistance, 781
기생 저항
PN diode, 319
PN 다이오드
Schottky diode, 400
쇼트키(Schottky) 다이오드
solid-state physics, 17–19
고체 물리
bonds and bands, 19–21
결합과 밴드
density of states, 23–4
상태 밀도(DOS)
lattice vibrations, 24–6
격자의 진동
metals, insulators and semiconductors, 21–3
금속, 부도체 및 반도체
space-charge and high-resistivity regions
높은 저항성을 띠는 공간 전하 영역
dielectric relaxation time, 237
유전체 이완 시간
drift under external electric field, 238–41
외부에서 걸어주는 전계 하에서의 표동
equation set, 238
방정식 모음
SCR vs. QNR transport, 241–5
SCR과 QNR 각각에서의 수송 간의 상관관계
space-charge generation and recombination, PN diode
공간 전하 영역에서의 생성과 재결합, PN 다이오드
ideality factor, 325
이상성 요소
I–V characteristics, 322–4
전류-전압(I-V) 특성
SCR saturation current, 325
공간 전하 영역에서의 포화 전류
space-charge regions (SCRs), 237, 821
공간 전하 영역
vs. QNR, 241–3
유사(준) 중성 영역(Quasi Neutral Region, QNR) 대비
Shockley equations, 238
쇼클리(Shockley) 방정식
speed of light in vacuum, 817
진공에서의 빛의 속도
static power, 669
정적 전력
static random access memory (SRAM), 821
정적 램 (SRAM, 정적 임의접근기억장치)
statistical mechanics
통계 동역학
electron statistics, 12–17
전자 통계
thermal equilibrium, 10–12
열 평형상태
thermal motion and thermal energy, 9–10
열 운동(thermal motion)과 열 에너지
strained n-channel and p-channel MOSFET, 687–8
전자 혹은 정공을 주된 캐리어로 하는 채널 물질의 격자 구조가 이완 혹은 수축된 MSOFET
subthreshold current, 476, 586, 588, 589, 598
서브스레쉬홀드 전류
subthreshold swing, 478, 496–8, 589, 590
서브스레쉬홀드 스윙(subthreshold swing)
dependence on gate length and VDS, 636–8
게이트 길이와 드레인 전압에 대한 의존성
and threshold voltage evolution, 628
그리고 문턱 전압 변화
super-steep retrograde (SSR) body doping, 685
바디(몸체)의 급격한 역행 도핑 (SSR)
surface continuity equations
면에 대한 연속 방정식
boundary condition, 196–8
경계 조건
free surface, 196–8
자유 (표)면
ohmic contact, 198–202
저항성 접촉
surface generation and recombination, 115–17
표면 생성 및 재결합
surface generation velocity, 117
표면 생성 속도
surface neutrality level, 486, 487
표면 전하 중성 준위(준위)
surface passivation, 438, 439
표면 안정화(passivation, 패시베이션)
surface potential, 446, 449, 451, 455
표면 전위
in accumulation, 456
축적 상태에서
in inversion, 462
반전 상태에서
vs. semiconductor charge, 463
반도체 전하 대비
at threshold, 458, 459
문턱 전압 에서
vs. voltage, 463
전압 대비
surface recombination velocity, 116
표면 재결합 속도
surface reconstruction, 437
표면 재구성
surface roughness scattering, 135
표면 거칠기(roughness) 산란
surface states, 437
표면 상태
acceptor states, 486, 487
억셉터 상태
charge neutrality level, 489
전하 중성 준위(준위)
definition, 486
정의
donor states, 486, 487
도너 상태
Fermi level pinning, 487, 488
페리미 준위(준위) 고정(잠김)
surface neutrality level, 486, 487
표면 전하 중성 준위(준위)
thermal equilibrium, band structure in, 488
열 평형상태에서의 밴드 구조
switching
스위칭
characteristics, PN junction diode
PN 접합 다이오드의 특성
internal and external currents, 356, 357
내부와 외부의 전류
minority carrier recombination, 354–6
소수 캐리어 재결합
parameters for CAD, 354
CAD에 사용되는 매개변수
reverse recovery time, 355
역방향 회복 시간
in SPICE, 357–8
SPICE에서
switch-off transient, 354, 355
스위치-오프(꺼지는) 과도기
delay, 669
지연
energy, 669
에너지
of MOSFET, 667–9
MOSFET(금속산화물반도체 전계효과트랜지스터)
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