どんな研究をしているの？

現在、多くのデバイスに使われている材料はシリコン(Si)と呼ばれる半導体です。半導体材料にはSi以外にもいろんな種類があり、私たちが主に扱っているのは、バンドギャップエネルギーの大きい半導体（ワイドギャップ半導体）です。

ワイドギャップ半導体は、Siと比べてより高い電圧をかけても壊れにくく、より高い温度でも動作するという特長があり、電化製品の省エネ・小型化だけでなく、Siではできない新たな機能を出すことができます。例えば、窒化ガリウム(GaN)は、青色LED、ブルーレイ用の青色レーザーダイオードや5G通信用の高周波パワーデバイスに使われています。GaN以外にも、炭化珪素(SiC)、酸化ガリウム(Ga2O3)、ダイヤモンド(C)などがあり、それぞれ特長が違います。

ご興味のある方は、是非、下記イベントにご参加下さい。随時、面談も受け付けていますので、奥村までご連絡ください。

研究成果

主なプロジェクトとして、下記6つがあります。

最新の研究成果はコチラをご参照下さい。日本語の報告書はコチラをご参照ください。各種デバイスのプロセス手順はコチラに公開しています。

共同研究に興味のある方

1時間程度の打ち合わせをオンラインでさせて頂いております。個別に対応させて頂きますので、気軽にご連絡ください。これまで、製品の展開範囲を広げたい、製品の周辺知財を抑えておきたい、製品を使ってみたfeedbackがほしい、と言ったご相談を頂いております。特許出願や論文投稿に至ったケースもあります。企業との共同研究による論文は、全て共著でopen access(世界中の誰もが無料で閲覧可能な状態)で出版されています：例１、例２。また、本研究室の実験装置は外部の方でもご利用になれます。気軽にご連絡ください。

本研究室で働いてみたい方

いつでもご連絡ください。年度ごとに財政状況が変わるので、ご都合に合わせて個別に対応させて頂きます。博士後期課程学生は、有給で雇用させて頂きます。ポスドクは、裁量労働制で、給与は学振PD相当かそれ以上で雇用させて頂きます。実験補助や秘書業務は、週3勤務や10-15時勤務など、フレキシブルに対応させて頂きます。手続きに２～３か月かかるので、早めにご連絡ください。

本研究室に配属希望の方

本研究室は、真にあらゆるモノ(宇宙・地中・体内)がつながる世界を目指して、ワイドギャップ半導体を使った新規デバイスの研究しています。下記のように、固体物理学、量子力学、結晶学、電子工学、光物性工学を駆使して、マテリアルから物理、工学応用まで幅広い分野に携わります。新しい物理現象の発見・解明がある研究分野です。

主に窒化物（GaN・AlN）と酸化物（Ga2O3・Al2O3）半導体を利用しており、特にAlNやAl2O3では世界初の成果が多数出ています：例１、例２。実験は、つくばエリアにある世界最先端の装置を最大限活用しています。本研究室で利用する装置を知りたい方は、各ウェブサイト（筑波大、産総研、NIMS）をご参照ください。これまで、JSPS(文科省関連)、NEDO（経産省関連）、TIA（つくばエリア研究開発拠点）および財団（村田、サムコ、旭硝子、住友電工、カシオ、東電）や企業（ローム、DOWA、東京エレクトロン）からの資金援助を得て、研究を遂行してきました。

研究テーマは、上記の研究成果に関連する中から皆さんの興味に合わせて決めています。時間の拘束はなく、定期的なディスカッションを通じて研究を進めています。卒業後、皆さんが自力で世界を舞台に活躍できるような研究・教育環境を目指しており、海外の大学や企業、研究所とも積極的に共同して研究を行っています。熱意と自主性のある方、大歓迎です！！

※学外の方も大歓迎です（研究室紹介pdf）。奥村まで連絡して頂き、8月か1月に大学院入試を受けてください。

※博士後期課程の進学者には、生活費支給支援の制度（月17万円以上）があります。