光エレクトロニクス

研究計画

α-(AlGa)2O3を使った真空紫外発光素子や分布ブラッグ反射鏡（DBR）の作製を行っています。α-(AlGa)2O3は、Al組成に応じて波長143 nm～238 nmの光を吸収することができる材料です。Al組成56%までn型電気伝導が得られ、Al組成が大きい場合は理論的には直接遷移型の発光が期待できます。しかし、自己束縛励起子の影響で、実験的にはまだバンド端発光を実現していません。

光学特性評価として、透過率測定、カソードルミネッセンス(CL)測定、フォトルミネッセンス(PL)測定、X線光電子分光(XPS、UPS、LEIPS)測定を用いています。特に、真空紫外域の透過率測定とPL測定は、独自の装置開発から進めています。

また、トンネル接合型GaN垂直共振器面発光レーザー、GaNトポロジカルフォトニック結晶光導波路、AlN深紫外発光素子の作製経験があります。