Для обозначения исходного материала используются следующие символы(первый элемент обозначения):
1. Буква Г или цифра 1 - германий.
Буква К или цифра 2 - кремний.
Буква А или цифра 3 - арсенид галлия.
2. Второй элемент - буква Т, означает биполярный транзистор
буква П - транзистор полевый.
3. В качестве третьего элемента обозначения используются девять цифр, характеризующих подклассы транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной частоты:
1 -транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 - транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 - транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4- транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 -транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6-транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 - транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8- транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 - транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
4 и 5. Четвертый и пятый элементы обозначения - определяют порядковый номер разработки. Пример: КТ315А кремниевый биполярный транзистор, маломощный, высокочастотный, подкласс А.