Embedded Files
Рисунок - Вольт-амперная (а) и энергетическая(б) характеристики фоторезистора
Рисунок - Условно-графическое обозначение фоторезистора
Фоторези́стор — полупроводниковый прибор, изменяющий величину своего сопротивления при облучении светом. Не имеет p-n-перехода, поэтому обладает одинаковой проводимостью независимо от направления протекания тока - его ВАХ симметрична.
Явление изменения электрического сопротивления полупроводника, обусловленное непосредственным действием излучения, называют фоторезистивным эффектом, или внутренним фотоэлектрическим эффектом
Вольт-амперная и энергетическая характеристики фоторезистора приведены на рисунке .
Условно-графическое обозначение фоторезистора приведено на рисунке.
Фоторезисторы чаще всего используются для определения наличия или отсутствия света или для измерения интенсивности света. В темноте, их сопротивление очень высокое, иногда доходит до 1 МОм, но когда датчик подвергается воздействию света, его сопротивление резко падает, вплоть до нескольких десятков ом в зависимости от интенсивности света.
Фоторезисторы имеют чувствительность, которая изменяется с длиной волны света. Они используются во многих устройствах, хотя уступают по своей популярности фотодиодам и фототранзисторам. Некоторые страны запретили LDR из-за содержащегося в них свинца или кадмия по соображению экологической безопасности.
Примерами являются автоматы включения уличного освещения и фотоэкспонометры.
Важнейшие параметры фоторезисторов:
•интегральная чувствительность — отношение изменения
напряжения на единицу мощности падающего излучения
(при номинальном значении напряжения питания);
•порог чувствительности — величина минимального сигнала,
регистрируемого фоторезистором,
отнесённая к единице полосы рабочих частот.
Page updated
Google Sites
Report abuse