Маркировка БПТ

Например: КТ540Б — кремниевый транзистор средней мощности среднечастотный, номер разработки 40, группа Б.

1)    1-й  элемент системы обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор и его содержание не отличается от системы обозначения диодов, то есть Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия, И или 4 — индий.

2)    2  элемент — буква Т (биполярный) или П (полевой).

3)    3  элемент — цифра, указывающая на функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам.

Транзисторы малой мощности 1,2,3. Рmах < 0,3 Вт:

1          — частота < 3 МГц

2          — частота  3-30 МГц

3          — частота  30-300 МГц

Транзисторы средней мощности 4,5,6. Рmах  0,3-1.5 Вт:

4          — частота < 3 МГц

5          — частота  3-30 МГц

6          — частота  30-300 МГц

Транзисторы средней мощности 7,8,9. Рmах  > 1.5 Вт:

7          — частота < 3 МГц

8          — частота  3-30 МГц

9          — частота  30-300 МГц

4-й элемент — цифры от 01 до 99, указывающие порядковый номер разработки.

5-й элемент — одна из букв от А до Я, обозначающая деление технологического типа приборов на группы.