해외 특허
Sangwoo Lim and Changjin Son, "Non-phosphoric acid-based silicon nitride film etching composition and etching method using the same", U.S. Patent 17/305,034 (Filed, June 29, 2021).
Sangwoo Lim and Eunseok Oh, “Piezoelectric element with sponge structure and method of manufacturing the same”, U.S. Patent 10,622,539 (Registered, April 14, 2020).
Sangwoo Lim and Eunseok Oh, “Composition for removing photoresist and method for removing photoresist using the same”, U.S. Patent 15/393,586 (Filed, December 29, 2016).
Sangwoo Lim and Youngwhan Lee, “Porous silicon and method of preparing the same”, U.S. Patent 7,972,687 (Registered, July 5, 2011).
Sangwoo Lim and Youngwhan Lee, “Porous silicon and method of preparing the same”, Japan Patent 4,637,920 (Registered, December 3, 2010).
Sangwoo Lim and Robert F. Steimle, “Semiconductor device having nitridated oxide layer and method therefor”, U.S. Patent 7,781,831 (Registered, August 24, 2010).
Sangwoo Lim and Robert F. Steimle, “Process for forming an electronic device including transistor structures with sidewall spacers” U.S. Patent 7,504,289 (Registered, March 17, 2009).
Sangwoo Lim, Paul Grudowski, Tien Ying Luo, Bunmi Adetutu and Hsing Tseng, “Method of making a nitrided gate dielectric”, U.S. Patent 7,402,472 (Registered, July 22, 2008).
Sangwoo Lim and Robert F. Steimle, “Semiconductor device having nitridated oxide layer and method therefor” U.S. Patent 7,338,894 (Registered, March 4, 2008).
Sangwoo Lim and Youngwhan Lee, “Porous silicon and method of preparing the same”, European Patent 7,123,736.6 (Filed, December 19, 2007).
Sangwoo Lim, Paul Grudowski, Mo Jahanbani, Hsing Tseng and Choh-Fei Yeap, “Method of forming an electronic device”, U.S. Patent 7,214,590 (Registered, May 8, 2007).
Sangwoo Lim, Laegu Kang and Choh-Fei Yeap, “Integration of Multiple Gate Dielectrics by Surface Protection”, U.S. Patent 7,126,172 (Registered, October 24, 2006).
Sangwoo Lim, Yongjoo Jeon and Choh-Fei Yeap, “Method for Forming Multiple Gate Oxide Thickness Utilizing Ashing and Cleaning” U.S. Patent 7,041,562 (Registered, May 9, 2006).
국내 특허 / 실용신안
임상우, 박태건, "실리콘 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 식각방법", 10-2389567 (등록, 2022년 4월).
임상우, 김태현, "실리콘 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 식각방법", 10-2325905 (등록, 2021년 11월).
임상우, 손창진, "비인산계 실리콘 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 식각방법", 10-2315919 (등록, 2021년 10월).
임상우, 오은석, "포토레지스트 제거용 조성물 및 그를 이용한 포토레지스트의 제거방법", 10-2124505 (등록, 2020년 6월).
임상우, 손창진, "실리콘 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 식각 공정", 10-1977043 (등록, 2019년 5월).
임상우, 오은석, “스펀지 구조의 압전 소자 및 이의 제조 방법”, 10-1729886 (등록, 2017년 4월).
임상우, 오세현, 오은석, 이승효, “부동층을 포함하는 반도체 기판의 제조방법”, 10-1828177 (등록, 2018년 2월).
임상우, 오은석, “포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 제거방법”, 10-1860211 (등록, 2018년 5월).
임상우, 서동완, “반도체 기판의 산화막 제어방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 기판”, 10-1815763 (등록, 2017년 12월).
임상우, 오은석, “포토 레지스트의 제거방법”, 10-1893252 (등록, 2018년 8월).
임상우, 오은석, “유기용매를 이용한 포토레지스트 제거방법”, 10-1850192 (등록, 2018년 4월).
,임상우, 정주영, “태양전지 또는 나노소자의 효율을 향상시키는 나노구조의 코어／쉘 나노선의 제조방법 및 이를 포함하는 태양전지 또는 나노소자”, 10-1262330 (등록, 2013년 5월).
임상우, 이종혁, “CD/DVD-ROM 드라이브를 이용한 원심분리 장치”, 2008-0934648 (등록, 2009년 12월).
임상우, 송재진, 백성훈, 이종혁, “시드층의 패터닝을 통한 선택적 산화아연 나노선의 제조방법”, 10-0849685 (등록, 2008년 7월).
임상우, 설용건, 이영환, 이종혁, 박기병, “선택적 산화아연 나노선의 제조방법”, 10-0852684 (등록, 2008년 8월).
임상우, 백성훈, 송재진, 이영환, “도핑된 산화아연 나노선의 제조방법 및 이의 용도”, 10-0851281 (등록, 2008년 8월).
임상우, 설용건, 이영환, “다공성 실리콘 및 이의 제조방법”, 10-0839376 (등록, 2008년 6월).