第73回応用物理学会春季学術講演会で12件の発表を行います
2026年3月15–18日に東京科学大学大岡山キャンパスで行われます第73回応用物理学会春季学術講演会にて下記12件の発表を行います．
13.7. 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
[1] 前田拓也, 棟方晟啓, 小林正起, 中根了昌, Karolina Peret, Mikolaj Chlipala, Henryk Turski,
"金属/高濃度p-GaN接合における電流輸送機構の解明: Split-offバンドからの電界放出",
第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 3/16 (月) 11:45-12:00, 16a-W8E-101-9 (2026).
[2] 佐々木一晴, 廣木正伸, 江端一晃, 平間一行, 谷保芳孝, 前田拓也,
"分布型分極ドーピングの活用による超低オン抵抗 AlN 系ショットキーバリアダイオードの実証",
第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 3/17 (火) 15:45-16:00, 17p-W8E-101-8 (2026).
[3] 前田拓也, 佐々木一晴, 廣木正伸, 江端一晃, 平間一行, 谷保芳孝,
"分布型分極ドーピングされた組成傾斜AlGaN層における一次元Friedel振動の観測",
第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 3/17 (火) 16:00-16:15, 17p-W8E-101-9 (2026).
[4] 若本裕介, 久保田航瑛, 河原孝彦, 吉田成輝, 牧山剛三, 中田健, 奥田朋也, 小林篤, 前田拓也,
"AlGaN/AlN/GaNおよびScAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ接合の2DEGにおける
Shubnikov–de Haas振動の解析から得られる量子緩和時間と電子輸送特性に関する考察",
第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 3/17 (火) 16:15-16:30, 17p-W8E-101-10 (2026).
[5] 李晉維, 磯憲司, 中根了昌, 前田拓也,
"Fe/C共ドープ及びMnドープ半絶縁性GaN基板を用いた光伝導型スイッチの特性比較",
第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 3/18 (水) 9:00-9:15, 18a-W8E-101-1 (2026).
[6] 城谷光亮, 佐藤早和紀, 小林篤, 前田拓也,
"GaN/sapphire基板上スパッタ成長ScAlN薄膜のリーク電流の温度依存性解析",
第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 3/18 (水) 9:15-9:30, 18a-W8E-101-2 (2026).
15.4. III-V族窒化物結晶
[7] 小林篤, 本田善央, 前田拓也, Thai-Son Nguyen, Huili Grace Xing, Debdeep Jena,
"スパッタ法およびMBE法で成長させたScAlNの格子定数の機械学習解析",
第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 3/16 (月) 14:30-16:00, 16p-PA3-4 (2026).
[8] 高橋俊, 若本裕介, 車一宏, 前田拓也, 小関泰之,
"誘導ラマン散乱顕微法による GaN 結晶中貫通転位の⾼速 3D イメージング",
第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 3/17 (火) 17:15-17:30, 17p-W2-401-13 (2026). [講演奨励賞受賞記念 招待講演]
合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
[9] 棟方晟啓, 宮本広信, 佐々木公平, 前田拓也,
"NiOx/β-Ga2O3 (001)ヘテロ接合ダイオードの電気特性評価及び電流輸送機構の考察",
第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 3/16 (月) 10:45-11:00, 16a-W9-324-7 (2026).
CS4 6.1 強誘電体薄膜、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション
[10] 奥田朋也, 黒木颯太, 若本裕介, 前田拓也, 池田和久, 小林篤,
"NbAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造の作製と電気特性評価",
第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 3/15 (日) 14:00-14:15, 15p-SL-101-2 (2026).
[11] 佐々木洸*, 武田崇仁*, 棟方晟啓, 小林正起, 藤森淳, 奥田朋也, 黒木颯太, 小林篤, 前田拓也, (*equal contribution)
"GaN上スパッタエピタキシャル成長NbAlN薄膜のX線分光測定による表面酸化状態評価",
第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 3/15 (日) 16:00-16:15, 15p-SL-101-9 (2026).
[12] 佐藤早和紀, 池田和久, 前田拓也, 舟窪浩, 小林篤,
"ScAlN/AlN/GaNヘテロ構造の作製と強誘電性の評価",
第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 3/15 (日) 17:15-17:30, 15p-SL-101-13 (2026).