• 1기(2024.08 졸업): 김용식 공학박사, 대림대학교 반도체학과 교수 (yskim927@daelim.ac.kr) 

(학위논문: 저온 중수소 어닐링을 통한 MOSFETs 소자의 성능 및 박막 표면 거칠기 개선) 

졸업생 진로 (일반 대학원 석사)

• 6기 (2026.08 졸업): 손돌 공학석사,

(학위논문:    )

• 6기 (2026.08 졸업): 김민우 공학석사,

(학위논문:    )

• 5기 (2026.02 졸업): 이문권 공학석사,

(학위논문: Sub-3 nm 노드 로직 기술을 위한 Silicon Multi-Bridge-Channel FETs의 온/오프 전류비 향상 시뮬레이션 설계 연구)

• 4기 (2025.08 졸업): 연주원 공학석사, 한국전자통신연구원 (juwon@etri.re.kr) 

(학위논문: 저온 중수소 어닐링을 적용한 실리콘 High-k 금속 게이트 MOSFET의 신뢰성 향상 및 SiO2 절연체 표면 거칠기 감소에 관한 연구)

• 4기 (2025.08 졸업): 길태현 공학석사, Applied Materials Korea (     )

(학위논문: 폴리실리콘 채널 MOSFET의 전기적 성능 및 신뢰성 향상을 위한 저온 중수소 어닐링)

• 3기 (2024.02 졸업): 윤성수 공학석사, DB하이텍  (sungsu.yoon.dbhitek.com) 

(학위논문: 실리콘 기반의 MOSFET 제조 과정에서 중수소 어닐링 및 후속 열처리 공정에 대한 전기적 특성 분석)

• 3기 (2024.02 졸업): 왕동현 공학석사, 삼성전자 반도체연구소 (     )

(학위논문: 저온 중수소 어닐링을 통한 MOSFETs의 전기적 특성 개선 및 전기적 스트레스와 방사선에 대한 내구성 개선 )

• 3기 (2024.02 졸업): 정대한 공학석사, ASML Korea (dae-han.jung@asml.com) 

(학위논문: 실리콘 웨이퍼의 표면거칠기에 의한 MOSFETs 소자의 문턱전압 산포특성에 대한 연구 및 물리적 복제방지에의 응용)

• 2기 (2023.08 졸업): 구자윤 공학석사, 삼성전자 반도체연구소 (jayy.ku@samsung.com) 

(학위논문: 저온 중수소 어닐링을 적용한 SOI FinFET의 전기적 성능 및 신뢰성 향상에 대한 연구)

• 1기 (2023.02 졸업): 이광선 공학석사, 한국자동차연구원 (kslee1@kateck.re.kr) 

(학위논문: 매립형 게이트를 적용한 나노시트 트랜지스터 및 기판 누설전류 억제에 대한 연구)

졸업생 진로 (연구실 인턴십)