Ye-Han Kwon 

6T1C IGZO-Based Synaptic Devices [IC90]

 InGaZnO(IGZO)  TFT는 넓은 밴드갭(3.05eV)을 가지고 있어, 매우 낮은 leakage current 특성을 나타낸다. 이를 기반으로 한, 6T1C IGZO-based synaptic memory는 우수한 선형성, 대칭성과 뛰어난 retention 특성을 가지고 있다. 본 연구에서는 6T1C IGZO-based synaptic memory의 Scaling에 따른 leakage 특성과 소자 동작을 Simulation하여 분석한다.