H203 33 童宥銓

H203 32 陳書偉 

H206 18 王唯丞

陽交大材料學系

現代社會中，記憶體在科技領域中占有一席之地，而我們本次的專題就是在研究磁記憶體可以發展的方向。在一篇文章中，我們認識到了反鐵磁層的厚度對元件的影響，根據這個基礎，我們想到了可以探討的因素，也就是反鐵磁層含氧量對元件的引響，對此我們設計了一個實驗，最終也觀察到了有趣的現象。