H20115王平

H20121吳泓熹

國家同步輻射研究中心

二維材料中的六方氮化硼(Hexagonal boron nitride，hBN)和石墨烯雖具有相似 的結構，但在電子結構上卻存在著很大的差異。hBN 具有極大的能隙(~ 6 eV) 可視為半導體或是絕緣體，而石墨烯因為零能隙所以可做為導體。由於兩者的晶 格匹配程度很高，因此常在電子元件的材料製程使用上互相疊合作為導電層與絕 緣層使用。本研究嘗試以較簡易方式「結合液體輔助的球磨法與超聲剝離法」製 備奈米等級的六方氮化硼顆粒，並透過各式光譜法研究其結構與尺寸上對電子結 構本質上的改變，進而能找到調控 hBN 電子結構與能隙的方法來幫助在先進半導 體製程應用與先進量子發光源上的發展。