H202 15 陳彥妤

H203 07 高千悅

H203 25 吳柏均

同步輻射中心 陳家浩教授

大家好我們是「我撕故我在 單層撕起來」，我們的實驗是在探討如何分離出單層MoS2。

MoS2是一種新興的半導體產業材料，被應用在光電二極體等電子元件上。塊材的層與層間以微弱的凡德瓦力結合，因此可以分離出單層MoS2。這種二維材料厚度只有0.7奈米，具高電子遷移率，屬於直接能隙半導體的一種，具有優於矽的種種性質。

此實驗以拉曼顯微鏡作為測量儀器，他的原理是利用入射光子讓物質吸收能量後釋放光子，回到一個與基態不同的狀態，使激發光的頻率與釋放出的光子不同，而這兩者的差距就是拉曼位移。在實驗中，我們透過入532nm雷射光，進而得知樣品厚度與結構。

我們設計一系列的實驗，嘗試透過二硫醇分子讓金面跟薄MoS2結合，進而將薄層MoS2從塊材中分離，並探討怎麼增加產量。接下來再將二硫醇分子的長碳鏈打斷，讓MoS2轉印到矽基板，以提高樣品與基板間的對比度。並探討何種能量來源的成效最佳。最後我們透過兩面金的疊合將金面上的薄層MoS2層數降低分離出單層MoS2。