On-going

• Bit-Line Sense Amplifier Circuit Design for VCT-Based and 3D-Stacked DRAM  

Samsung Electronics, 2025 - 2030

(VCT 및 3차원 적층 DRAM 구조에 적합한 비트라인 센스앰프 연구 등)

• Development of original technology for variable threshold high density memory and crossbar array  

Ministry of Science and ICT, 2024 - 2026

(컴팩트 모델링 및 시뮬레이션, 고신뢰성 읽기/쓰기 알고리즘 및 회로 개발, 3차원 적층 어레이용 구동 회로 개발등)

• High-Reliability Silicon Bridge Heterogeneous Packaging Technology for High-Efficiency Power Distribution 

Ministry of Science and ICT, 2023 - 2027

(실리콘 브릿지 이종집적 패키징기술 개발, 저전력 반도체 시스템 구현을 위한 배선 구조 디자인 및 공정 개발 등)

• Hybrid-Bonding Technologies for 3D Package Interconnects 

Ministry of Science and ICT, 2023 - 2027

(하이브리드 본딩 메커니즘 규명, 신호전달 특성 분석 등)