Publication

국내 등록 (Domestic Granted)

47. 스커미온 기반 스핀 시냅스 소자 및 그 제조방법 2020.03.06

46. 비휘발성 메모리용 선택 소자 및 이의 제조 방법 2020.01.22

45. 같은 종류의 두 타겟을 동시에 스퍼터링하는 기술 2020.01.13

44. 비휘발성 메모리용 선택 소자 및 이의 제조 방법 2019.11.27

43. p-MTJ의 고정층을 위한 수직 반강자성층

42. 자점 배리어와 이를 포함하는 저항변화 메모리 소자 및 제조 방법 2017.12.05

41. 다이오드 구조의 저항변화 메모리 소자에서 산화물과 전극의 오믹 접합특성 및 제작방법 2017.10.12

40. 포밍과정이 없이 동작하는 저항변화 메모리 소자의 제작 방법 2017.07.28

39. 금속 질화물과 이를 전극물질로 활용하는 저항변화 메모리 소자 및 제조 방법 2017.05.25

38. Spin-Orbit Torque를 이용한 MRAM 소자 2017.04.17

37. 저전력 STT-MRAM을 위한 Boron free layer MTJ 구조 2017.02.23

36. 반강자성체 고정층 구조를 적용한 MTJ에 있어서 열처리 안정성 증가를 위한 확산 방지층 및 이를 이용한 STT-MRAM 소자 2017.02.20

35. 반강자성체 고정층 구조에 있어서 열처리 안정성 증가를 위한 W 소재 기반 capping layer 및 다층 구조를 이용한 MTJ 및 STT-MRAM 소자 2017.02.06

34. 직물 기판을 이용한 마찰전기 기반의 웨어러블 자가 발전 소자 2016.10.27

33. MTJ 구조의 후 열처리 열적 안정성 향상을 위한 방법 2016.09.23

32. 수직자기이방성을 갖는 이중 CoFeB 박막 구조에 있어서의 금속 질화물 삽입층 소재 2016.09.23

31. 선택소자가 필요없는 3차원 나노 크로스바-포인트 수직 다층 구조 저항변화 메모리 소자의 제작 방법 2016.08.01

30. Diffusion법을 이용한 self-assembled p-i-n nano-rod(wire) 접합 고효율 LED 소자 및 Solar cell 소자 개발 2016.05.23

29. 반강자성체 고정층 구조에 있어서 열처리 안정성 증가를 위한 새로운 루테늄 산화물 소재 및 다층구조를 이용한 MTJ 및 STT-MRAM 소자 2016.02.16

28. Non-Contact micro tip 구조를 이용한 AC-LED 소자 및 모듈 개발 2016.02.03

27. 산화물 박막 트랜지스터 소자의 전기적 특성 향상을 위하여 크립톤 가스를 이용한 증착방법 2016.02.03

26. 금속 질화물 소재를 이용한 저항변화 메모리 소자 및 제조 방법 2015.11.13

25. 양방향 스위칭 특성을 가지는 산화물 반도체 소재 및 다층 구조를 이용한 선택소자 및 이의 제조 방법 2015.10.02

24. 리드 margin(window)증대를 위한 다층구조를 삽입을 통한 저항변화 메모리 소자의 제작 방법 2015.08.11

23. Co 및 Fe 계열 수직자기이방성 다층구조 박막에 있어서 산화 결합을 통한 열적 안정성 개선 방법 2015.07.10

22. MTJ 구조의 후 열처리 열적 안정성 향상을 위한 방법 2015.07.10

21. 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 2015.05.12

20. MTJ 구조에서 열적 안정성과 자기저항변화비 특성 향상 방법 2014.12.19

19. 산화물 박막 트랜지스터 소자의 전기적 특성 향상을 위하여 금속을 이용한 표면처리 방법 2014.08.28

18. 다중 저항상태를 갖는 저항변화 메모리 2014.08.20

17. 다이오드의 선택소자가 필요없는 3층 저항변화 메모리 및 이의 제조 방법 2013.07.08

16. 산화물/질화물계 강자성 다층박막, 자성소자 및 산화물/질화물계 강자성 다층박막의 제조방법 2013.02.28

15. 버퍼층이 삽입된 비휘발성 저항변화 메모리 소자 및 제작방법 2012.05.25

14. ZnO 물질기반의 single-layer-step-edge junction을 이용한 LED 소자개발 2012.03.28

13. 비휘발성 ReRAM 소자의 향상을 위한 다중 산화물 박막 제조방법 2012.01.06

12. 금속 양자점 제조방법과 이를 이용한 비 휘발성 메모리 소자 제작방법 2012.01.05

11. 저항성 메모리 장치 2011.06.29

10. 비휘발성 ReRAM 소자의 향상을 위한 이온 임플란테이션 산화물 박막 제조방법 2011.05.30

09. ReRAM 소자 및 그 제조방법 2007.12.06

08. 고정밀 정전용량형 습도센서 제조방법 2007.06.05

07. 플라즈마 가스처리를 이용한 산화박막의 안정성이 우수한 ReRAM 소자의 제조방법

06. 반도체 소자 및 그 제조방법 2006.10.13

05. 질화물계 비정질 연자성 박막, 자성소자 및 질화물계 비정실 연자성 박막의 제조방법 2006.09.26

04. ReRAM 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법 2006.09.02

03. 탄소나노튜브의 제조방법 2006.06.09

02. 반금속성 자성체 산화물 제조방법 2006.01.31

01. 양자점 형성방법 2005.10.31

해외 등록 (Overseas Granted)

07. P-MTJ의 고정층을 위한 수직 반강자성층 2020.02.11

미국 등록

06. 비휘발성 메모리용 선택 소자 및 이의 제조방법 2019.11.19

중국 등록

05. p-MTJ 소자 개발을 위한 Boron-free 강자성체용 nitrogen-based seed layer 소재 2018.04.03

미국 등록

04. P형 산화 아연 나노와이어의 제조방법 2014.07.15

미국 등록

03. 비휘발성 ReRAM 소자의 향상을 위한 다중 산화물 박막 제조방법 2014.06.10

미국 등록

02. ReRAM 소자용 다층 이원산화박막의 형성방법 2013.01.16

유럽특허청 등록

01. 반금속성 자성체 산화물 제조방법 2004.10.15

미국 등록