Facilities

Sputtering chamber (1)

MRAM Device의 Thin film을 증착하기 위한 Sputtering chamber로 CoFeB/MgO 혹은 Co/Pt와 같은 PMA 물질을 증착 가능하고 Base pressure는 -8 torr까지 진공을 잡을 수 있는 고진공 챔버이다. 양쪽 챔버를 통과할수 있는 중앙 gate가 있어 총 10개의 물질을 in-situ로 증착 할 수 있다.

Sputtering chamber (2)
ReRAM device를 제작하기 위한 Sputtering chamber.

Carbon, Tantalum, Aluminium 산화물 등을 증착한다.

우측 챔버는 3개의 sputter gun이 장착되어 있으며 벤팅을 통한 시료 로딩이 가능하다.

좌측 챔버는 5개의 sputter gun이 장착되어 있다. 두 챔버는 로드락을 통해 샘플의 in-situ 이동이 가능하다. Turbo molecular pump를 통해 10^-7 Torr의 압력을 유지한다.

Sputtering chamber (3)

산화물 및 칼코겐화합물을 이용해 선택소자 sputtering chamber (1).

상단에 3개의 sputter gun이 stage를 향해 장착되어있다. chamber 하단에 위치한 stage는 회전 및 가열이 가능하여 박막의 고르게 증착되도록 한다. 산소, 질소 등의 reactive sputtering이 가능하다.

Sputtering chamber (4)

산화물 및 칼코겐화합물을 이용해 선택소자 sputtering chamber (2).

하단에 3개의 sputter gun이 stage를 향해 장착되어있다. chamber 하단에 위치한 stage는 회전 및 가열이 가능하여 박막의 고르게 증착되도록 한다.

산소, 질소 등의 reactive sputtering이 가능하다.

Sputtering chamber (5)

산화물 및 칼코겐화합물을 이용해 선택소자 증착 위한 sputtering chamber (3).

하단에 4개의 sputter gun이 stage를 향해 장착되어있다. chamber 하단에 위치한 stage는 회전 및 가열이 가능하여 박막의 고르게 증착되도록 한다. 산소, 질소 등의 reactive sputtering이 가능하다.

Sputtering chamber (6)

금속 및 칼코겐화합물 증착 위한 sputtering chamber.

5개의 sputter gun이 장착되어 금속과 칼코겐화합물 타겟이 증착되어있다.

우측에 샘플 로딩을 위한 pre-chamber가 있어 빠른 감압이 가능하다.

Vacuum heater

할로겐 램프를 이용하여 고진공에서 열처리를 할 수 있는 챔버.

압력은 10^-7 Torr, 온도는 450℃까지 열처리 가능하다. 

아르곤, 질소, 산소 등의 가스 유입이 가능하다.

Photolithography

Photo Resist의 pattern을 위한 장비로 특정 mask를 통하여 빛을 통과시키고 통과시키지 않음에 따라서 원하는 모양을 만들 수 있다. 최대 1~2um 폭까지 lithogarphy가 가능하며 8inch waper까지 패턴이 가능하다.

Fiber coating system

에너지를 발생시키는 섬유를 제작하기 위해서 열경화성 고분자와 열가소성 고분자를 코팅할 수 있는 장치이다. 코팅하고 싶은 두께에 따라서 노즐을 직접 제작하여 연구에 응용하고 있다.

3D printer

PLA, ABS 등 일반적인 소재와 함께 사용 가능한 Nylon, PC 등 특수 소재 

160 x 160 x 160mm의 사이즈와 최대 온도 350도의 메탈 노즐

필라멘트 센서를 통한 자동 감지와 일시정지, 재시작 기능

가로 세로 높이 16cm 제작 가능

외부 케이스와 내부 프레임에 알루미늄 적용, 진동과 내구성 모두를 해결

설치 시 고정되는 반영구적 레벨링 시스템

Furnace(1)

저진공(1mTorr)에서 열처리를 할 수 있는 장치.

최대 1000℃까지 승온할 수 있으며, 80cm에 걸쳐 3개의 히터가 연결되어 있어 온도분포를 고르게 할 수 있다. coil을 연결하여 plasma treatment가 가능하다.

Furnace(2)

1시간안에 1000도까지 올려서 열을 가해줄 수 있는 히터. 

반도체  소자의 결정화를 위해 annealing 공정에서 많이 쓰이고 있다.

또는 산소를 주입하면서 산화시킬 때 사용하는 경우도 있다.

이 장비는 히터 블록을 이동시킬 수 있도록 트랙에 장착되어있다. 

원하는 온도까지 상승하는 시간, 온도 유지 시간, 온도 떨어지는 시간을 설정할 수 있다.