Diodin muuttujat

Diodin datalehden muuttujat selityksineen:

Myötäsuunnan jännitehäviön (V_f) ja estosuunnan pulssijännitteen (PIV) lisäksi diodilla on monia muita muuttujia, joiden arvot on tärkeätä tuntea. Tässä lista niistä:

Maximum repetitive reverse voltage = V_RRM =(Maksimi toistuva estojännite), maksimi jännite, jonka diodi kestää estosuunnassa toistuvia pulsseja.

Maximum DC reverse voltage = V_R tai V_DC, (Maksimi DC estojännite), maksimi jännite, jonka diodi kestää estosuunnassa jatkuvasti.

Maximum forward voltage = V_F, (Maksimi päästösuunnan jännitehäviö), diodin liitoskohdan lämpeneminen rajoittaa.

Maximum (average) forward current = I_F(AV), (Maksimi [keskiarvo} päästössuunnan virta), diodin liitoskohdan lämpeneminen rajoittaa.

Maximum (peak or surge) forward current = I_FSM tai i_f(surge), (Maksimi [pulssi tai aalto] päästösuunnan virta), diodin liitoskohdan lämpeneminen rajoittaa.

Maximum total dissipation = P_D, (Maksimi kokonaishäviöteho), diodin tehohäviö watteina, esimerkiksi (P=IE), diodin virta kertaa diodin jännitehäviö .

Operating junction temperature = T_J, (Liitoskohdan lämpötila diodin toimiessa) Celsius (^oC).

Storage temperature range = T_STG, (Varastointilämpötilan rajat) sallittu lämpötila-alue virrattomalle diodille. Isompi arvo saattaa joskus olla suurempi kuin suurin sallittu lämpötila kuormitettuna .

Thermal resistance = R(Θ), (Lämpöresistanssi) lämpöresistanssi liitoskohdasta ulkoilmaan. Yksikkö Celsius per watti (^oC/W). Iso lämpöresistanssi tarkoittaa, että diodin liitoskohdan lämpötila saattaa herkästi nousta kuormitettuna, ja tällöin täytyy järjestää jäähdytys diodin ulkopuolelle.

Maximum reverse current = I_R, (Maksimi estosuunnan virta) .

Typical junction capacitance = C_J, (Liitoskohdan kapasitaanssi) . Yleensä hyvin pieni arvo, muutamia pikofaradeja (pF).

Reverse recovery time = t_rr, (Estosuunnan toipumisaika). Aika, joka kuluu päästösuunnan tilasta estosuuntaan (eli diodin sulkeutumisaika). Tämä aika on tavallisilla diodeilla mikrosekuntien kymmenesosien luokkaa. Nopeilla kytkentädiodeilla se on muutaman nanosekunnin luokkaa.

Useimmat näistä parametreistä muuttuvat lämpötilan tai muiden muuttujien vaikutuksesta. Siksi komponenttivalmistajien datalehdillä on myön komponentin ominaisuukisa kuvaavia käyrästöjä.