Yleistä transistoreista
Transistorit voidaan jakaa kahteen suurempaan ryhmään:
Bibolaaritransistoreihin ja
kanavatransistoreihin (FET)
Historiallinen OC71-transistori:
Transistoriin liittyviä kaavoja:
Rin = Ube / Ib
Rout = Uce / Ic
hFE = IC / IB
IC = IE - IB
IC ≈ IE
hfe = Ic / Ib
PC = IC * UCE
Rin = ottoimpedanssi
Rout = antoimpedanssi
hFE = β = tasavirtavahvistus
Ib = vaihtosähköinen kantavirta
hfe = vaihtovirtavahvistus
hie = tuloimpedanssi
hoe = lähtöadmittanssi
hre = takaisinkytkentäjännitevahvistus
PNP- ja NPN-transistorien rakenne ja piirrosmerkki:
Transistorin toiminta vesimallilla kuvattuna:
Transistorin rakenne ja toiminta by elvika: Linkki.
Transistorien koteloita:
Transistorin työsuora:
Transistorin toimintatilat
Kun ajatellaan transistori virralla ohjatuksi vastuksesksi, sillä on seuraavat kolme toimintatilaa:
Aukitila
Kantavirta IB = 0, jolloin myös kollektorivirta IC = 0. Koska IC ei kulje, on C-E välin resistanssi äärettömän suuri eli kollektorin ja emitterin välinen kytkin on auki.
Kyllästystila
Kantavirta IB on niin suuri, että kollektorivirta IC on maksimiarvossaan lähellä oikosulkuvirtaa. Nyt transistori on täysin johtavana eli C-E välin resistanssi on hyvin pieni. Kollektorin ja emitterin välinen kytkin on kiinni.
Aktiivitila
Kantavirta IB on edellisten arvojen välissä. Tällöin transistori toimii säädettävänä vastuksena, koska IB:n vaihtelut muuttavat myös IC:tä hFE:n määräämällä tavalla.
Transistorikytkennän perussuureet:
Edelliseen kuvaan liittyvät käsitteet:
Transistorin datalehti
Esimerkki transistorin datalehdestä: 2N2222A: Linkki.
käännöstehtävä transisorin datalehteen: Linkki.
Transistorien tyyppimerkinnät
Eurooppalaisten valmistajien tunnukset muodostuvat yleisesti kirjain ja numeroyhdistelmistä:
Ensimmäinen kirjain ilmaisee puolijohdemateriaalin ja
toinen kirjain ilmaisee komponentin käyttöalueen.
Japanilaisten valmistajien tunnukset muodostuvat:
alku numerosta (2) ja kirjaimesta (S),
joten jos transistorin kyljessä lukee D1207 siihen on lisättävä alkunumero ja kirjain, eli transistorin tyyppi on siten 2SD1207.
Amerikkalaisten valmistajien tunnukset muodostuvat yleensä:
alkunumerosta ja
kirjaimesta (2N + juokseva numero).
Eurooppalaiset Transistorit:
Ensimmäinen kirjain ilmaisee materiaalin.
A = Germaniumtransistori Esim. AD 162
B = Piitransistori Esim BC 547
C = Galliumarsenidi ( vähän käytössä )
Toinen kirjain ilmaisee transistorin käyttöalueen.
C = Pientaajuustransistori ( pienitehoinen yleensä alle 5W)
D = Pientaajuus tehotransistori
F = Suurtaajuus tehotransistori (pienitehoinen yleensä alle 5W)
L = Suurtaajuus tehotransistori ( teho voi olla jopa 100W )
P = Fototransistori
S = pienitehoinen kytkintransistori
U = Suuritehoinen kytkintransistori
T = Tyristori
Kolmas kirjain tarkoittaa yleensä sitä, että se on tarkoitettu erikoiskäyttöön.
Transistorin vianhaku
Diodiparit transistorissa:
Vika:
Tr:n tuhoaa:
Vianhaku:
Tr ei enää toimi
liian suuri myötäsuuntainen virta
liian suuri estosuuntainen jännite
yleismittarilla dioditestausasennossa molemmat diodiparit
yleismittarilla transistoritestausmittauksella
Yleismittarimme manuaalista ohje diodin testaamiseen on esitetty diodin materiaalissa.
Ohje transistorin mittaamiseen (yleismittarimme):
TESTING TRANSISTOR
Set the rotary switch at hFE position.
Determine whether the transistor to be tested is NPN or PNP type and locate the Emitter, Base and Collectors. Insert leads of the transistor into proper holes of the transistor testing socket.
The meter will show the approx. hFE value at test condition of base current 10μA and Vce 3.2V.
Linkkejä:
Ja tässä sitten on tosi perusteellista tietoa transistorista.