專利(Patents)

中華民國發明獲證

1.  楊家銘、蕭智元，” 監控深溝槽型動態隨機存取記憶體之閘極與深溝槽相對距離變異之結構及其方法”，中華民國專利發明第I373102號，華亞科技，(20120921~ 20280708)

2.  賴朝松、呂承恩、楊家銘、王思婕，”感測場效電晶體裝置”，中華民國專利發明 第I414787號 ，長庚大學，(20131111~20290525)

3.  賴朝松、吳清美、呂承恩、楊家銘，”具有雙膜差動結構之場效型離子感測裝置”，中華民國專利發明第I452290號，長庚大學，(20140911~20291125)

4.  楊家銘、王耀賢、魏振剛、李建錡、嚴子明、莊弋緯、江孝龍、廖鴻昌、李中元、趙明琪，” 具有摻質停止層的動態隨機存取記憶體及其製作方法”，中華民國專利發明第I455248 號，華亞科技，(20141001~20310505)

5.  辜亞敏、何瑞克、達塔達文西庫馬爾、周健華、楊家銘、李建錡、余瑞德，”動態隨機存取記憶體的淺溝槽隔絕結構及其製造方法，中華民國專利發明第I447859 號，華亞科技，(20141001~20310505)

6.  賴朝松、華沐怡、蘇聖凱、陳世亮、楊家銘、王哲麒、阮騰緯，” 離子感測裝置及其製作方法“，中華民國專利發明第I479146號， (20150401~20330312)

7.  賴朝松、楊家銘、Anirban Das、陳琮誠，”光定址電位感測器“，中華民國專利發明第I487902 號，(20150611~20331023)

21. 賴朝松、楊家銘、陳琮誠、楊裕程，“氣體感測裝置及其製作方法” 中華民國專利發明第I695168號，長庚大學，(20200601~20390521) 

美國專利獲證

1.  Chao-Sung Lai, Cheng-En Lue, Chia-Ming Yang, Szu-Chieh Wang, “Sensitive Field Effect Transistor Apparatus” US. Patent.US 8410530B2 (20130402~)

3. Chao-Sung Lai, Chia-Ming Yang, Hsin-Yin Peng, Wei-Yin Zeng, Chun-Hui Chen, “Capacitor-based fluid sensing units and operating methods thereof”, US Patent 10,551,340 B2 (20200204~ 20370117) 

中國大陸專利獲證

1.賴朝松、楊家銘、陳軍暉、陳琮誠，” 光尋址電位感測組件 “，中國大陸發明專利CN106896144 B(3700660) (20200221~20360111)

2.賴朝松、楊家銘、曾瑋尹、陳軍暉、彭馨潁，“電容式感濕元件”， 中國大陸發明專利CN107807156B(4028845) (20201013~20361111) 

中華民國發明申請中

1.  李建錡、楊家銘、李偉平、陳昕輝、蕭智元、高平、江凱崙、賴朝松、王哲麒，”具有凹入式閘極結構之記憶體單元及其製作方法“，中華民國專利發明審查中(公開號: 201442078)

2.  何瑞克、楊家銘、崔振遠，” 晶圓及用此結構的晶圓鍍膜的方法“，中華民國專利發明審查中(公開號: 201435982)

3.  賴朝松、楊家銘、陳琮誠、林瑋哲、劉徽齡，”氣體感測器“，中華民國專利發明審查中(申請號: 104101646)

4.  賴朝松、楊家銘、廖元暉、陳琮誠，” 光定址電位感測器“，中華民國專利發明審查中(申請號: 104101645)

5.  賴朝松、楊家銘、陳軍暉、陳琮誠，” 光定址電位感測元件“，中華民國專利發明審查中(申請號:104142537)