• April 13, 2024- Masaki Ishiguro received the 2024 IEEE Nagoya Branch International Conference Research Presentation Award.. Congratulations!

石黒真輝君は、2024年IEEE名古屋支部国際会議研究発表賞を受賞しました。おめでとうございます！

• April 01, 2024-Our work "Effect of Ultra-Thin AlGaN Regrown Layer on the Electrical Properties of ZrO2/AlGaN/GaN Structures" is accepted for publication in Physica Status Solidi A. 

我々の研究「ZrO2/AlGaN/GaN構造の電気特性に及ぼす極薄AlGaN再成長層の影響」がPhysica Status Solidi A に掲載されました。

• March 22, 2024- Ali Baratov  (D3) and Suguru Terai received the President's Award. Congratulations!

バラトフ ・アリ  (D3)と 寺井 優 (B4)は、学長表彰を受賞しました。おめでとうございます！

• March 22, 2024- Kensei  Sumida  (B4) was awarded the Excellect Student Award. Congratulations!

角田 健成 (B4) は、優秀学生表彰を受賞しました。おめでとうございます！

• March 22, 2024- Shogo Maeda  (M2) was awarded the Industrial Association Encouragement Award. Congratulations!

前田祥吾君 (M2) は、工業会奨励賞を受賞しました。おめでとうございます！

• March 22, 2024- Ali Baratov (D3), Masaki Ishiguro (M2), Shogo Maeda  (M2),  Toi Nezu (M2), Nur Syazwani Binti Ahmad Tajuddin (B4), Kensei Sumida (B4), Suguru Terai (B4) successfully graduated. Congratulations!

バラトフ ・アリ  (D3), 石黒 真輝 (M2), 前田 祥吾  (M2),  根津 透生 (M2), タジュディン ・ヌル・シャズワニ・ビンティ・アフマド (B4), 角田 健成 (B4), 寺井 優 (B4) が卒業いたしました．おめでとうございます！

• Feb. 29, 2024-Our work "Improved Performance of Normally-off GaN-based MIS-HEMTs with Recessed-gate and Ultrathin Regrown AlGaN Barrier" is accepted for publication in Journal of Semiconductor and Science. 

我々の研究「リセスゲートと極薄再成長 AlGaN バリアを備えたノーマリオフ GaN ベース MIS-HEMT の性能向上」がJournal of Semiconductor and Scienceに掲載されました。

• January 2024- Joel-sensei has been included in the IEEE Transactions in Electron Devices "Golden List of Reviewers" for 2023.!!!

Joel先生は、2023年のIEEE Transactions on Electron Device の「Golden List of Reviewers」に含まれています!!!

• January 2024- Joel-sensei has been included in the IEEE Electron Device Letters "Golden List of Reviewers" for 2023.!!!

Joel先生は、2023年のIEEE Electron Device Lettersの「Golden List of Reviewers」に含まれています!!!

• Dec. 2, 2023- Suguru Terai (B4), and Kensei Sumida (B4) presented in Hokuriku Chapter Applied Physics Conference. 

寺井優君 (B4) , 角田健成君 (B4) ,  が令和5年度応用物理学会 北陸・信越支部学術講演会で発表しました.

• Nov. 17, 2023-Toi Nezu (M2)  was awarded the "Outstanding Poster Award" for his presentation of  "Effect of ultra-thin AlGaN regrown layer on the electrical properties of ZrO2/AlGaN/GaN structures" in 14th international Conference on Nitride Semiconductors  ICNS 14.

根津　透生 (M2)が第14回窒化物半導体国際会議 (ICNS14) で"Effect of ultra-thin AlGaN regrown layer on electrical properties of ZrO2/AlGaN/GaN structures "の発表で、"Outstanding Poster Award "を受賞した。

• Nov. 15, 2023-Toi Nezu (M2)  presented in 14th international Conference on Nitride Semiconductors  ICNS 14.

根津　透生 (M2)が第14回窒化物半導体国際会議 (ICNS14) で の国際学会で発表しました。

• November 16-17, 2022- Nur Syazwani (B4), Takahiro Igarashi (M1) , Masaki Ishiguro (M2), and Prof. Akio Yamamoto (invited talk) presented in IEEE International Meeting for Electron Devices Kansai 2023 (IMFEDK 2023). 

Nur Syazwani (B4)、五十嵐貴寛 (M1) 、石黒真輝 (M2)、山本あき勇先生(招待講演)がIEEE International Meeting for Electron Devices Kansai 2023 (IMFEDK 2023) の国際学会で発表しました

• Nov. 2, 2023-Prof. Biplab Sarkar (Indian Institute of Technology and Nagoya University) delivered a lecture in our lab.

Biplab Sarkar教授（インド工科大学、名古屋大学）が当研究室で講義を行った。

• Oct. 23, 2023-Our work "Low thermal budget V/Al/Mo/Au ohmic contacts for improved performance of AlGaN/GaN MIS-HEMT" is accepted for publication in Japanese Journal of Applied Physics Rapid Communication. 

我々の研究「AlGaN/GaN MIS-HEMTの性能を向上させるための低熱バジェットV/Al/Mo/Auオーミックコンタクト」がJapanese Journal of Applied Physics Rapid Communicationsに掲載されました。

• October 10, 2023-Our laboratory joined the University of Fukui Mirai Campus.

福井大学未来キャンパスに参加しました。

• September  2023- Joel-sensei has been awarded IOP Trusted Reviewer Status by United Kingdom's IOP Publishing (Institute of Physics). This award is given to a highly rated reviewer from among the reviewers of academic journals published by IOP.

Joel先生は、IOP（Institute of Physics: 英国物理学会）の出版社（IOP Publishing）から、IOP trusted reviewer statusを受賞しました。この賞は、IOPが出版している学術誌の論文査読者の中から、高評価の査読者に授与されます。

• August 08, 2023-Our laboratory represented the Electrical Engineering department at University of Fukui Open Campus 2023.

福井大学オープンキャンパス2023に電気電子講座の代表として当研究室が出展しました。

• July 11, 2023-Shogo Maeda (M2)  and Ali Baratov (D3) presented in AWAD 2023 International Conference.

前田君 (M2)とバラトフ・アリ君 (D3) がAWAD 2023 の国際学会で発表しました。

• May 24, 2023- Joel-sensei presented in WOCSDICE - EXMATEC 2023

Joel先生はが、 WOCSDICE - EXMATEC 2023の国際学会で発表しました.

• April 22, 2023- Joel-sensei delivered an invited "IEEE R10 talk" in IEEE R10 Webinar Series.

 Joel先生はが、IEEE R10 Webinar Seriesでの招待講演「IEEE R10 talk」を行いました。

• April 2023- Joel sensei has become an editor of Applied Physics Express and Japanese Journal of Applied Physics.

 Joel先生はが、Applied Physics ExpressとJapanese Journal of Applied Physicsの編集委員になりました。

• March  2023- Joel-sensei has received the Institute of Physics Publishing (IOP) "Outstanding Reviewer Award 2022" and "Reviewer of the Year" for Applied Physics Express .  

Joel先生は、英国物理学会（IOP）の「優秀論文査読者賞2022」及び「Reviewer of the Year」を受賞しました。この賞は、IOP Publishingが発行したジャーナルにおいて、同出版局のエディターらによって選ばれた2022年の上位優秀論文査読者を表彰するものであり、Joel先生がIOP PublishingのApplied Physics Express誌の2022年の論文に対して行った査読について、査読の高いクオリティ、量、スケジュール管理の点でエディターらに高く評価された。

• March 23, 2023- Shun Urano  (M2), David Lau Bi Da (B4), Takahiro Igarashi (B4), Kishi Sekiyama (B4) and Shunpei Yamazaki (B4) successfully graduated. Congratulations!

浦野駿 (M2), David Lau Bi Da (B4), 五十嵐貴寛 (B4), 関山騎士 (B4) 山崎峻平 (B4) 卒業いたしました．おめでとうございます！

• February 10, 2023- Joel-sensei received the "Teacher of the Year" Award .

Joel先生は「優秀教員」賞を受賞しました。

• January 2023- Joel-sensei has been included in the IEEE Transactions in Electron Devices "Golden List of Reviewers" for 2022.!!!

Joel先生は、2022年のIEEE Transactions on Electron Device の「Golden List of Reviewers」に含まれています!!!

• January 2023- Joel-sensei has been included in the IEEE Electron Device Letters "Golden List of Reviewers" for 2022.!!!

Joel先生は、2022年のIEEE Electron Device Lettersの「Golden List of Reviewers」に含まれています!!!

• December 9, 2022- Ali Baratov (D2) presented in ACROSS Innovation Forum of Power Energy Professional Development Program [PEP] held in Tokyo.

バラトフ・アリ君 (D2) が東京で開催されたパワー・エネルギー・プロフェッショナル育成プログラム【PEP】のACROSSイノベーションフォーラムで発表しました。

• November 28-30, 2022- Kishi Sekiyama (B4), David Lau Bi Da (B4) and Shogo Maeda (M1), orally presented in IEEE International Meeting for Electron Devices Kansai 2022 (IMFEDK 2022). 

関山君 (B4) , デビッド-君 (B4) ,  前田君 (M1)がIEEE International Meeting for Electron Devices Kansai 2022 (IMFEDK 2022) の国際学会で発表しました.

• Sept. 22 2022- In collaboration with Nobel Laureate Prof. Amano's group in Nagoya University, Prof. Sarkar’s group in Indian Institute of Technology, Prof. Wakejima’s group in Nagoya Institute of Technology and Prof. Kuzuhara’s group in Kwansei Gakuin University, we have published our third work on  GaN-based MOS-HEMTs small signal modelling in IEEE Journal of the Electron Devices Society.

名古屋大学のノーベル賞受賞者天野先生のグループ、Indian Institute of TechnologyのSarkar-先生のグループ、名工大の分島先生のグループ、関西学院大学の葛原先生のグループと共同で、IEEE Journal of the Electron Devices Society にGaNベースのMOS-HEMTの小信号モデリングに関する3本目の論文を発表しました。

• Sept. 22, 2022- We have published our work "Evidence of reduced interface states in Al2O3-AlGaN MIS structures via insertion of ex-situ regrown AlGaN layer" in Applied Physics Express . 

Applied Physics Express に「ex-situ 再成長 AlGaN 層の挿入による Al2O3-AlGaN MIS 構造の界面準位の減少の証拠」が掲載されました。

• August 30, 2022- Ali Baratov (D2) presented in 14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022) held in Hiroshima.

バラトフ・アリ君 (D2) が広島で開催された14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022)で発表しました。

• June 21, 2022- Our collaborator Dr. Jr-Tai Chen of SweGaN delivered an invited talk in GaN Marathon 2022 held in Venice, Italy.

 共同研究者のスウェーデンSweGaN社のJr-Tai Chen博士が、イタリア・ベニスで開催されたGaN Marathon 2022で招待講演を行いました。

• April 27, 2022- Joel-sensei has received the Institute of Physics Publishing (IOP) "Outstanding Reviewer Award 2021".  

Joel先生は、英国物理学会（IOP）の「優秀論文査読者賞2021」を受賞しました。この賞は、IOP Publishingが発行したジャーナルにおいて、同出版局のエディターらによって選ばれた2021年の上位優秀論文査読者を表彰するものであり、Joel先生がIOP PublishingのApplied Physics Express誌の2021年の論文に対して行った査読について、査読の高いクオリティ、量、スケジュール管理の点でエディターらに高く評価された。

• April 2022- Toi Nezu  (M1), David Lau Bi Da (B4), Takahiro Igarashi (B4), Kishi Sekiyama (B4), Shunpei Yamazaki (B4) joined the Electron Device Laboratory.  

根津透生  (M1), David Lau Bi Da (B4), 五十嵐貴寛 (B4), 関山騎士 (B4), 山崎峻平 (B4) が電子デバイス研究室に加わりました。

• March 22-26, 2022- Shun Urano  (M1) presented in Japan Society Applied Physics Society Spring Meeting 2022.  

M1の浦野君が2022年度第69回の応用物理学会春季学術講演会で発表しました。

• March 23, 2022- Itsuki Nagase  (M2), Masaki Ishiguro (B4), Shogo Maeda (B4), and Muhammad Faris Syahmi Bin Sharif (B4) successfully graduated. Congratulations!

永瀨樹 (M2), 石黒真輝 (B4), 前田祥吾 (B4), Muhammad Faris Syahmi Bin Sharif (B4) 卒業いたしました．おめでとうございます！

• December 2021- Joel-sensei has been included in the IEEE Transactions in Electron Devices "Golden List of Reviewers" for 2021.!!!

Joel先生は、2021年のIEEE Transactions on Electron Device の「Golden List of Reviewers」に含まれています!!!

• December 2021- Joel-sensei has been included in the IEEE Electron Device Letters "Golden List of Reviewers" for 2021.!!!

Joel先生は、2021年のIEEE Electron Device Lettersの「Golden List of Reviewers」に含まれています!!!

• December 2021- Our invited tutorial paper in collaboration with Professor Hashizume of Hokkaido University, Professor Dagmar Gregusova of Slovak Academy of Science and Professor Yatabe of Kumamoto University about surface and interface states in GaN-based devices  is one of the top 10 MOST READ TUTORIALS and METHODS from 2021 in Journal of Applied Physics!!!

北海道大学の橋詰先生、Slovak Academy of ScienceのGregusova-先生と熊本大学の谷田部先生との共同での GaN系デバイスの表面界面に関する招待チュートリアル論文がJournal of Applied Physics で2021 年TOP 10 MOST READ TUTORIALS and METHODSの一つになっています!!!

• December 2021- In collaboration with Nobel Laureate Prof. Amano's group in Nagoya University, Prof. Sarkar’s group in Indian Institute of Technology, Prof. Wakejima’s group in Nagoya Institute of Technology and Prof. Kuzuhara’s group in Kwansei Gakuin University, we have published our recent work on  GaN-based MOS-HEMTs small signal modelling in IEEE Transactions on Electron Devices.

名古屋大学のノーベル賞受賞者天野先生のグループ、Indian Institute of TechnologyのSarkar-先生のグループ、名工大の分島先生のグループ、関西学院大学の葛原先生のグループと共同で、IEEE Transactions on Electron Device にGaNベースのMOS-HEMTの小信号モデリングに関する最近の研究を発表しました。

• November 18-19, 2021- Shogo Maeda (B4), Masaki Ishiguro (B4) and Shun Urano  (M1) orally presented in IEEE International Meeting for Electron Devices Kansai 2021 (IMFEDK 2021).  

B4の前田君と石黒君とM1の浦野君がIEEE International Meeting for Electron Devices Kansai 2021 (IMFEDK 2021) の国際学会で発表しました。

• Oct 2021- Our paper recently published with Kumamoto University Prof.  Zenji Yatabe "Ornstein–Uhlenbeck process in a human body weight fluctuation" is now among the "Most Downloaded Articles" of the prestigious Physica A (impact factor 3.263).

 熊本大学の谷田部先生との共同研究でPhysica A誌に発表したヒトの体重揺らぎに関する論文が現在Physica A (impact factor 3.263) のMost Downloaded Articlesになっています!!!J

• Sept 2021- Joel-sensei delivered an invited talk in the 21st Kansai Colloquium, Electron Devices Workshop.

 Joel先生は、第21回関西コロキウムElectron Devices Workshopで招待講演を行いました。

• August  2021- Our work on state-of-the-art normally-off GaN-based MIS-HEMT with regrown AlGaN barrier published in IEEE Electron Device Letters (Impact Factor: 4.50) was selected as one of the top papers/presentations in Kansai area by the IEEE EDS Kansai Chapter

IEEE Electron Device Letters(インパクトファクター: 4.50)に掲載された、AlGaNバリア層再成を駆使した最先端ノーマリーオフGaN系MIS-HEMTに関する研究が、IEEE EDS関西のトップの1つの論文・発表に選ばれました。

• July 2021- Joel-sensei has been elevated to senior member of the Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE).

Joel先生はIEEEシニアメンバーに昇格しました。

• July 2021- In collaboration with Yatabe-sensei of Kumamoto University we have published our recent work on "Ornstein–Uhlenbeck process in a human body weight fluctuation" in Physica A.

熊本大学の谷田部先生と共同で、Physica A に"Ornstein–Uhlenbeck process in a human body weight fluctuation"という論文を発表しました。

• May, 2021- In collaboration with Prof. Amano's group in Nagoya University, Prof. Sarkar’s group in Indian Institute of Technology, Prof. Wakejima’s group in Nagoya Institute of Technology and Prof. Kuzuhara’s group in Kwansei Gakuin University, we have published our recent work on AlGaN/GaN MOS-HEMT in IEEE Journal of Electron Devices Society. 

名古屋大学の天野先生のグループ、Indian Institute of TechnologyのSarkar-先生のグループ、名工大の分島先生のグループ、関西学院大学の葛原先生のグループと共同で、IEEE Journal of Electron Device SocietyにAlGaN/GaN MOS-HEMTに関する最近の研究を発表しました

• May, 2021- Our research work in collaboration with Yatabe-sensei's group in Kumamoto University about mist-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT is featured in prestigious Compound Semiconductor Magazine (page 53) !!! 

熊本大学の谷田部先生のグループとのmist-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの共同研究が、英国の権威あるCompound Semiconductor Magazine (53ページ) という半導体雑誌に紹介されました!!!

• April, 2021- our work on state-of-the-art normally-off GaN-based MIS-HEMT with regrown AlGaN barrier has been included in IEEE Electron Device Letters "MOST POPULAR DOCUMENTS"

AlGaNバリア層再成を駆使した最先端ノーマリーオフGaN系MIS-HEMTに関する研究が、IEEE Electron Device Letters の"MOST POPULAR DOCUMENTS"の一つになっています！！！　

• April 02, 2021- Our invited tutorial paper in collaboration with Professor Hashizume of Hokkaido University, Professor Dagmar Gregusova of Slovak Academy of Science and Professor Yatabe of Kumamoto University about surface and interface states in GaN-based devices  is now one of the top 5 MOST READ PAPERS in Journal of Applied Physics!!!

北海道大学の橋詰先生、Slovak Academy of ScienceのGregusova-先生と熊本大学の谷田部先生との共同でのGaN系デバイスの表面界面に関する招待チュートリアル論文がJournal of Applied Physics でTOP 5 MOST READ PAPERの一つになっています!!!

• March 29, 2021- Our invited tutorial paper in collaboration with Professor Hashizume of Hokkaido University, Professor Dagmar Gregusova of Slovak Academy of Science and Professor Yatabe of Kumamoto University about surface and interface states in GaN-based devices has been published in Journal of Applied Physics. 

GaN系デバイスの表面界面に関する招待チュートリアル論文がJournal of Applied Physics に掲載されました。

• March 2021- Our latest Applied Physics Express paper in collaboration with Yatabe-sensei's group in Kumamoto University about mist-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT is the MOST READ PAPER in APEX!!! 

熊本大学の谷田部先生のグループとの共同研究でApplied Physics Express誌に発表したmist-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTに関する論文が現在APEXでMOST READ PAPERになっています!!!

• March 2021- In collaboration with Yatabe-sensei's group in Kumamoto University we have published our recent work on mist-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT in Applied Physics Express. 

熊本大学の谷田部先生のグループと共同で、Applied Physics Expressにmist-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTに関する最近の研究を発表しました。

• January 2021- B4 Shun Urano was awarded the Excellent Student Award by Institute of Electrical Engineers of Japan Hokuriku Chapter. 

B4の浦野君が電気学会北陸支部から優秀学生賞表彰を受賞しました。

• November 27, 2020- M1 Itsuki Nagase was awarded IEEE IMFEDK 2020 Poster Award for his presentation of  "Improved Interfaces of high-K ZrO2 and AlGaN via ex-situ MOVPE regrowth.

 永瀬君(M1)の発表「Improved Interfaces of high-K ZrO2 and AlGaN via ex-situ MOVPE regrowth」がIEEE IMFEDK 2020 Poster Awardを受賞しました。

• November 27, 2020- B4 Shun Urano and M1 Itsuki Nagase  presented in IEEE IMFEDK 2021.  

B4の浦野君とM1の永瀬君がIEEE IMFEDK 2020の国際学会で発表しました。

• November 26, 2020- M2 Ali Baratov, Low Rui Shan, and Shunsuke Kamiya  presented in IEICE Electron Device 2021 

M2のBaratov君、 Lowさんと 神谷君が電子情報通信学会 電子デバイス研究会で発表しました。

• September 27, 2020- M1 Itsuki Nagase  presented in SSDM 2021.

M1の永瀬君が国際学会(SSDM 2020)で発表しました。

• July, 2020- We have published our work on p-GaN gate design considerations in Japanese Journal of Applied Physics. 

p-GaNゲート構造の設計に関する研究がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました。

• April-June, 2020- our work on state-of-the-art normally-off GaN-based MIS-HEMT with regrown AlGaN barrier has been included in IEEE Electron Device Letters "MOST POPULAR DOCUMENTS"

AlGaNバリア層再成を駆使した最先端ノーマリーオフGaN系MIS-HEMTに関する研究が、IEEE Electron Device Letters の"MOST POPULAR DOCUMENTS"の一つになっています！！！　

• April, 2020- We have published our work on state-of-the-art normally-off GaN-based MIS-HEMT with regrown AlGaN barrier in IEEE Electron Device Letters. 

AlGaNバリア層再成を駆使した最先端ノーマリーオフGaN系MIS-HEMTに関する研究がIEEE Electron Device Lettersに掲載されました。

• April, 2020- We have published our work on  vertical-type Enhancement-mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs in Physica Status Solidi. 

縦型ノーマリーオフAlGaN / GaN MIS-HEMTに関する研究がPhysica Status Solidiに掲載されました。

• March, 2020- M1 Ali Baratov and Low Rui Shan  presented in JSAP Spring meeting 2021

M1のBaratov君と Lowさんが2020年応用物理学春季学術講演会で発表しました。

• February 2, 2020- Joel-sensei received the "Best Teacher" Award .

Joel先生は「The Teacher of the Year」賞を受賞しました。