Step 1: Crystal structure

まず「Setting」タブから「Crystal structure」のセクションから、格子定数、Reflection condition、試料の(初期)方位を入力します。

特に大観ではlow-Qの磁気反射を測定することが多いと思うので、その時は「q-vectors」のセクションから磁気伝播ベクトルを入力してcheck boxをクリックします。

Step 3: Comparing the simulated pattern with the experiment

今回はまずHL bankで方位を決めたので、それに合うようにシミュレーションの中で結晶を回転させます。その際には「Simulation」タブの「Free rotation」を使います。

特定の反射のQ、λ、2θ、Azimuth angleを見るためには「Simulation」タブの「Target reflection」のセクションにその反射の(H,K,L)を入力して「Set」を押してください。一度セットすると、その後試料を回転させた際に随時λや2θの値が更新されるので、それを使って実験で得られた値に合わせて結晶方位を調節してください。

HL bankのスポット位置にシミュレーションを合わせた時に、ML bankに低角の強い磁気反射が入っていることが予測されます。それを実際に見てみると、下の図に示したように確かに磁気反射が観測されていました。

UTSUSEMIで個々の検出器バンクを描画した際には、横軸に検出器番号、縦軸にピクセル番号で表示されます。マウスカーソルを持っていくと、各ピクセルでの2θやazimuth angleが表示されます。一方、シミュレーションは試料位置から検出器を見た場合の反射位置を示しており、両者を合わせる際には注意が必要です。

検出器番号、もしくはピクセル番号が増える方向が2θの増える方向なのか、azimuthが正の方向か負の方向か、確認しながらシミュレーションと比較してください。MR bankの場合は90度回転して左右反転するとシミュレーションと同じ配置になります。