Project

1) 수직 적층형 FLASH 기반 PIM 칩 구현

4 / 2025 ~ 12/ 2028 : 한국연구재단  (PIM인공지능반도체핵심기술개발(R&D), 공동)

2) 고집적 고효율 PIM 구현을 위한 응용 맞춤형 연산 비스포크 소자 개발

3 / 2024 ~ 12/ 2026 : 한국연구재단  (PIM인공지능반도체핵심기술개발(소자)사업(신개념PIM기초), 책임)

3) 고성능 선택소자 개발을 통한 고집적 크로스포인트 시냅스 어레이 구현

 01 / 2024 ~ 12/ 2024 : 삼성전자 반도체연구소  (책임)

• NOR type & AND type Flash memory (charge trap layer), 3D AND type Flash memory, DRAM, 1T-DRAM (floating body effect)