Patent
International Patents (Issued)
[29] J. Kim, T. Na, D. Kim, and J. Baek, "US11127457: Memory device with reduced read disturbance and method of operating the memory device,” Sep. 21. 2021.
[28] V. Gangasani, M.-S. Kim, T. Na, and J.-H. Shin, “US11114160: Memory device for compensating for current of off cells and operating method thereof,” Sep. 7. 2021.
[27] D. J. Lee and T. Na, “US11107524: Methods and apparatus for resisitive memory device for sense margin compensation,” Aug. 31. 2021.
[26] J.-H. Lim, J. Kim, T. Na, and V. Gangasani, “US11100990: Memory device for avoiding multi-turn on of memory cell during reading, and operating method thereof,” Aug. 24. 2021.
[25] K.-R. Sim and T. Na, “US11100959: Variable resistance memory device,” Aug. 24. 2021.
[24] T. Na, M. H. Park, K. J. Lee, and Y. J. Lee, “US11056187: Memory device with read-write-read memory controller,” Jul. 6. 2021.
[23] Y. Cho, T. Na, J. Shin, and M. Hirano, “US11011228: Memory device having an increased sensing margin,” May 18. 2021.
[22] J. Kim, T. Na, D. Kim, and J. Baek, "US10998038: Memory device and method of operating the same,” May 4. 2021.
[21] Y.-J. Lee, T. Na, and C.-O. Lim, "US10937519: Memory devices, memory systems and methods of operating memory devices,” Mar. 2. 2021.
[20] Y. S. Cho, V. Gangasani, H. W. Kim, and T. Na, “US10902905: Memory device,” Jan. 26. 2021.
[19] V. Gangasani, M.-S. Kim, T. Na, and J.-H. Shin, “US10825517: Memory device for compensating for current of off cells and operating method thereof,” Nov. 3. 2020.
[18] C. O. Lim, T. Na, J. Sunwoo, and Y. J. Lee, “US10706920: Memory device,” Jul. 7. 2020.
[17] V. Gangasani, T. Na, and B. A. Janjua, "US10685707: Memory device,” Jun. 16. 2020.
[16] Y.-J. Lee, T. Na, and C.-O. Lim, "US10629286: Memory devices, memory systems and methods of operating memory devices,” Apr. 21. 2020.
[15] C. O. Lim, T. Na, J. Sunwoo, and Y. J. Lee, “US10580488: Memory device for generating a compensation current based on a difference between a first read voltage and a second read voltage and a method of operating the same,” Mar. 3. 2020.
[14] S.-O. Jung, S. Choi, B. Song, T. Na, J. Kim, J. P. Kim, S. Kim, T. Kim, and S. H. Kang, “US10263645: Error correction and decoding,” Apr. 16. 2019.
[13] T. Na, B. Song, S.-O. Jung, J. P. Kim, and S. H. Kang, “US9852783: Metal-oxide semiconductor (MOS) transistor offset-cancelling (OC), zero-sensing (ZS) dead zone, current-latched sense amplifiers (SAs) (CLSAs) (OCZS-SAs) for sensing differential voltages,” Dec. 26. 2017.
[12] S.-O. Jung, S. Choi, B. Song, T. Na, J. Kim, J. P. Kim, S. Kim, T. Kim, and S. H. Kang, “US9800271: Error correction and decoding,” Oct. 24. 2017.
[11] S.-O. Jung, B. Song, T. Na, J. P. Kim, and S. H. Kang, “US9728259: Non-volatile (NV)-content addressable memory (CAM) (NV-CAM) cells employing differential magnetic tunnel junction (MTJ) sensing for increased sense margin,” Aug. 8. 2017.
[10] S.-O. Jung, T. Na, B. Song, J. P. Kim, and S. H. Kang, “US9691462: Latch offset cancelation for magnetoresistive random access memory,” Jun. 27. 2017.
[9] S.-O. Jung, T. Na, B. Song, J. P. Kim, and S. H. Kang, “US9666259: Dual mode sensing scheme,” May 30. 2017.
[8] S.-O. Jung, T. Na, B. Song, J. P. Kim, and S. H. Kang, “US9502091: Sensing circuit for resistive memory cells,” Nov. 22. 2016.
[7] S.-O. Jung, S. Choi, J. Kim, T. Na, J. P. Kim, and S. H. Kang, “US9502088: Constant sensing current for reading resistive memory,” Nov. 22. 2016.
[6] S.-O. Jung, T. Na, J. Kim, J. P. Kim, and S. H. Kang, “US9406354: System, apparatus, and method for an offset cancelling single ended sensing circuit,” Aug. 2. 2016.
[5] S.-O. Jung, T. Na, J. Kim, S. H. Kang, and J. P. Kim, “US9390779: System and method of sensing a memory cell,” Jul. 12. 2016.
[4] S.-O. Jung, T. Na, J. Kim, J. P. Kim, and S. H. Kang, “US9378781: System, apparatus, and method for sense amplifier,” Jun. 28. 2016.
[3] S.-O. Jung, T. Na, J. Kim, J. P. Kim, and S. H. Kang, “US9281039: System and method to provide a reference cell using magnetic tunnel junction cells,” Mar. 8. 2016.
[2] S.-O. Jung, T. Na, J. Kim, J. P. Kim, and S. H. Kang, “US9165630: Offset canceling dual stage sensing circuit,” Oct. 20. 2015.
[1] S.-O. Jung, T. Na, J. Kim, J. P. Kim, and S. H. Kang, “US9111623B1: NMOS-offset canceling current-latched sense amplifier,” Aug. 18. 2015.
International Patents (Filed)
[4] J. Hong, M. H. Park, and T. Na, “US 18/515,504: Spin logic device having enhanced data retention,” Nov. 21. 2023.
[3] J. Hong, T. Na, and S. Oh, “US 18/151,678: Spin-charge conversion based spin logic device,” Jan. 9. 2023.
[2] 나태희, "PCT/KR2020/010183: 읽기 오류의 제거가 가능한 비휘발성 플립플롭의 데이터 복원 모드에서의 동작 방법," Aug. 3. 2020.
[1] 나태희, "PCT/KR2020/004548: 상변화 메모리 장치에서의 데이터 리드 동작 방법," Apr. 3. 2020.
[14] 홍종일, 나태희, 오새룬터, "10-2649376: 스핀 전하 변환 기반의 스핀 로직 소자," Mar. 14. 2024.
[13] 나태희, 김도연, "10-2547037: 입력 전압의 크기 차를 감지하기 위한 전류 래치 감지 증폭기," Jun. 27. 2023.
[12] 나태희, 바야르툴가, "10-2464441: 자기 터널 접합을 이용한 저전력 기반의 비휘발성 플립플롭," Nov. 2. 2022.
[11] 나태희, 최광휘, "10-2446853: 더블 센싱 마진을 이용한 비휘발성 플립플롭 및 이의 동작 방법," Sep. 20. 2022.
[10] 임채욱, 나태희, 선우정, 이용준 "10-2407455: 메모리 장치," Jun. 7. 2022.
[9] 이용준, 나태희, 임채욱 "10-2406868: 메모리 장치, 메모리 시스템 및 메모리 장치의 동작 방법," Jun. 3. 2022.
[8] 임채욱, 나태희, 선우정, 이용준 "10-2401183: 메모리 장치 및 그 동작 방법," May 19. 2022.
[7] 나태희, 박무희, 이광진, 이용준 "10-2300559: 메모리 장치 및 그 동작 방법," Sep. 3. 2021.
[6] 나태희, "10-2278218: 읽기 오류의 제거가 가능한 차지 펌프 기반의 비휘발성 플립플롭의 데이터 복원 모드에서의 동작 방법," Jul. 12. 2021.
[5] 나태희, "10-2239742: 읽기 오류의 제거가 가능한 비휘발성 플립플롭의 데이터 복원 모드에서의 동작 방법," Apr. 7. 2021.
[4] 나태희, "10-2239740: 상변화 메모리 장치에서의 데이터 리드 동작 방법," Apr. 7. 2021.
[3] 나태희, "10-2229659: 셋업 타임이 감소된 전송 게이트 기반 마스터-슬레이브 플립플롭," Mar. 12. 2021.
[2] 나태희, "10-2220044: 비휘발성 플립플롭의 데이터 복원 모드에서의 동작 방법," Feb. 19. 2021.
[1] 정성욱, 나태희, 김지수, 강승혁, 김정필, "10-1669164: 기준 셀 및 공통 감지 경로를 이용한 메모리 셀 판독," Oct. 19. 2016.
Domestic Patents (Filed)
[14] 나태희, 김재환, 한민구, "10-2023-0182522: 오프셋 내성 전류 샘플링 센스 증폭기의 제어 방법, 페이즈-컨트롤-기반 머지드 레퍼런스 방식의 센스 증폭부 및 그 제어 방법," Dec. 15. 2023.
[13] 홍종일, 나태희, "10-2023-0119673: 전류 래치 센스 앰프 및 메모리 장치," Sep. 8. 2023.
[12] 나태희, "10-2023-0052465: 2진 신경망의 출력 연산을 위한 MRAM 기반의 연산 장치," Apr. 21. 2023.
[11] 홍종일, 박민혁, 나태희, "10-2023-0050282: 데이터 보존성이 향상된 스핀 로직 소자," Apr. 17. 2023.
[10] 조용성, 벤카타라마나 강가사니, 김희원, 나태희, "10-2019-0040369: 메모리 장치," Apr. 5. 2019.
[9] 심규리, 나태희, "10-2019-0008898: 가변 저항 메모리 소자," Jan. 23. 2019.
[8] 벤카타라마나 강가사니, 나태희, 잔주아 빌랄아흐마드, "10-2018-0110822: 메모리 장치," Sep. 17. 2018.
[7] 벤카타라마나 강가사니, 김무성, 나태희, 신준호, "10-2018-0067565: 오프 셀들의 전류를 보상하는 메모리 장치 및 그것의 동작 방법," Jun. 12. 2018.
[6] 임채욱, 나태희, 선우정, 이용준, "10-2018-0031600: 메모리 장치," Mar. 19. 2018.
[5] 임채욱, 나태희, 선우정, 이용준, "10-2017-0165843: 메모리 장치 및 그 동작 방법," Dec. 5. 2017.
[4] 이용준, 나태희, 임채욱, "10-2017-0157040: 메모리 장치, 메모리 시스템 및 메모리 장치의 동작 방법," Nov. 23. 2017.
[3] 나태희, 박무희, 이광진, 이용준, "10-2017-0159312: 메모리 장치 및 그 동작 방법," Nov. 11. 2017.
[2] 나태희, 송병규, 정성욱, 김정필, 강승혁, "10-2019-7008130: MOS 트랜지스터 오프셋-상쇄 차동 전류-래치형 감지 증폭기," Sep. 18. 2017.
[1] 정성욱, 최사라, 송병규, 나태희, 김지수, 김정필, 김성렬, 김태현, 강승혁, "10-2018-7010280: 저전력 이중 에러 정정-삼중 에러 검출 (DEC-TED) 디코더," Aug. 25. 2016.