Wide Bandgap Semiconductor Technology
We specialize in the development of Wide Bandgap (WBG) semiconductors, renowned for their exceptional performance capabilities that are fueling a technological revolution in the industry. WBG semiconductors have a larger bandgap than conventional semiconductors, enabling them to operate at higher voltages, temperatures, and frequencies.
This advantage is a paradigm shift in semiconductor technology, making WBGs a key technology in cutting-edge applications such as extreme environment sensors/devices/ICs, consumer chargers, telecommunications, solar/wind inverters, EV onboard chargers, and DC-DC/main converters, etc.
Our research focuses on characterizing WBG materials, device design, as well as nano/micro-fabrication and analysis.
SNDL은 미래를 열어갈 새로운 반도체 소재의 물성을 이해하고, 혁신적인 개념의 반도체 소자를 고안하고 개발하는 연구를 하고 있습니다.
반도체의 물성분석, 소자설계, 공정 및 측정 등을 포함하는 연구활동을 통해서, 물질특성에 따른 물리 현상들을 이해하고, 이를 제어하고 활용하는 방법을 찾아내어, 소자와 시스템에 적용될 수 있도록 합니다.
특히, SNDL은 고에너지갭(Wide Bandgap, WBG) 반도체 연구에 대한 연구에 대한 전문성을 인정받고 있습니다. WBG 반도체는 높은 전압, 온도 및 주파수에서 작동할 수 있는 반도체로, 우주 및 극한 환경, 통신, 태양광/풍력 발전 인버터, EV 및 e모빌리티 등의 최첨단 응용 분야에서 혁신적으로 적용됩니다.
이러한 기존 기술의 한계를 극복하는 연구를 통하여, SNDL 구성원들은 미래 반도체 전문가로 자리매김하며, 혁신적인 발전을 선도할 주인공이 될 것입니다.
Resources
In-House Facilities :
DLTS (77K~650K), AFM/SKPM, FTIR, Gas-Sensor Meas. Systems
Probe Station; Multi-channel I-V Measurements
Semiconductor Parameter Analyzer; Femto- up to 50 A, 3000 V
Thin Film Deposition/Metallization & Patterning: E-Beam Evaporator, DC-/RF- Sputter, Mask-Aligner, RIE, RTA, High-Temperature Furnace; (~1700 K)
External Collaborators/Resources :
KERI, Postech-NINT, KIST, ETRI, KETI, etc.
On-Semi, Samsung Electronics, Hyundain Motors, LG Innotek, SK Powertech, Power Master Semi, etc.
Fraunhofer IISB, Germany; National Institute of Standards and Technology, USA; KTH-Electrum and RiSE, Stockholm, Sweden; University of Oslo; National Taiwan University, Taiwan; Nagoya Institute of Technology, Japan, etc.
Materials-Device Design/Process
Our research group places a strong emphasis on the characterization of semiconductor materials, device simulations and design, as well as nano/micro-fabrication and analysis, with the goal of advancing Materials-Device Design/Process.
Projects/Collaborations
Projects: (partial list)
(~2025/12) 산업부 KEIT: Si-on-SiC 구조기반 차세대 전력반도체 개발 (컨소시엄 총괄)
(~2025/12) 산업부 KEIT: 1.2kV급 저손실 산화갈륨 트랜지스터 개발
(~2024/02) 연구재단 NRF: Deep Level Defect 제어에 기반한 고에너지갭 반도체 Ga2O3/SiC 이종접합 양극성 소자
(~2024/02) 삼성전자 산학과제: SiC 소자 적용을 위한 물성 분석
(~2023/05) 현대차 산학과제 Hyundai Motors: 산화갈륨 반도체 설계 및 분석을 위한 모델링
(~2023/12) 산업부 KEIT: 초고내압용 3300V 및 4500V 급 SiC 스위칭 소자 개발
(~2025/02) 산업부/반도체조합: 차세대전력반도체 소자제조 전문인력양성 (제조분과 주관)
(~2024/02) 산업부 KIAT: 고효율 고신뢰성 EV 차량용 반도체 개발을 위한 미래형 인재양성
Collaborations: Our off-campus partnerships span a wide range of cutting-edge domestic companies and research institutes, along with esteemed international collaborators across Asia, Europe, and the United States.