RESEARCH

  • CMOS Extension

  • Monolithic 3D 집적 회로 연구: Laser 와 Microwave annealing 을 이용한 하부층에 손상을 주지 않는 저온공정 기반 고품질 상부 소자층 형성 연구

  • 저온 공정 개발: silicide 형성과 dopant activation 을 위한 기존 공정 (RTA) 대비 저온 Microwave annealing 연구

  • 소자 신뢰성 평가: BTI, TDDB, HCI 와 같은 신뢰성 평가를 통한 소자 진단 및 10-year lifetime 보장 연구


  • Monolithic 3D Integration Circuit: Study on using Laser and Microwave annealing for a low-temperature process to prevent deterioration of the lower device and get high performance for the upper device.

  • Low-temperature process: Low-temperature annealing using Microwave annealing compared to conventional annealing (RTA) for silicide formation and dopant activation.

  • Device reliability: Reliability assessment such as BTI, TDDB, and HCI to diagnose devices and guarantee a 10-year lifetime.

  • Memory Applications

  • Ferroelectric 소자 연구: Chemical solution 증착, ALD, RF sputter 를 이용한 Ferroelectric HZO 박막 제조

HPA, Microwave annealing, 하부 전극 및 interlayer 를 이용한 HZO 박막의 Polarization 및 retension 향상 연구

메모리 소자를 위한 MFM 및 FeFET 의 Ferroelectric 특성 평가

  • ReRAM: CMOS 기술 호환성을 가진 material 을 이용한 ReRAM 소자 제작 및 특성화

다양한 material combination 및 programming 을 통한 소자 성능, 안정성, 신뢰성 향상 연구


  • Ferroelectric devices: Fabrication of the ferroelectric HZO thin film using chemical solution deposition, ALD, and RF sputter.

Enhancing the polarization and the retention performance of HZO thin film by HPA, Microwave annealing, bottom electrode materials, and interlayers.

Evaluation of the Ferroelectric properties on MFM and FeFET for memory devices.

  • ReRAM: Fabrication and characterization of ReRAM devices using CMOS technology compatible materials.

Improve device performance, stability, reliability through different material combinations and programming methods.

  • Metal-Oxide Thin-Film Transistors

  • SAM 처리 및 수소 doping 을 통한 표면 및 결함 passivation 으로 IGZO TFTs 의 mobility 와 reliability 향상 연구

  • alkali 금속 doping 을 통한 Indium Zinc Oxide 의 저온 결정화 및 전기적 특성 향상 연구

  • Laser 열처리를 이용한 산화물 반도체 저온 결정화 연구

  • 새로운 sensor generation 을 위한 MGFET 제작


  • Enhance the mobility and reliability of IGZO TFTs with surface and defects passivation by SAM treatment and hydrogen doping.

  • Low-temperature crystallization of Indium Zinc Oxide through doping of alkali metal and improvement of electrical properties.

  • Low-temperature crystallization of oxide semiconductor using laser heat treatment.

  • Fabrication of MGFET for new sensor generation.