FCC KDB 447498 Mobile and Portable Device, RF Exposure, Equipment Authorization Procedures
1.4.2 Mobile and Portable Devices
For devices that operate at more than 20 cm distance from any person,
For wireless devices intended for use near or against the body (such as cell phones, tablets and other portable devices) operating at or below 6 GHz, these guidelines specify exposure limits in terms of Specific Absorption Rate (SAR). The SAR is a measure of the rate that RF energy is absorbed by the body. For exposure to RF energy from wireless devices, the allowable FCC SAR limit is 1.6 watts per kilogram (W/kg), as averaged over one gram of tissue.
FCC KDB 447498 D01 v07 start at Jul 2022
Face mask
藍牙和WIFI設備所處的2450MHz/5800MHz頻段,2450MHz門檻值從原來的10mW降低至3mW,5800MHz頻段從原來的6mW降低至1mW,凡是功率超過這個門檻值的穿戴/便攜式設備要求增加SAR測試。 轉嚴格
警語
台灣: 7.1 電磁波警語標示
(1)警語內容:「減少電磁波影響,請妥適使用」。
(2)標示方式:設備本體適當位置標示,且於設備外包裝及使用說明書上標明。
7.2 電磁波能量比吸收率(SAR) 警語標示
(1)警語內容:「SAR 標準值 2.0W/kg;送測產品實測值為:____W/kg」。
(2)標示方式:設備本體適當位置標示,且於設備外包裝及使用說明書上標明。
步驟: 測試 label 黏貼於待測物表面之後的服貼度,label 不應輕易鬆脫、捲翹 或是 剝落、脫字,而造成使用者辨識上的困難
( A ) 適用情形: 與Safety / EMC有關的標示 marking,例如銘版、Caution、label、Fuse rating、PE Marking、ON/OFF marking...
( B ) 步驟: 以下敘述只為簡略敘述)
用手將沾水的濕布,摩擦 marking 15 秒鐘
用手將沾有機溶劑的布,續摩擦 marking 15 秒鐘
( C ) 判定: 測試完成後,marking 仍需清楚易辨,如為 label ,其邊緣不可捲起,或被輕易取下
目的: 模擬人體帶靜電時,將高壓靜電透過直接或間接放電破壞機體
noiseken 30KVA
備註:
環境溫度需在15 到35 攝氏
濕度維持在 30 百分比到 60 百分比
壓力在 68 到 106千帕之間
Keytech 15KVA
步驟:
直接放電
Contact:4KV(B)每個點 +/- 各25次放電
Air:8KV(B)每個點 +/- 各10次放電
間接放電
HCP水平耦合:4KV(B)
VCP垂直耦合:4KV(B)
備註: 直接放電時至少放電200次,每次至少測4點,其中一點測試HCP,其他3點測EUT,若無直接接觸放電的位置,則VCP至少放電200次
判定:
Criterion A: 指產品功能在測試前後及測試過程中完全可以正常操作,無任何功能減低或異常現象出現,完全不受 ESD 放電影響
Criterion B: 指產品在測試過程中,功能會受 ESD 放電影響,在放電瞬間會暫時性的功能降低,但可以自動回復
Criterion C: 指產品功能在測試前可正常被操作,但測試過程中受 ESD 放電影響,出現功能降低或異常,且功能無法自動回復,必須經由操作人員做重置 (Re-set) 或重開機的動做才能回復功能
Criterion D: 指產品功能在測試前可正常被操作,但測試過程中出現異常,雖經由操作人員做重置 (Re-set) 或重開機也不能回復功能,這種情況大概產品已損傷嚴重,僅符合 D 級判定結果( 這屬不合格 )
目的: 防止輻射干擾
Semi-Anechoic Chamber
判定: Under regulation 6dBm, or internal 4 dBm for outside Lab. testing.
樣品挑選: 1) Spectrum RBW: 300KHz;
VBW: 1MHz;
SWT: 200ms;
SPAN 10 MHz;
REF LEVEL: 5 or 10dBm
如果有探棒可以直接接觸RF output量測就不需外接接頭至 Spectrum. 探棒要可以量測RF高頻訊號的.
2) 注意RF測試版連接線不可太長或跨越RF chip 上方.
目的: 模擬開關瞬間造成高壓雜訊
步驟 : AC電源埠:+/- 1KV(B) 測試時分別測試 L, N, PE,L+N ,L+PE ,N+PE, L+N+PE
備註: 信號線(Cable超過3米):+/- 0.5KV(B), 使用clamp測試
判定: Criterion A: 在技術要求限值內性能正常。
Criterion B: 功能或性能暫時降低或喪失,但能自行恢復。
Criterion C: 功能或性能暫時降低或喪失,但需要操作者干預或系統復位。
Criterion D: 因設備(元件)或軟體損壞,或數據丟失而造成不能自行恢復或正常狀態的功能降低或損失。
目的: 模擬瞬間之高壓或高電流破壞機體
步驟 : AC電源(L-G,N-G) :+/- 2KV(B)
AC電源(L-N):+/- 1KV(B)
備註: 信號線線長大於30m才需測試
判定: Criterion A: 在技術要求限值內性能正常。
Criterion B: 功能或性能暫時降低或喪失,但能自行恢復。
Criterion C: 功能或性能暫時降低或喪失,但需要操作者干預或系統復位。
Criterion D: 因設備(元件)或軟體損壞或數據丟失而造成不能自行恢復或正常狀態的功能降低或損失
目的: 模擬連續性干擾雜訊經由電源線或信號線干擾。
步驟 : 0.15-80MHz,3V(A), 測試時使用CDN將雜訊耦合到待測物的電源。
CDN: 偶合(Coupling)與反偶合器(Decoupling)
M3: 三pin 電源輸入接頭的偶合與反偶合器。
M2: 二pin 電源輸入接頭的偶合與反偶合器。
S1: BNC接頭的偶合與反偶合器。
25: DB25 pin 接頭的偶合與反偶合器。
EM Clamp:電磁場夾具
待測物應置於10cm的非金屬絕緣物上並需離牆至少50cm以上,量測設備則置於金屬桌上。
待測物與CDN之間的距離: 0.1M< L <0.3M
判定: Criterion A: 在技術要求限值內性能正常。
Criterion B: 功能或性能暫時降低或喪失,但能自行恢復。
Criterion C: 功能或性能暫時降低或喪失,但需要操作者干預或系統復位。
Criterion D: 因設備(元件)或軟體損壞或數據丟失而造成不能自行恢復或正常狀態的功能降低或損失
樣品 : 挑樣品
1) Spectrum setup RBW: 300KHz;
VBW: 1MHz ;
SWT: 200ms;
SPAN 10 MHz;
REF LEVEL: 5 or 10dBm
如果有探棒可以直接接觸RF output量測就不需外接接頭至 Spectrum. 探棒要可以量測RF高頻訊號的.
2) 焊接Conducted 量測線時 GND 要選擇面積大一點的地方, 且焊接的位置, 線的長短擺放的方式都要固定, 否則即便挑好的樣品也會因為焊接方式不同, 而讓量測數據差異很多.( couducted 不同的樣品誤差不可已超過 1dBm)
目的: 模擬環境所產生的磁場對機體所造成的影響。
步驟 : 50Hz,1A/m(A)天線需置於X,Y,Z三軸測試。
目的: 模擬輸入電壓突然下降或斷電對待測試所造成的影響。
步驟 : Level>95%, 0.5週期(D)
Level>30%, 0.5週期(C)
Level>95%, 250週期(C)