EMC/RF Test

備註： 直接放電時至少放電200次，每次至少測4點，其中一點測試HCP，其他3點測EUT，若無直接接觸放電的位置，則VCP至少放電200次
判定：
Criterion A： 指產品功能在測試前後及測試過程中完全可以正常操作，無任何功能減低或異常現象出現，完全不受 ESD 放電影響
Criterion B： 指產品在測試過程中，功能會受 ESD 放電影響，在放電瞬間會暫時性的功能降低，但可以自動回復
Criterion C： 指產品功能在測試前可正常被操作，但測試過程中受 ESD 放電影響，出現功能降低或異常，且功能無法自動回復，必須經由操作人員做重置 (Re-set) 或重開機的動做才能回復功能
Criterion D： 指產品功能在測試前可正常被操作，但測試過程中出現異常，雖經由操作人員做重置 (Re-set) 或重開機也不能回復功能，這種情況大概產品已損傷嚴重，僅符合 D 級判定結果( 這屬不合格 )

判定： Under regulation 6dBm, or  internal 4 dBm for outside Lab. testing.

樣品挑選： 1) Spectrum RBW: 300KHz;
VBW: 1MHz;
SWT: 200ms;
SPAN 10 MHz;
REF LEVEL: 5 or 10dBm
如果有探棒可以直接接觸RF output量測就不需外接接頭至 Spectrum. 探棒要可以量測RF高頻訊號的. 

2)   注意RF測試版連接線不可太長或跨越RF chip 上方.

步驟 ： 0.15-80MHz，3V(A), 測試時使用CDN將雜訊耦合到待測物的電源。
CDN： 偶合(Coupling)與反偶合器(Decoupling)
M3： 三pin 電源輸入接頭的偶合與反偶合器。
M2： 二pin 電源輸入接頭的偶合與反偶合器。
S1： BNC接頭的偶合與反偶合器。
25： DB25 pin 接頭的偶合與反偶合器。

EM Clamp：電磁場夾具
待測物應置於10cm的非金屬絕緣物上並需離牆至少50cm以上,量測設備則置於金屬桌上。
待測物與CDN之間的距離: 0.1M< L <0.3M

判定： Criterion A： 在技術要求限值內性能正常。
Criterion B： 功能或性能暫時降低或喪失，但能自行恢復。
Criterion C： 功能或性能暫時降低或喪失，但需要操作者干預或系統復位。
Criterion D： 因設備（元件）或軟體損壞或數據丟失而造成不能自行恢復或正常狀態的功能降低或損失

樣品 ： 挑樣品

1)  Spectrum setup RBW: 300KHz;
VBW: 1MHz ;
SWT: 200ms;
SPAN 10 MHz;
REF LEVEL: 5 or 10dBm
如果有探棒可以直接接觸RF output量測就不需外接接頭至 Spectrum. 探棒要可以量測RF高頻訊號的.

2) 焊接Conducted 量測線時 GND 要選擇面積大一點的地方, 且焊接的位置, 線的長短擺放的方式都要固定, 否則即便挑好的樣品也會因為焊接方式不同, 而讓量測數據差異很多.( couducted 不同的樣品誤差不可已超過 1dBm)

步驟 ： 50Hz，1A/m(A)天線需置於X,Y,Z三軸測試。

步驟 ： Level>95%, 0.5週期(D)
Level>30%, 0.5週期(C)
Level>95%, 250週期(C)