担当講義

半導体デバイスI　(大学2年)

講義内容：1.結晶とバンド構造　2.分布関数とフェルミエネルギー　3.真性半導体のキャリア密度とフェルミエネルギー　4.不純物半導体のキャリア密度とフェルミエネルギー　5.電界内におけるキャリアの移動-ドリフト電流　6.キャリア濃度分布によるキャリアの移動-拡散電流　7.非平衡状態のキャリア濃度　8.半導体の光吸収　9.半導体の光伝導　10.pn接合の電荷分布、電界分布、電位分布　11.ダイオード作製プロセスと整流特性の定性的説明　12.pn接合ダイオードの理想特性　13.pn接合ダイオードの実際　14.様々なデバイスの紹介

以下にオンデマンド講義の1部を示します。

半導体デバイスII　(大学3年)

物理実験II　(大学3年)

基礎物理学II-電磁気学　(大学1年)