著書
山本真義（共著）：EV・HEV車に向け部品の放熱・冷却・耐熱技術，株式会社情報機構，第3章第2節，pp. 244-251，2010.
山本真義（共著）：交流電源用インターフェイスコンバータの応用技術（交流電源インターフェイス用コンバータ技術調査専門委員会編），電気学会技術報告 第1205号（D部門），pp. 23-29，2010.
山本真義（共著）：～EV、HEVに向けた～車載用インバータ，株式会社トリケップス，第3章，2012年5月31日刊行.
山本真義（共著）：自動車用パワーエレクトロニクスの動向（自動車用パワーエレクトロニクスの適用調査専門委員会編），電気学会技術報告 第1255号（D部門），pp.24-28，2012.
山本真義（共著）：商用電源にインターフェースされる電力変換システム技術（商用電源にインターフェイスされる電力変換システム技術調査専門委員会編），電気学会技術報告 第1292号（D部門），pp.14-21，2013.
山本真義･川島崇宏：『パワーエレクトロニクス回路における小型・高効率設計法』－昇圧チョッパから結合インダクタの設計まで－，科学情報出版，ISBN978-4-904774-14-4，2014年6月22日刊行.
山本真義（共著）：次世代自動車のための熱設計・評価手法と放熱・実勢技術，シーエムシー出版，第4章，pp. 166-181，ISBN978-4-7813-1004-6，2014年10月31日刊行.
山本真義（共著）：自動車用パワーエレクトロニクスの拡大（自動車用パワーエレクトロニクスの拡大調査専門委員会編），電気学会技術報告 第1346号（D部門），pp.19-29，2015.
山本真義：自動車用48V電源システム 欧州勢の思惑と日本企業が目指すべき技術開発の方向性，サイエンス&テクノロジー株式会社，ISBN978-4-86428-143-0，2016年9月28日刊行.
山本真義（共著）： 空飛ぶクルマ ～空のモビリティ革命に向けた開発最前線～，(株)エヌ・ティー・エス，ISBN978-4-86043-678-0 C3065，2020年10月発行.
“エンジニアの悩みを解決パワーエレクトロニクス‐パワーデバイスを使いこなす設計・計測・自動車への展開”, 高木 茂行, 長浜 竜, 服部 文哉, 今岡 淳, 平沢 浩一, 向山 大索, 共著, 第7.4節DC-DCコンバータpp.155-159第8.2節インダクタpp.181-202, コロナ社, 500冊, 2020年7月
総説
山本真義：島根県におけるトンネル用白色LED照明装置開発の最前線，電気学会誌，（社）電気学会，Vol. 130，No. 11 (2010年)
山本真義：省エネシステム実現のためのLED照明用配光設計手法，ケミカルエンジニヤリング，化学工業社，Vol. 57，No. 2，pp. 22-26 (2012年)
山本真義：電気自動車用超小型バッテリ充電器の開発，ケミカルエンジニヤリング，化学工業社，Vol. 57，No. 7，pp. 17-21 (2012年)
山本真義：実験研究！超高速・超高効率パワー素子SiC MOSFET，トランジスタ技術，CQ出版，No. 4，pp. 169-176 (2013年)
山本真義：入門！ 電気自動車のエレクトロニクス，電気自動車を支える電源技術とパワー・デバイス，トランジスタ技術，CQ出版，No. 10，pp. 51-72 (2013年)
山本真義：リラクタンス・モータを100kHzで静音駆動！電気も喰わない！電流のキレが違う！超高速1200Vパワー半導体 SiC MOSFETの実力，トランジスタ技術，CQ出版，No.9，pp. 153-162 (2014年)
山本真義：実験室① MOSFETのゲート抵抗の最適値，トランジスタ技術，CQ出版，No. 1，pp. 95-104 (2015年)
山本真義：ウルトラ・ハイスピード・パワー・トランジスタGaN HEMT 実験レポート，トランジスタ技術，CQ出版，No. 2，pp. 135-148 (2015年)
山本真義：超低ロス・超高速パワー・トランジスタSCH2080KE 発熱量テスト，トランジスタ技術，CQ出版，No. 3，pp. 142-154 (2015年)
山本真義：SiC MOS-FET のノイズ特性 新材料パワー半導体時代のEMC，月刊EMC，科学技術出版，No. 326，pp. 89-98 (2015年)
山本真義：各社最新動向から見る車載用パワーデバイスの方向性と今後の予測，エネルギーデバイス，技術情報協会，No.10，pp. 25-29 (2015年)
山本真義：GaN FETの実力，トランジスタ技術SPECIAL「要点マスタ! パワー電源＆高輝度LED照明の作り方」，CQ出版，No.134，pp. 60-61 (2016年)
山本真義：トラ技ジュニア（2016年秋号）「やってはいけない！アルミ電解コンデンサの使い方」，CQ出版，2016年秋号（第27号），pp. 39 (2016年)
山本真義：車載用インバータの技術開発動向，車載テクノロジー（2016年10月号），情報技術協会，2016年10月号（新創刊号），pp. 62-67 (2016年)
山本真義：フルSiC ハイブリッド車時代に要求されるEMC 技術，月刊EMC，科学情報出版，No. 343，2016年11月号，pp. 37-46 (2016年)
山本真義：電気評論（4月号）「次世代パワー半導体（SiC, GaN）の車載電源への適用」，電気評論社，pp. 45-51（2017年)
山本真義：車載テクノロジー（4月号）「4代目プリウスのPCU分解から紐解く車載パワーデバイスの技術動向予測」，技術情報協会，pp. 125-131（2017年)
山本真義：ワンポイント用語解説「パワエレ界の大人気回路「インバータ」」，他，トランジスタ技術，CQ出版，No. 10, pp. 170-171 (2017年)
山本真義：車載用パワーエレクトロニクスにおける トランス・インダクタ設計の重要性，月刊EMC，科学情報出版，No. 346，2017年12月号 (2017年)
山本真義：～日欧自動車メーカー、Tier1各社の動きから読み解く～ 車載パワーデバイスの開発状況と技術動向予測，車載テクノロジー（2018年6月号），情報技術協会，2016年6月号, (2018年)
山本真義：総論：GaNパワー半導体応用ロードマップ，特集記事「省エネ社会を支える高効率小型電源技術 ー高周波電源コンポーネンツの最前線ー」，pp. 76-79，電気学会論文誌，2019年2月号, (2019年)
山本真義：第3部：「Model 3」を分解・解析 テスラ新EVにSiCと新制御、GaNは電動航空機を狙え，日経エレクトロニクス2019年10月号, (2019年)
山本真義：スイッチング電源に用いる高周波パワー磁気デバイスの最近動向，月刊・機能材料（シーエムシー出版）, 2019年10月号, (2019年)
山本真義：ファーウェイの強みは「半導体応用力」、シェアトップの太陽光パワコンを徹底分析，日経エレクトロニクス 2020年1月号, (2020年)
山本真義：SiC/GaNパワー半導体へ次世代車載応用が要求する性能と実際の応用事例，クリーンテクノロジー 2020年5月号, (2020年)
山本真義：超高速GaNパワー半導体応用におけるノイズ発生－メカニズムと高速スイッチングに起因するノイズの効果的な抑制法，工業材料 2020年9月号, (2020年)
山本真義：xEV におけるSiC/GaN応用パワーエレクトロニクスのEMC対策技術，月刊 車載テクノロジー 2020年9月号, (2020年)
山本真義：国産電動航空機はヴァーチャルで空を飛ぶ，PRESS e（名古屋大学工学部Webニュース）2020 No.46, (2020年)