발명의 명칭 : 등록 마이크로 엘이디 검증용 기판과, 이의 제작 방법 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 검증 방법

등록번호 : KR 10-2633149

등록일자 : 2024.01.30

발명자 : 박시현, 이영웅, 김희진, 손보성

Patent number : US 11,728,225 B2

Publication date : 2023.08.15

Title : Micro LED Verification Substrate, Manufacturing Method Therefor, and Micro Led Verification Method Using Same

Inventor : Si-Hyun Park, Lee Young Woong

발명의 명칭 : 구동회로가 집적된 발광소자

등록번호 : KR 10-2485573

등록일자 : 2023.01.03

발명자 : 박시현, 이영웅, 손보성, 김희진

발명의 명칭 : LED 구조체 전사 방법

등록번호 : KR 10-224060

등록일자 : 2021.04.09

발명자 : 박시현, 이찬수, 이영웅

발명의 명칭 : 마이크로 엘이디 검증용 기판과, 이의 제작 방법 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 검증 방법

등록번호 : KR 10-2145325

등록일자 : 2020.08.11

발명자 : 박시현, 이영웅

Patent number : PCT/KR2019/003119

International filing date : 2019.03.19

Priority data : 10-2018-0034673 (2018.03.26)/10-2018-0116319 (2018.09.28)

Title : Micro LED Verfication Substrate, Manufacturing Method Therefor, and Micro Led Verification Method Using Same

Inventor : Si-Hyun Park, Lee Young Woong

Patent number : US 9899569 B2

Publication date : 2018.02.20

Title : Patterened substrate for gallium nitride - based light emitting diode and the light emitting diode using the same

Inventor : Si-Hyun Park, Hao Cui

발명의 명칭 : 플립칩 타입 질화갈륨계 발광다이오드용 패터닝 기판 및 이를 이용한 발광다이오드

등록번호 : KR 10-1679241

등록일자 : 2016.11.18

발명자 : 박시현, 최호

발명의 명칭 : 질화갈륨계 발광다이오드용 패터닝 기판 및 이를 이용한 발광다이오드

등록번호 : KR 10-1638738

등록일자 : 2016.07.05

발명자 : 박시현, 최호

발명의 명칭 : 수직형 발광 다이오드 및 그 제조 방법

등록번호 : KR 10-1202730

등록일자 : 2012.11.13

발명자 : 박일규, 오지원, 박시현, 장자순, 조용

발명의 명칭 : 발광모듈 제어 방법 및 그 장치

등록번호 : KR 10-1170270

등록일자 : 2012.07.25

발명자 : 이중희, 김주영, 백상훈, 임해용, 박시현, 장자순

발명의 명칭 : 발광 다이오드 및 그 제조방법

등록번호 : KR 10-1140140

등록일자 : 2012.04.19

발명자 : 오지원, 박일규, 박시현, 장자순

발명의 명칭 : 수직형 발광 다이오드의 제조 방법

등록번호 : KR 10-1140138

등록일자 : 2012.04.19

발명자 : 오지원, 박일규, 박시현, 장자순

발명의 명칭 : 발광 모듈의 제어 방법 및 시스템

등록번호 : KR 10-1103176

등록일자 : 2011.12.29

발명자 : 이중희, 김주영, 백상훈, 박시현, 장자순

발명의 명칭 : 자외선 발광다이오드를 이용한 곡물저장장치

등록번호 : KR 10-1041439

등록일자 : 2011.06.08

발명자 : 박시현, 정석현, 김재열

발명의 명칭 : 반도체 발광소자 및 그 제조방법

등록번호 : KR 10-1030071

등록일자 : 2011.04.12

발명자 : 박시현, 김경태

발명의 명칭 : 습식공정을 이용한 광결정 수동소자의 제조 방법

등록번호 : KR 10-1011681

등록일자 : 2011.01.24

발명자 : 김정일, 전석기, 진육식, 김근주, 손채화, 박시현

발명의 명칭 : 자외선 경화 접착제를 이용한 마이크로 렌즈 어레이의 제작방법

등록번호 : KR 10-1001756

등록일자 : 2010.12.09

발명자 : 박시현, 손수광

발명의 명칭 : 자외선 발광다이오드를 이용한 살균 키보드

등록번호 : KR 10-0996465

등록일자 : 2010.11.18

발명자 : 박시현, 정석현

발명의 명칭 : 냉음극 전자원 및 그 제조방법

등록번호 : KR 10-0911739

등록일자 : 2009.08.04

발명자 : 전석기, 김정일, 진윤식, 김근주, 손채화, 박시현

발명의 명칭 : 마이크로 렌즈가 구비된 발광 다이오드

등록번호 : KR 10-0886359

등록일자 : 2009.02.24

발명자 : 박시현, 손수광

Patent number : US 6990134 B2

Publication date : 2006.01.24

Title : GaN series surface-emitting laser diode having spacer for effective diffusion of holes between p-type electrode and active layer, and method for manufacturing the same

Inventor : Yong-Jo Park, Kyoung-Ho Ha, Heon-Su Jeon, Si-hyun Park

Patent number : US 6754245 B2

Publication date : 2004.06.22

Title : GaN series surface-emitting laser diode having spacer for effective diffusion of holes between p-type electrode and active layer, and method for manufacturing the same

Inventor : Yong-Jo Park, Kyoung-Ho Ha, Heon-Su Jeon, Si-hyun Park 

발명의 명칭 : P형 전극과 활성층 사이에 효과적인 정공 확산을 위한 스페이서를 구비하는 GaN 면 발광 레이저 다이오드 및그 제조 방법

등록번호 : KR 10-0374796

등록일자 : 2003.02.20

발명자 : 박용조, 박시현, 하경호, 전헌수