Power & RF Devices

研究目標 - 功率元件

本組以III-V族半導體HEMT為主軸，

發展各種功能之功率元件，

包含：Power HEMT、RF HEMT、Fin HEMT、HBT。

1.高功率高速電子遷移率電晶體(Power HEMT)

研究內容：指叉式結構、沉積、蝕刻。

2.射頻高速電子遷移率電晶體(RF HEMT)

研究內容：電子束微影、步進式微影、沉積、蝕刻、結構。

3.鰭狀高速電子遷移率電晶體(Fin HEMT)

研究內容：電子束微影、沉積、蝕刻、結構。

4.異質接面雙極性電晶體(HBT)

研究內容：黃光、沉積、蝕刻、結構。