研究目標 - 光偵測器 

本組研究主軸為近紅外波段 (900-1700 nm) 之光偵測器，

以 III-V 化合物半導體 InP/InGaAs 系列材料為主，

元件有 p-i-n photodiode、Avalanche photodiode 且元件形式包含單顆至陣列。

1.PIN photodiode array

研究內容：擴散、黃光、蝕刻、沉積。

2.APD

研究內容：擴散、黃光、蝕刻、沉積、高精度壓合。

3. NIR Filter 

分為主動式與被動式 

4. Si microfilament

連續性的寬波段紅外光源，元件形式從單顆至陣列