介紹穩懋半導體在氮化鎵高速電子元件在微波功率放大器的應用發展與現況,包含目前GaN HEMT的市場現況,以及穩懋0.45-um, 0.25-um, 0.15-um 三種閘極線寬的製程在不同頻率範圍的功率、增益及效率的表現,另外會提出業界目前量測方法,來決定元件性能、可靠度與接面溫度等方法來讓國內學術界作為參考。
2005年從中央大學電機系固態組博士班畢業後,加入穩懋半導體先進研發中心元件研發處,2005年至2018年擔位高級工程師、資深工程師、專案經理、經理、部經理 ,砷化鎵研發處處長等職位,過程中在2009年到2010年以公司外派的方式至美國伊利諾伊大學香檳分校電機系擔任訪問學者一年,回國後並兼任客服工程處處長。2018年5月升任微波通訊事業群先進技術研發中心協理一職,負責砷化鎵,磷化銦和氮化鎵微波元件與表面聲波元件技術開發。