研究業績

2026年度

学術論文

1.  K. Kakimoto, T. Tomida, V. V. Kochurikhin, M. Kitahara, K. Kamada, S. Nakano, Y. Yao, K. Akaiwa, and A. Yoshikawa, "Effects of impurity segregation on temperature distributions in β-Ga2O3 crystals grown using the vertical Bridgman method", J. Cryst. Growth 686, 128606 (2026).

2. Y. Ishikawa, R. Hattori, Y. Yao, D. Hattori, and K. Sato, "High-throuput, non-detructive, three-dimensional imaging of GaN threading dislocations with in-plane Burgers vector component via phase-contrast microscopy", Appl. Phys. Express 19, 041003 (2026). [Spotlight2026, Open Access]   [Press release]

3. K. Ohnishi, K. Iso, H. Ikeda, Y. Tsusaka, and Y. Yao. "Comprehensive determination of Burgers vectors of threading dislocations in GaN substrates by combining reflection and transmission synchrotron-radiation x-ray topography", J. Appl. Phys. 139, 195701 (2026).

4. Y. Yao,  K. Mizuno, K. Ohnishi, Y. Ishikawa, M. Kitahara, T. Tomida, R. Murakami, V. Kochurikhin, L. Gushchina, K. Kamada, K. Kakimoto, and A. Yoshikawa, "Synchrotron-radiation X-ray topography and reticulography of bulk β-Ga2O3 crystals grown by the cold crucible method", J. Appl. Phys. 139, 205101 (2026).

5. Y. Sugawara, Y. Yao, and Y. Ishikawa, "Determination of Burgers vectors of dislocations in monoclinic β-Ga2O3 crystals by large-angle convergent-beam electron diffraction",   Jpn. J. Appl. Phys. 65, 110901 (2026).

6. Y. Yao, D. Katsube, H. Yamaguchi, S. Yamaguchi, D. Wakimoto, H. Miyamoto, and Y. Ishikawa, "Three-dimensional visualization of lattice defects in β-Ga2O3 via synchrotron-radiation Borrmann-effect X-ray topo-tomography", Appl. Phys. Lett. 128, 231904 (2026).

7. Y. Yao, D. Katsube, H. Yamaguchi, and Y. Ishikawa, "Dislocations in (011)-oriented vertical Bridgman β-Ga2O3 substrates", Appl. Phys. Lett. 129, 051904 (2026).

8. Y. Ishikawa, K. Matsumoto, K. Ohnishi, and Y. Yao, "Three-dimensional visualization of threading dislocations in GaN by polarized-light microscopy", Appl. Phys. Lett. 129, 161903 (2026).

プレプリント

1.  K. Ohnishi, K. Iso, H. Ikeda, Y. Tsusaka, and Y. Yao. "Comprehensive determination of Burgers vectors of threading dislocations in GaN substrates by combining reflection and transmission synchrotron-radiation x-ray topography", arXiv:2604.04392 (2026).

2. Y. Yao, D. Katsube, H. Yamaguchi, S. Yamaguchi, D. Wakimoto, H. Miyamoto, and Y. Ishikawa, "Three-dimensional visualization of lattice defects in β-Ga2O3 via synchrotron-radiation Borrmann-effect X-ray topo-tomography", arXiv:2604.17826 (2026).

3. Y. Sugawara, Y. Yao, and Y. Ishikawa, "Determination of Burgers vectors of dislocations in monoclinic β-Ga2O3 crystals by large-angle convergent-beam electron diffraction",  arXiv:2604.25428 (2026).

4. Y. Yao, D. Katsube, H. Yamaguchi, and Y. Ishikawa, "Dislocations in (011)-oriented vertical Bridgman β-Ga2O3 substrates", arXiv:2605.07445 (2026).

5. Y. Ishikawa, K. Matsumoto, K. Ohnishi, and Y. Yao, "Three-dimensional visualization of threading dislocation in GaN by polarized-light microscopy", arXiV:2606.27744 (2026).

6. Y, Yao, D. Katsube, H. Yamaguchi, and Y, Ishikawa, "Groove-shaped defects in as-grown (001)-oriented  β-Ga2O3 epilayers prepared by halide vapor phase epitaxy", arXiV2609.07209 (2026).

7. Y. Ishikawa, M. Shimizu, K. Sato,  K. Matsumoto, K. Ohnishi, Y. Yao, and R. Hattori, "Determination of Burgers-vector directions of threading edge dislocations in GaN by phase-contrast microscopy", arXiV:2610.07837 (2026).

国際学会発表

1. Y. Yao, ”Lattice Defects in β-Ga2O3 Crystals and Power Devices”, International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-6), Maryland, U.S., Aug. 2-7, 2026. Oral. [Invited]

2. D. Katsube, Y. Yao, D. Wakimoto, H. Miyamoto, K. Sasaki, A. Kuramata, Y. Ishikawa, " In-Situ X-Ray Topography Observation of Behavior of Dislocations in β-Ga2O3(001) Schottky Barrier Diode During Applying Voltage", International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-6), Maryland, U.S., Aug. 2-7, 2026. Oral.

3. K. Ohnishi, K. Iso, H. Ikeda, Y. Tsusaka, and Y. Yao, "Examination of Burgers vectors of dislocations in GaN substrates via reflection and transmission synchrotron X-ray topography", 21st International Conference on Defects Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP21), Warsaw, Poland, Aug. 30-Sep. 3, 2026. Oral.

4. Y. Yao, "Evaluation of Dislocations in GaN Crystals by Multi-beam Excited Sycrhrotron XRT and TEM", 9th International Symposium on Advanced Science and Technology of Si and Related Materials, Nagano, Japan, Oct. 6-9, 2026. Oral. [Invited]

5. E. Kluth, H. Bendin, J. Bläsing, A. Strittmatter, K. Ohnishi, S. Nitta, N. Fujimoto, R. Goldhahn, Y. Honda, H. Amano, and M. Feneberg, "Anisotropic impurity size-effect of Sn in GaN", International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN2026), Kumamoto, Japan, Nov. 8-13, 2026. Oral.

6. K. Ohnishi, K. Iso, H. Amanai, K. Kajiwara, and Y. Yao, "Evaluation of threading dislocations in GaN substrates via reflection synchrotron-radiation x-ray topography using high-resolution x-ray imaging system", International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN2026), Kumamoto, Japan, Nov. 8-13, 2026. Oral.

7. H. Hatano, K. Ohnishi, N. Okada, and Y. Yao,  "Transmission electron microscopy study of dislocation reduction in N-polar AlN grown on Al-polar AlN templates", International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN2026), Kumamoto, Japan, Nov. 8-13, 2026. Poster.

国際コロキウム発表

1. K. Ohnishi,  "Investigation of Dislocations in Ammonothermal-grown GaN Substrates by Synchrotron Radiation X-Ray Topography", 20th JSPS Bonn Japanese-German Colloquium, Erlangen, Germany, Sep. 8-11, 2026. Oral. [Invited]

国内学会発表

1.  生川 龍也, 大西 一生, 姚 永昭, "X線トポグラフィ像と深層学習を用いたGaN基板中貫通転位の自動分類", 第87回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 9p-N101-15, 9月9日, 2026, 口頭発表.

2. 柿本 浩一, 富田 健稔, Vladimir Kochurikhin, 北原 正典, 鎌田 圭, 村上 力輝斗, 中野 智, 姚 永昭, 吉川 彰, "Cz-Ga2O3単結晶成長時における結晶内温度・応力・転位分布３次元解析", 第87回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 9a-B11-3, 9月9日, 2026, 口頭発表.

3. 富田 健稔, カチューリキン ヴラディミール, グシチナ リウドミラ, 北原 正典, 村上 力輝斗, 鎌田 圭, 姚 永昭, 柿本 浩一, 吉川 彰, "OCCC法における融液サイズupによるβ-Ga2O3のバルク結晶成長", 第87回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 9a-B11-4, 9月9日, 2026, 口頭発表.

4. 北原 正典, Vladimir Kochurikhin, Liudmila Guschina, 富田 健稔, 村上 力輝斗, 庄子 育宏, 鎌田 圭, 柿本 浩一, 姚 永昭, 吉川 彰, "OCCC法を用いた3インチサイズβ-Ga2O3結晶成長およびその評価", 第87回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 9a-B11-5, 9月9日, 2026, 口頭発表.

5. 姚 永昭, 水野 公貴, 大西 一生, 石川 由加里, 北原 正典, 富田 健稔, 村上 力輝斗, Vladimir Kochurikhin, Liudmila Guschina, 庄子 育宏, 鎌田 圭, 柿本 浩一, 吉川 彰, "OCCC法β-Ga2O3結晶における品質評価と転位構造解析", 第87回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 9a-B11-6, 9月9日, 2026, 口頭発表.

6.  姚 永昭, 勝部 ⼤樹, ⼭口 博隆, ⼭口 慎也, 脇本 ⼤樹, 宮本 広信, ⽯川 由加⾥, "放射光X線トポ・トモグラフィーを⽤いたβ型Ga2O3結晶中の格子⽋陥三次元可視化（その2）", 第87回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 9a-B11-9, 9月9日, 2026, 口頭発表.

7. 姚 永昭, 勝部 ⼤樹, ⼭口 博隆, ⽯川 由加⾥, "(011)⾯垂直ブリッジマン法β-Ga2O3基板中の転位観察", 第87回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 9a-B11-10, 9月9日, 2026, 口頭発表.

8. 勝部 ⼤樹, 清水 幹幸, ⼤橋 良央, 姚 永昭, ⼭口 博隆, 横江 ⼤作, ⽯川 由加⾥, "X線フィルムを⽤いたβ-Ga2O3(001)基板のX線トポグラフィ画像処理に関する検討", 第87回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 9a-B11-11, 9月9日, 2026, 口頭発表.

9. 横江 ⼤作, 姚 永昭, 清水 真紀, ⽯川 由加⾥, "⾼精度EBSD解析⼿法を⽤いたβ-Ga2O3ホモエピ膜の結晶性評価", 第87回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 9a-B11-12, 9月9日, 2026, 口頭発表.

10. 池⽥ 侑陽, 姚 永昭, 勝部 ⼤樹, ⽯川 由加⾥, "放射光X線トポグラフィーによるβ-Ga2O3 EFG法基板上HVPEエピ成⻑層の転位伝播挙動解析", 第87回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 9p-PA1-20, 9月9日, 2026, ポスター発表.

11. 佐藤 功二, 勝部 ⼤樹, 姚 永昭, 清水 真紀, ⼭口 博隆, ⽯川 由加⾥, "湿式エッチング法を⽤いたβ型Ga2O3(011)⾯結晶のエッチピット評価", 第87回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 9p-PA1-46, 9月9日, 2026, ポスター発表.

12. 姚 永昭, "放射光X線トポグラフィーを用いたβ-Ga₂O₃結晶欠陥の三次元可視化とパワーデバイスのオペランド観測 ", 第14回SPring-8次世代先端デバイス研究会/第127回SPring-8先端利用技術ワークショップ, 明治大学, 11月4日, 2026, 口頭発表. 招待講演

13. 富田 健稔,  V. Kochurikhin,  L. Gushchina,  北原 正典 ,  村上 力輝斗,  姚 永昭,  庄子 育宏,   鎌田 圭,  柿本 浩一,  吉川 彰, "貴金属フリー融液成長技術：OCCC法によるβ-Ga2O3バルク単結晶育成と今後の展開", 第55回結晶成長国内会議,  北海道大学, 24p-B09, 11月24日, 2026, 口頭発表.

14. 柿本 浩一,  富田 健稔,  Vladimir V. Kochurikhin,  北原 正典,  村上 力輝斗,  鎌田 圭,  中野 智,  姚 永昭,  吉川 彰, "OCCC-Ga2O3単結晶成長時における結晶内温度・応力・転位分布３次元解析", 第55回結晶成長国内会議,  北海道大学, 25a-B01, 11月25日, 2026, 口頭発表.