お知らせ

2026.6.11
姚教授が筆頭著者として執筆いたしました、放射光X線トポトモグラフィーを用いたβ-Ga2O3中の格子欠陥の3次元観察に関する論文がAppl. Phys. Lett.誌に掲載されました。

2026.5.22
姚教授が筆頭著者として執筆いたしました、OCCC法によって作製されたβ-Ga2O3バルク中の格子欠陥に関する論文がJ. Appl. Phys.誌に公開されました。

2026.5.21
姚教授が共著者である、LACBED法によるβ-Ga2O3結晶中の転位解析に関する論文がJpn. J. Appl. Phys. 誌に掲載されました。

2026.5.15
大西助教が筆頭著者として執筆いたしました、反射/透過放射光X線トポグラフィーによるGaN基板中の転位評価に関する論文がJ. Appl. Phys.誌に掲載されました。

2026.5.12
位相差顕微鏡を用いたGaN基板中の欠陥の3次元イメージングに関してプレスリリースが出されました。

2026.5.11
姚教授が筆頭として執筆いたしました、VB法で作製されたβ-Ga2O3 (011)基板の転位に関する論文をarXiVに投稿いたしました。

2026.5.7
2026年10月6日～9日にかけて長野で開催されるSi国際シンポジウムにて姚教授が、放射光XRTとTEMを用いたGaNの転位評価について招待講演を行います。

2026.4.29
姚教授が共著者である、LACBED法によるβ-Ga2O3結晶中の転位解析に関する論文をarXivに投稿いたしました。

2026.4.22
2026年4月21日に新田研と合同で新入生の歓迎会を行いました！詳しくはイベントをご覧ください。

2026.4.21
姚教授が筆頭として執筆いたしました、放射光X線トポトモグラフィーを用いたβ-Ga2O3中の格子欠陥の3次元観察に関する論文をarXiVに投稿いたしました。

2026.4.16
8月30日~9月3日にポーランド、ワルシャワで開催される半導体欠陥に関する国際会議 DRIP21にて大西助教が口頭発表を行います。

2026.4.15
姚教授が共著者である、位相差顕微鏡を用いたGaN基板中の転位観察に関する論文がAppl. Phys. Express誌に掲載されました。また、本論文はSpotlight論文に選ばれました。

2026. 4. 7
大西助教が筆頭著者として執筆した、反射/透過配置XRTを用いたGaN基板中の転位評価に関する論文をarXivに投稿いたしました。

2026. 4. 1
メンバーを更新しました。

2026. 4. 1
研究業績を更新しました。

2026. 3. 26
2026年8月2日~7日にアメリカ合衆国メリーランドで行われる酸化ガリウムに関する国際会議International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO)にて姚教授が招待講演を行います。この会議は酸化ガリウムに関する国際会議の中で最も大きな国際会議です。

2026. 3. 26
研究業績を更新しました。

2026. 3. 26
イベントを更新いたしました。

2026. 3. 25
卒業式が執り行われました。本研究室からは学部生8名が卒業しました。

2026. 3. 25
姚教授が筆頭著者として執筆いたしました、OCCC法によって作製されたβ-Ga2O3バルク中の格子欠陥に関する論文が、arXivにて公開されました。M1の水野君が実験を担当しております。

2026. 3. 25
2026年3月15日~18日に東京科学大学にて行われた第73回応用物理学会春季学術講演会にて姚教授、大西助教、B4の波多野君、西沢君が発表を行いました。詳しくは研究業績、イベントをご覧ください。

2026.  2. 11
姚教授が筆頭著者として執筆した、スーパーボルマン効果による多波励起を用いたGaN基板中の放射光XRT測定に関する論文が Journal of Applied Physics誌に公開されました。また、この論文はFeatured Articleに選定されました。