研究業績

2025年度

学術論文

1. R. Hattori, Y. Yao, and Y. Ishikawa, "Polarization Superimposed Phase Contrast Microscope Inspection of Dislocations in SiC Epitaxial Layer", Solid State Phenomena 376, 47 (2025).

2. Y. Ishikawa, D. Katsube, Y. Yao, K. Sato, and K. Sasaki, "High-speed, high-resolution, three-dimensional imaging of threading dislocations in β-Ga2O3 via phase-contrast microscopy", APL Mater. 14, 021104 (2026).

3.  Y. Yao, Y. Tsusaka, and Y. Ishikawa, "Kinematical and dynamical contrast of dislocations in thick GaN substrates observed by synchrotron-radiation x-ray topography under six-beam diffraction conditions", J. Appl. Phys. 139, 065102 (2026). [Featured Article]

プレプリント

1.  Y. Yao, Y. Tsusaka, and Y. Ishikawa, "Kinematical and dynamical contrast of dislocations in thick GaN substrates observed by synchrotron-radiation x-ray topography under six-beam diffraction conditions", arXiv:2510.27597 (2025). 

2. Y. Ishikawa, R. Hattori, Y. Yao, D. Katsube, and K. Sato,  "High-throughput, Non-Destructive, Three-Dimensional Imaging of GaN Threading Dislocations with in-Plane Burgers Vector Componentvia Phase-Contrast Microscopy", arXiv:2511.08989 (2025).

3. Y. Yao,  K. Mizuno, K. Ohnishi, Y. Ishikawa, M. Kitahara, T. Tomida, R. Murakami, V. Kochurikhin, L. Gushchina, K. Kamada, K. Kakimoto, and A. Yoshikawa, "Synchrotron-radiation X-ray topography and reticulography of bulk β-Ga2O3 crystals grown from a crucible-free melt", arXiv:2603.14751 (2026).

国際学会発表

1. Y. Yao,  D. Katsube, H. Yamaguchi, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, D. Wakimoto, H. Miyamoto, K. Sasaki, and A. Kuramata, "Operando X-ray topographic observation of lattice defects in Ga2O3 Schottky barrier diodes using synchrotron radiation X-ray source", HQSN2025 (International Conference on Hybrid Quantum Systems and Nanotechnologies 2025), Matsue, Japan, Oct. 26-29, 2025. Oral.

2. Y. Yao, D. Katsube, H. Yamaguchi, Y. Sugawara, Y. Ishikawa, D. Wakimoto, H. Miyamoto, K. Sasaki, and A. Kuramata, "Nondestructive, real-time observation of lattice defects in power semiconductors using synchrotron radiation X-rays", IWNT2025 (International Workshop on Nanodevice Technologies 2025), Hiroshima, Japan, Oct. 30-31, 2025, Oral. [Invited] 

3. Y. Yao, "Lattice defects in wide bandgap semiconductor wafers - visualization, categorization, and structural analysis",  NANOTS2025 (The 45th Annual NANO Testing Symposium), Osaka, Japan, Nov. 11-13, 2025, Oral. [Invited]

国内学会発表

1.  姚 永昭 , "パワー半導体β型酸化ガリウム結晶中の格子欠陥", 北海道, 第17回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 7月17日-19日, 2025, 口頭発表.[招待講演]

2.  樋口 直輝, 大西 一生, 姚 永昭, 富田 健稔, 柿本 浩一, 北原 正典, 鎌田 圭, 赤岩 和明, 吉川 彰, "OCCC法β-Ga2O3結晶のTEM観察", 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学, 8p-P10-30, 9月8日, 2025, ポスター発表.

3.  水野 公貴, 大西 一生, 姚 永昭, 富田 健稔, 柿本 浩一, 北原 正典, 鎌田 圭, 赤岩 和明, 吉川 彰, "放射光X線トポグラフィによるOCCC法β-Ga2O3単結晶基板の観察", 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学, 8p-P10-31, 9月8日, 2025, ポスター発表.

4. 柿本 浩一, 富田 健稔, Vladimir Kochurikhin, 北原 正典, 鎌田 圭, 中野 智, 姚 永昭, 赤岩 和明, 吉川 彰, "結晶と融液の透明度がOCCC法におけるGa2O3単結晶成長時の炉内温度分布に与える影響", 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学, 9a-N302-11, 9月9日, 2025, 口頭発表.

5. 生川 龍也, 大西 一生, 姚 永昭, "機械学習を用いたGaNのXRT転位画像解析と分類", 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学, 10a-P05-8, 9月10日, 2025, ポスター発表.

6. 姚 永昭, 勝部 大樹, 山口 博隆, 菅原 義弘, 石川 由加里, 佐々木 公平, 倉又 朗人, "反射/透過配置放射光XRTを用いたβ型Ga2O3基板とエピ層の転位解析", 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学, 10p-N105-8, 9月10日, 2025, 口頭発表.

7. 姚 永昭, 勝部 大樹, 山口 博隆, 菅原 義弘, 石川 由加里, 脇本 大樹, 宮本 広信, 佐々木 公平, 倉又 朗人, "放射光X線トポグラフィーによる実動作中のβ-Ga2O3パワーデバイスにおける転位のオペランド観測技術", 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学, 10p-N105-9, 9月10日, 2025, 口頭発表.[注目講演]

8. 勝部 大樹, 姚 永昭, 脇本 大樹, 宮本 広信, 佐々木 公平, 倉又 朗人, 石川 由加里, "電圧印加中のβ-Ga2O3(001)ショットキーバリアダイオード内の転位挙動のオペランドX線トポグラフィ観察", 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学, 10p-N105-10, 9月10日, 2025, 口頭発表.

9. 石川 由加里, 勝部 大樹, 佐藤 功二, 姚 永昭, 佐々木 公平, "位相差顕微鏡によるβ-Ga2O3(010)結晶中転位の非破壊検出", 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学, 10p-N105-11, 9月10日, 2025, 口頭発表.

10. 菅原 義弘, 姚 永昭, 佐々木 公平, 石川 由加里, "β-Ga2O3に導入された転位の構造解析へのLACBED法適用性検証", 第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学, 10p-N105-12, 9月10日, 2025, 口頭発表.

11. 西沢 武留, 大西 一生, 姚 永昭, "深さ方向を考慮した転位の X 線トポグラフィー像の光線追跡シミュレーション", 第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 15a-PB3-1, 3月15日, 2026, ポスター発表.

12. 姚 永昭, 勝部 大樹, 山口 博隆, 菅原 義弘, 佐々木 公平, 倉又 朗人, 石川 由加里, "放射光X線トポ・トモグラフィーを用いたβ型Ga2O3結晶中の格子欠陥三次元可視化", 第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 15p-W9_324-1, 3月15日, 2026, 口頭発表.

13. 山口 博隆, 姚 永昭, 勝部 大樹, 石川 由加里, "β-Ga2O3のすべり面についての結晶化学的考察", 第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 15p-W9_324-5, 3月15日, 2026, 口頭発表.

14. 勝部 大樹, 姚 永昭, 山口 博隆, 佐藤 功二, 佐々木 公平, 石川 由加里, "β-Ga2O3(010)基板のドメイン境界の位相差顕微鏡観察", 第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 15p-W9_324-10, 3月15日, 2026, 口頭発表.

15. 柿本 浩一, 富田 健稔, Vladimir Kochurikhin, 北原 正典, 鎌田 圭, 村上 力輝斗, 中野 智, 姚 永昭, 赤岩 和明, 吉川 彰, "VB-Ga2O3単結晶成長時における応力・転位分布の成長軸方位依存性", 第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 16a-W8E_307-5, 3月16日, 2026, 口頭発表.

16. 石川 由加里, 服部 亮, 姚 永昭, 勝部 大樹, 佐藤 功二, "位相差顕微鏡によるGaN結晶中のa成分を有する貫通転位の非破壊検出", 第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 17p-W2_401-14, 3月17日, 2026, 口頭発表.

17. 姚  永昭, 大西 一生, 津坂 佳幸, 石川 由加里, "多波励起放射光X線トポグラフィーによるGaNバルク基板中の転位観察", 第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 17p-W2_401-15, 3月17日, 2026, 口頭発表.

18. 大西 一生, 磯 憲司,  池田 宏隆, 津坂 佳幸, 姚 永昭, "反射/透過配置放射光XRTを用いたGaN基板中の転位解析", 第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 17p-W2_401-16, 3月17日, 2026, 口頭発表.

19. 波多野 晴信,  大西 一生, 木本 大星,  岡田 成仁, 姚 永昭, "透過電子顕微鏡による微小ピット層上N極性AlNの構造解析", 第73回応用物理学会春季学術講演会, 東京科学大学, 17p-W2_401-17, 3月17日, 2026, 口頭発表.